research centers


Search results: Found 5

Listing 1 - 5 of 5
Sort by

Article
Energy band diagram of In2O3/ Si heterojunction
مخطط حزمة الطاقة للمفرق الهجين In2O3 /Si

Author: Iftikhar M.Ali افتخار محمود علي
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2011 Volume: 8 Issue: 2عدد خاص بمؤتمر الفيزياء Pages: 581-587
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Crystalline In2O3 Thin films have been prepared by flash evaporation. We have studied the crystal structure of as deposited at 303K and annealed at 523K using X-ray diffraction. The Hall Effect measurements confirmed that electrons were predominant charges in the conduction process (i.e n-type).It is found that the absorption coefficient of the prepared films decreases with increasing Ta. The d.c conductivity study showed that the conductivity increase with increasing Ta , whereas the activation energy decreases with increasing Ta. Also we study the barrier tunneling diode for In2O3/Si heterostructure grown by Flash evaporation technique. (capacitance-voltage C-V) spectroscopy measurements were performed at 303 K and at the annealing temperature 523K. The built in voltage has been determined and it depends strongly on the annealing process of the heterojunction. From all above measurements we assumed an energy band diagram for In2O3 /Si(P-type) heterojunction.

تم تحضير أغشيةIn2O3 بطريقة التبخير الوميضي في الفراغ.ثم دراسةالتركيب البلوري للعينات كما تم ترسيبها (as-deposited) عند درجة حرارة 303K وتلك الملدنة عند درجة 523K . أظهرت فحوصات هول ان حاملات الشحنة السائدة هي الألكترونات وهذا يعني ان الأغشية كانت من النوع السالب. وجد ان معامل الامتصاص للاغشية المحضرة تقل بزيادة درجة حرارة التلدين من خلال دراسة التوصيليةالمستمرة وجد ان التوصيلية تزداد بزيادة درجة حرارة التلدين بينما طاقة التنشيط تقل بزيادة درجة حرارة التلدين . تم دراسة خواص (السعة-الفولتية)وخساب جهد البناء الداخلي لهذا المفرق حيث اظهرت النتائج ان جهد البناء الداخلي يعتمد بشكل كبير على المعالجةالحرارية للمفرق.ومن خلال جميع الحسابات المذكورة اعلاه تم افتراض موديل لمخطط طاقة التنشيط للمفرق الهجين المحضرIn2O3/p-Si.


Article
Band Diagram of p-PbTe/n-Si Heterostructure

Authors: R.A. Ismail --- W.K. Hamoudi --- Y.Z. Dawood
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2005 Volume: 1 Issue: 2 Pages: 27-30
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, the energy band diagram of p-PbTe/n-Si heterojunctions made by thermal evaporation of a polycrystalline PbTe layer deposited on a monocrystalline Silicon substrate is constructed. Based on I-V and C-V measurements, the band offsets ΔEC and ΔEV are found experimentally to be 270mV and 610mV respectively at 300K.


Article
Energy Band Diagram of NiO: Lu2 O3/n-Si heterojunction
NiO: Lu2 O3/Si مخطط حزم الطاقة للمفرق المتباين

Authors: Isam M. Ibrahim عصام محمد أبراهيم --- Abubaker S. Mohammed أبوبكر صبار محمد --- Asmiet Ramizy عصمت رمزي
Journal: Iraqi Journal of Science المجلة العراقية للعلوم ISSN: 00672904/23121637 Year: 2018 Volume: 58 Issue: 1B Pages: 287-293
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Crystalline NiO and doped with rare earth lutetium oxide (Lu2O3) at (6%wt)., have been prepared by pulsed laser deposition (PLD), The Q-switched Nd:YAG laser beam was incident at an angle of 45° on the target surface, and the energy of the laser was 500 mJ, wavelengths of 532nm, and frequency 6Hz. XRD pattern shows all doped and undoped films are polycrystalline, and cubic structure. The 200nm thin NiO showed an average optical energy band gap of 3.4eV, and increase with doping at 6% Lu2O3. The Hall Effect measurements confirmed that holes were predominant charges in the conduction process (i.e p-type). D.C conductivity measurements with temp-erature (T), show that the films prepared have the two activation energy increase with doping of Lu2O3. Capacitance-voltage (C-V) measurements were performed for films prepared, where the built in voltage has been determined and decreases in value when doping with the rare earth. In this study we assumed an energy band diagram for p-NiO /n-Si heterojunction.

تم تحضير أغشية أوكسيد النيكل البلوري المطعم بعنصر الليتتيوم النادر عند نسبة 6% بواسطة الترسيب بالليزر النبضي. وكان شعاع الليزر نيدميوم-ياك يسقط عند زاوية 45 درجة على سطح الهدف, طاقة ليزر 500mJ, طول موجي ,532nm وتردد .6Hz أنماط حيود الاشعة السينية بينت ان الأغشية المحضرة النقية والمطعمة متعددة التبلور وذات تركيب بلوري مكعبي .غشاء اوكسيد النيكل الرقيق ذا سمك 200 نانومتر يمتلك فجوة طاقة بصرية مقدارها 3.4 الكترون-فولت وتزداد قيمتها عند التطعيم بالعنصر Lu2O3 عند نسبة .%6 اكدت قياسات تأثير هول ان الفجوات هي الشحنات السائدة في عملية التوصيل اي انه موجب الشحنة. وضحت قياسات التوصيلية المستمرة ان الاغشية المحضرة تمتلك طاقتي تنشيط تزداد قيمتها عند التطعيم بالليتتيوم. تم اجراء قياسات سعة-جهد حيث تم تحديد جهد البناء الداخلي والذي تنخفض قيمته عند التطعيم بالعنصر النادر .في هذه الدراسة نفترض مخطط حزم الطاقة للمفرق المتباين p-NiO/n-S .


