research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
The Effect of Grain Boundary on the electrical and photoelectrical characteristics of Au/p-Si Schottky Diode
تأثير كثافة حدود الحبيبات على الخواص الكهربائية والضوئية لثنائى شوتكى نوع Au/p-Si

Author: Dr. Khalid Khaleel Mohamed د. خالد خليل محمد
Journal: AL Rafdain Engineering Journal مجلة هندسة الرافدين ISSN: 18130526 Year: 2010 Volume: 18 Issue: 3 Pages: 10-18
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

AbstractThis paper is intended to study the influence of the grain boundaries on the electronic and optoelectronic behavior of Au/P-Si Schottky diode. These diodes were fabricated by evaporation of gold layers onto polycrystalline silicon wafers using vacuum evaporation technique. The current-voltage characteristics at different grains boundary and temperatures, spectral response were investigated. It is found that the Schottky barrier height for Au/P-Si diode obtained form I-V and spectral response characteristics are depends mainly on the surface grain boundary density and state density.Keyword: Grain Boundary, Au/p-Si, Schottky Diode.

ملخص البحثيهدف هذا البحث إلى دراسة تأثير طبيعة حجم حدود الحبيبات المكونة لسطح P-Si على الخواص الالكترونية والضوئية للثنائي شوتكيAu/Si-P. حيث تم تصنيع هذه الثنائيات عن طريق ترسيب طبقة من الذهب على سطح السليكون نوع P باستخدام تقنية التبخير الفراغي. تمت دراسة خواص فولتية تيار عند مختلف درجات الحرارة إضافة إلى دراسة الاستجابة الطيفية للثنائيات المصنعة. ووجد بأن ارتفاع حاجز شوتكي للثنائي Au/Si-P يعتمد بشكل كبير على كثافة الحبيبات وحجمها فى السطح.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2010 (1)