research centers


Search results: Found 3

Listing 1 - 3 of 3
Sort by

Article
Study the Effect of Zn Doping in the Structural and Electrical Properties of CdTe Thin Films
دراسة تأثيرالتشويب بالخارصين في الخواص التركيبية والكهربائية لاغشية CdTe الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

Some of structural,and electrical properties of pure and zinc (Zn) doped cadmium telluride thin films with impurity percentages (0.5, 1, 1.5)%, deposited on hot glass substrate (temperature equals to 423K) of thickness of 300nm and rate deposition of 0.5nm.s-1 by thermal co-evaporation technique under vacuum of (2×10-5)Torr have been investigates.The structural properties for the prepared films were studied before and after. doping process by analysis of the X-ray diffraction, and it appeared that pure and dopant CdTe thin films are polycrystalline and have the cubic structure with preferential orientation in the [111] direction, and the crystal structure of the films were improved due to doping process. From d.c.electrical conductivity in range of (291-495)K, we noticed that there are two activation energies Ea1 and Ea2, and their values decrease withthe..increase.of.Zn.percentages,so..(σd.c.)..of..those..thin.films.increase.From Hall.effect.measurements we showed that the..(σd.c.)..for CdTe thin film is of n-type and converted to p-type when they adopted with Zn, and charge carrier concentration increases with the increase of Zn percentages, so Hall mobility (μH) decreases.

لقد أجريت دراسة بعض الخواص التركيبية والكهربائية لأغشية تيليرايد الكادميوم( CdTe) النقية والمشوبة بالخارصين (Zn) وبالنسب %(0.5,1,1.5)، المرسبة على أرضيات زجاجية عند درجة حرارة أرضية (423K) وبسمك (300nm) وبمعدل ترسيب (0.5nm.s-1) باستعمال تقنية التبخير الحــراري المــزدوج في الفراغ تحت ضغط (2×10-5Torr).وتمت دراسة الخواص التركيبية للأغشية المحضرة قبل التشويب وبعده عن طريق فحوصات الأشعة السينية، وتبين أن أغشية CdTe النقية والمشوبة ذات تركيب متعدد التبلور ومن النوع المكعب بالاتجاه المفضل [111]، وان عملية التشويب أدت إلى تحسين في التركيب البلوري للأغشية الرقيقة.وخلال قياسات التوصيلية الكهربائية المستمرة ضمن المدى (291-495)K لاحظنا وجود طاقتين للتنشيط Ea1، Ea2، وان قيم طاقتي التنشيط تقل مع زيادة النسبة المئوية لشوائب Zn ومن ثم فان التوصيلية الكهربائية المستمرة (d.cσ) لتلك الأغشية تزداد.تبين من قياسات تأثير هول أن التوصيلية الكهربائية المستمرة لأغشية CdTe هي من النوع السالب (n-type) وتصبح من النوع الموجب (p-type) عندما تشوب الأغشية بـZn ، وان تركيز حاملات الشحنة يزداد مع زيادة نسب الشوائب ومن ثم فان تحركية هول (μH) تقل.


Article
The Influence of Annealing and Doping by Copper on Electrical Conductivity of CdTe Thin Films
تأثير التلدين والتشويب بالنحاس فى التوصيلية الكهربائية لأغشية CdTeالرقيقة

Author: Bushra. K.H.Al-Maiyaly بشرى كاظم حسون الميالي
Journal: Ibn Al-Haitham Journal For Pure And Applied Science مجلة ابن الهيثم للعلوم الصرفة والتطبيقية ISSN: 16094042 Year: 2015 Volume: 28 Issue: 1 Pages: 33-42
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this research CdTe and CdTe: Cu thin films with different doping ratios (1, 2, 3, 4 and5) %, were deposited by thermal evaporation technique under vacuum on glass substrates atroom temperature in thickness 450 nm.The measurements of electrical conductivity (σ), and activation energies (Ea1, Ea2), havebeen investigated on (CdTe) thin films as a function of doping ratios, as well as the effect ofthe heat treatment at (373, 423, and 473) K° for one hour on these measurements werecalculated and all results are discussed.The electrical conductivity measurements show all films prepared contain two types oftransport mechanisms, and the electrical conductivity (σ) increases whereas the activationenergy (Ea) would decrease as the increasing (Cu) percentage in the sample except 5%. It isalso noticed that the electrical conductivity (σ) showed a decreasing trend with increasingannealing temperature, while the activation energies (Ea1, Ea2) showed opposite trend, wherethe activation energies increased with annealing temperature. Also the electrical conductivityvalues was found increased about 3- 4 orders when pure CdTe films are doped with (3, 4) %Cu and annealing at 473 K°.