Article
Design Band Energy diagram of SnO2/CdS-CdTe Thin Film Heterojunction Using I-V and C-V Measurements
رسم مخطط الطاقة للمفرق الهجين للغشاء SnO2/CdS-CdTe الرقيق باستخدام قياسات تيار – جهد و سعة – جهد

Authors: Rasha A. Abdullah --- Mohammed. A. Razooqi --- Nada M. Saeed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 3 Part (B) Scientific Pages: 607-614
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

SnO2/CdS-CdTe heterojunction has been fabricated by thermal evaporation technique, 0.05 µm thicknesses of SnO2 nanostructure was evaporated as thin layer to be used as an antireflection and as transparent conducting oxide. The prepared cell has been annealed at 573K for 180 minutes. The general morphology of SnO2 films was imaged by using Atomic Force Microscope (AFM), the image shows that the average grain size of the prepared film is constructed from nanostructure of dimensions in order of 72 nm. There are two wide peaks were presents at the x-ray pattern which were refers to SnO2 and is in agreement with the literature of American Standard of Testing Materials (ASTM).The capacitance- voltage a measurement has studied at 102 Hz frequency, the capacitance- voltage measurements indicated that these cells are abrupt. The capacitance at zero bias, built in voltage, zero bias depletion region width and the carrier concentration have been calculated. The carrier transport mechanism for SnO2/CdS-CdTe heterojunction in dark is tunneling – recombination. The value of ideality factor is 1.56 and the reverse saturation current is 9.6×10-10A. Band energy lineup for SnO2/ n-CdS-p-CdTe heterojunction has been investigated by using I-V and C-V measurements.

تم تحضير المفرق الهجيني SnO2/CdS-CdTe بتقنية التبخير الفراغي الحراري,واستعمل غشاء من SnO2 ذو التركيب الناوي المحضر بسمك0.05 µm كطبقة شفافة ضد الانعكاسية , ثم تم تلدين المفرق المحضر بدرجة 573 مئوية ولمدة 180 دقيقة. تم فحص تركيب غشاء SnO2 باستخدام المجهر الالكتروني (AFM), وقد تبين بان الغشاء ذو تركيب نانوي بمعدل للحجم البلوري 72 نانومتر, ومن تحليل لنتائج فحوصات حيود الاشعة السينية تبين بالشكل عن وجود قمتين واسعة تشير للمادة المحضرة طبقا للمقاييس الامريكية لفحوصات المواد (ASTM) .تم دراسة قياسات سعة – جهد عند تردد 100 هرتز, و قد اشارت هذه القياسات الى ان تلك المفارق هي من النوع الحاد. و قد وجد ان قيمة السعة عند الانحياز الصفري و جهد البناء الداخلي قد تناقصا بعد عملية التلدين. بينما يزداد عرض منطقة النظوب للانحياز الصفري و تركيز الحاملات مع عملية التلدين. و كانت ميكانيكية انتقال الحاملات للمفرق الهجيني عند الظلام هي أنتفاق-اعادة اتحاد. و كانت قيمة عامل المثالية 1.56 و تيار الاشباع هي 9.6×10-10أمبير. و تم ايضا دراسة مخطط حزمة الطاقة عن طريق قياسات تيار – جهد و سعة – جهد.


Article
Simulation Effect of Ga2O3 layer thickness on CdTe solar cell by SCAPS-1D.
محاكاة تأثير سمك طبقة أوكسيد الكاليوم الثلاثي على خلايا تيلورايد كادميوم الشمسية باستخدام سكابس- ببعد واحد

Authors: Adnan Alwan Mouhammed عدنان علوان محمد عبدالله --- Ayed N. Saleh عايد نجم صالح
Journal: Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة ISSN: 18131662 Year: 2019 Volume: 24 Issue: 6 Pages: 110-116
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Loading...
Loading...
Abstract

The effect of Ga2O3 thickness on CdTe cells was studied using the SCAPS-1D simulator. The best solar cell efficiency (14.65%) was found at the thickness of the gallium oxide layer (1-10nm) and the cell efficiency (η) decrease with an increase in the thickness of the oxide layer and the decrease of the fill factor, thus decreasing the voltage current (I-V) and decreasing the current of the short circuit (Isc). The value of the open circuit voltage (VOC) is approximately constant and at 0.76V. The optical properties of the cell of quantitative efficiency are 86% and decrease within 18nm

تم دراسة تأثير سمك طبقة الحاجز Ga2O3 على خلايا تيلورايد الكادميومCdTe باستخدام محاكي SCAPS-1D وجد ان أفضل كفاءة للخلية الشمسية (14.65%)عند سمك طبقة أوكسيد الجاليوم تتراوح (1-10nm) ثم تبدى كفاءة الخلية (

Listing 1 - 5 of 5
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (5)


Language

English (5)


Year
From To Submit

2019 (1)

2018 (1)

2014 (1)

2011 (1)

2005 (1)