research centers


Search results: Found 3

Listing 1 - 3 of 3
Sort by

Article
Topological Insulators in Bi2Se3 Family Nanostructured Thin Films: Study Topological Nature and Surface states
العوازل الطبوغرافية في اللأغشية الرقيقة عائلةBi2Se3 ذات التركيب النانوي: دراسة الطبيعة الطبوغرافية والحالات السطحية

Authors: Fouad N. Ajeel فؤاد نمر عجيل --- Mohammed H. Mohammed محمد هلول محمد --- Rawaa A. Abd Ali رواء عباس عبد علي
Journal: Univesity of Thi-Qar Journal مجلة جامعة ذي قار العلمية ISSN: 66291818 Year: 2017 Volume: 12 Issue: 1 Pages: 40-49
Publisher: Thi-Qar University جامعة ذي قار

Loading...
Loading...
Abstract

Topological insulators represent new states of quantum matter with an insulating bulk gap and gapless edges on surface states. Recently, Bi2Se3 family (such as Bi2O3, Bi2S3, Bi2Te3 and Bi2Po3) nanostructured thin films have been proposed as three-dimensional topological insulators with a single Dirac cone on the surface. In this study, we take the system as a rhombohedral crystal structure has a layered structure with three quintuple layers (QL), in each QL, there are five atomic planes. Based on the density functional theory (DFT), we investigate the electronic band structure, which exhibits the surface states of Bi2Se3 family nanostructured thin films. In additionally, we calculated the density of states (DOS) around the Fermi energy, which nicely explains the Dirac cone inside the bulk band gap. We conclude that Bi2O3 thin film is a strong topological insulator, which can be used in important electronic applications.

تمثل العوازل الطبوغرافية حالات جديدة من المواد الكمية التي تمتلك فجوة العازل الحجمي بينما تفقد تلك الفجوة عند حواف وسطح المادة. مؤخراً، تم اقتراح الأغشية الرقيقة عائلة Bi2Se3 (مثل Bi2O3 , Bi2S3 , Bi2Po3 , Bi2Te3) ذات التركيب النانوي كعوازل طبوغرافية ثلاثية الأبعاد لها مخروط ديراك واحد على السطح. في هذه الدراسة أخذنا النظام كتركيب بلوري بشكل منشور سداسي له تركيب طبقي ذو ثلاث طبقات (QL) ، في كل QL هناك خمس مستويات ذرية. استناداً على نظرية الكثافة الوظيفية (DFT)، فحصنا تركيب الحزمة الإلكترونية التي تعرض الحالات السطحية للأغشية الرقيقة عائلةBi2Se3 . بالإضافة إلى ذلك، قمنا بحساب كثافة الحالات (DOS) حول طاقة فيرمي، وهو ما يفسر بشكل جيد مخروط ديراك داخل فجوة الحزمة الحجمية. استنتجنا بان الغشاء الرقيق Bi2O3 هو عازل طبوغرافي قوي، والذي يمكن استخدامه في التطبيقات الالكترونية الهامة.


Article
Frequency Dependent Capacitance –Voltage and Current Density Characteristic of Al/PS/p-Si Heterojunction
إعتماد التردد على خصائص السعة – فولتية وكثافة التيار للمفرق الهجين Al/PS/p-Si

Authors: Hassan Juma Abd حسن عبد الصاحب هادي --- Hasan Abdulsaheb Hadi حسن جمعه عبد
Journal: Iraqi Journal of Science and Technology المجلة العراقية للعلوم والتكنولوجيا ISSN: 18136893 Year: 2014 Volume: 5 Issue: 1 Pages: 89-96
Publisher: Ministry of science and technology وزارة العلوم والتكنولوجيا

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, formation of microstructures porous silicon layer (PS) on c-Si substrate p-type with resistivity’s10 Ω.cm which was prepared by the electrochemical etching (ECE) is presented. The etching current densities (40 and 50 mA.cm-2) were used in the electrochemical etching procedure leading to the formation of 1.08 µm and 1.34µm thick porous layers respectively at constant etching time 300sec. From the current – voltage characteristics of the PS/p-Si, the potential barrier were determined and found to be (0.54 and 0.53 eV) respectively. C-V measurements performed on metal/porous silicon/crystalline silicon structures with different etching current densities and frequency depended

في هذا البحث تم تشكيل التركيب المايكروي لطبقة السيليكون المسامي(PS) على القاعدة السيليكونية من النوع الموجب ذي المقاومية 10 Ω.cm المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائية . ان قيم كثافات تيار التنميش في الطريقة المستخدمة للحصول على سمكي طبقة السيليكون المسامي 1.08 µm و 1.34µm هي على التوالي (40 mA.cm-2 و 50 mA.cm-2) بثبات زمن التنميش عند القيمة 300 ثانية. من خصائص تيار –فولتية للتركيب PS/p-Si تم حساب قيمة حاجز الجهد والذين هما 0.54 ev و 0.53 ev لكلا التركيبين على التوالي. دراسة خصائص السعة – فولتية لتركيب المعدن/ السيليكون المسامي/السيليكون البلوري والتي اعتمدت على كل من كثافة تيار التنميش والتردد


Article
Study the Structural, Optical and Electrical Conductivity Properties of Copper Oxide Thin Films Prepared by Chemical Bath Deposition
دراسة الخواص التركيبية والبصرية والتوصيلية الكهربائية لأغشية اوكسيد النحاس المحضر بتقنية الترسيب الكيميائي

Loading...
Loading...
Abstract

Copper oxide thin films were prepared on glass substrate by using chemical bath deposition (CBD) method, with thickness of 0.23μm. In this study, aqueous solutions of copper oxide at low temperature were used. The structural (nano structure) of the film was studied by using X-ray diffraction (XRD), optical examination microscopic and Scanning electron micrographs (SEM). Also electrical conductivity and optical properties by were studied. The band gap energy was ~2.6eV.

في هذا البحث حضر اوكسيد النحاس بسمك 0.23 μm بتقنية الترسيب الكيميائي (CBD) على قواعد زجاجية. كما وحددت في هذه الدراسة المحاليل المائية لأوكسيد النحاس بدرجة حرارة منخفضة ، ودرست الخصائص التركيبية (التركيب النانوية) باستخدام فحوصات حيود الاشعة السينية(XRD) ومجهر الفحص البصري و الماسح الضوئي (SEM), وكذلك درست التوصيلية الكهربائية والخصائص البصرية للأغشية المحضرة. وجد ان فجوة الطاقة كانت (~2.6 eV).

Listing 1 - 3 of 3
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (3)


Language

English (3)


Year
From To Submit

2017 (1)

2015 (1)

2014 (1)