في هذا البحث حضرت اغشية CdTe الرقيقة غير المشوبة والمشوبة بالنحاس بنسب تشويب مختلفة (1,2,3,4, 5) %بتقنية التبخير الحراري بالفراغ على ارضيات من الزجاج وبسمك 450nm عند درجة حرارة الغرفة . وحسبتقياسات التوصيلية الكهربائية (σ),وطاقات التنشيط(Ea1, Ea2) لاغشية (CdTe)دالة لتغيرنسب التشويب.وكذلك حسب تاثير المعاملة الحرارية بدرجات (373, 423, and 473) K° ومدة ساعة واحدة على هذه القياسات ونوقشت جميع هذه النتائج.وقد أظهرت قياسات التوصيلية الكهربائية ان لكل الاغشية المحضرة آليتين للانتقال الالكتروني ولوحظ زيادة التوصيلية الكهربائية مع نقصان طاقات التنشيط بزيادة نسبة (Cu) بالانموذج ماعدا النسبة 5%. كما لوحظ نقصان التوصيلية الكهربائية مع زيادة درجات حرارة التلدين ، بينما أظهرت طاقات التنشيط سلوكاُ معاكساُ,إذ أزدادت طاقات التنشيط مع زيادة درجة حرارة التلدين. كذلك وجد ان قيم التوصيلية الكهربائية تزداد بمقدار 3- 4 مراتب عند تطعيم اغشية CdTe النقية بنسبة (3, 4) % Cu وتلدينها عند درجة حرارة 473 K°.


Article
Effect of Doping Cu on the Structural and Optical Properties of (CdTe) Thin Films
تأثير التشويب بالنحاس على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية تيليرايد الكادميوم الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

In this research we studied the structural and optical properties of (CdTe) thin films which have been prepared by thermal evaporation deposition method on the glass substrate at R.T with thickness (450  25) nm., as a function of doping ratio with copper element in (1,3,5) % rate .The structure measurement by X-ray diffraction (XRD) analyses shows that the single phase of (CdTe) with polycrystalline structure with a preferred orientation [111]. The optical measurement shows that the (CdTe)films have a direct energy gap, and they decrease with the increase of doping ratio reaching to 5% . The optical constants are investigated and calculated, such as absorption coefficient (α), refractive index (n) , extinction coefficient (k) and the dielectric constants (Є) with both parts real and imaginary for the wavelengths in the range (300-1100) nm, before and after doping processes.

تناول هذا البحث دراسة الخواص التركيبية والبصرية لأغشية تيليرايد الكادميوم(CdTe ) الرقيقة والمحضرة بطريقة التبخير الحراري بالفراغ ,وبسمك450±25)nm ) والمرسبة على قواعد من الزجاج بدرجة حرارة الغرفة (R.T) , دالة لتغير نسب التشويب بعنصر النحاس (Cu ) بالنسب (1,3,5 % ).لقد اظهرت نتائج الفحوصات التركيبية بحيود الأشعة السينية (X-ray ) ان تركيب الأغشية المحضرة هو من النوع المتعدد التبلور وبالاتجاه السائد[111] .ومن خلال القياسات البصرية تبين ان لأغشية تيليرايد الكادميوم فجوة طاقة مباشره تقل قيمتها بزيادة نسب التشويب وصولا للنسبة (5% ).حُسبت الثوابت البصرية مثل معامل الامتصاص (α),ومعامل الانكسار(n),ومعامل الخمود (k),وثابت العزل (ϵ) بجزأيه الحقيقي والخيالي ضمن الطول الموجي 300-1100) nm ) قبل عملية التشويبوبعدها.

Listing 1 - 3 of 3
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (3)


Language

Arabic and English (3)


Year
From To Submit

2015 (1)

2014 (2)