research centers


Search results: Found 4

Listing 1 - 4 of 4
Sort by

Article
Preparation and Study of Electrical Characteristics of (n-CdS/p-Ge) Thin-Film Heterojunction

Author: Ahmed Shukur Hameed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 9 Pages: 1701-1710
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

A thin film (400±5 nm) of Germanium was deposited on the slide glass, thenanother thin film (200±3 nm) of Cadmium Sulphide directly deposited on the Ge thinfilm, with high purity (99.999%) Aluminum metal was used as O’hmic contact on twosides of heterojunction (n-CdS/p-Ge) by vacuum thermal evaporation technique.From ideality factor (n) values, the current transporting mechanism in theheterojunction was explained, where three regions in I-V curve were appeared, that is tosay, three mechanism of current transportation through the manufactured heterojunctionin this research were eventually existed, the saturation current (IS) was found for eachregion at different temperature (100, 200, 300) K.Through C-V measurements we found built – in potential (Vbi), the donordensity (ND), the difference between Fermi level and conduction band (Ön), thedifference between Fermi level and valance band (Öp), the conduction and valence bandsdiscontinuity (DEC, DEV), and the depletion regions width (Xn, Xp) of heterojunction (n-CdS/p-Ge) of the frequencies (1, 0.5) MHz.

400 ) نانومتر من الجرمانيوم على شريحة زجاجية ومن ثم ± تم ترسيب غشاء رقيق ( 5 200 ) نانومتر من كبريتيد الكادميوم على غشاء الجرمانيوم مباشرة ، وقد ± ترسيب غشاء رقيق ( 3 أستخدم معدن الألمنيوم العا لي النقاوة (% 99.999 ) كإتصال أومي على طرفي المفرق الهجين بإستخدام تقنية التبخير الحراري في الفراغ. (n-CdS/p-Ge) فسرت آلية إنتقال التيار في المفرق الهجين حيث ظهرت (n) ومن خلال قيم عامل المثالية ثلاث مناطق في منحنى التيار – الفولتية مما يستدعي وجود ثلاث آليات إنتقال للتيار خلال المفرق لكل منطقة وعند درجات حرارية مختلفة (IS) المصنع في هذا البحث ، كما تم إيجاد تيار الإشباع 100,200,300 ) كلفن . ) وكثافة الشوائب المانحة (Vbi) من قياسات السعة – الفولتية فقد تم إيجاد جهد البناء الداخلي والفرق بين مستوى فيرمي وحافة (Φn) والفرق بين مستوى فيرمي وح افة حزمة التوصيل (ND) وعرض منطقتي (DEC, DEV) واللاإستمرارية في حزمتي التوصيل والتكافؤ (Φp) حزمة التكافؤ1) ميكاهيرتز. , للترددات ( 0.5 (n-CdS/p-Ge) للمفرق المتباين (Xn, Xp) النضوب


Article
Fabrication and Study Characteristics Of CdS/Si Heterojunction Detector by CBD Technique
تصنيع ودراسة خصائص كاشف المفرق الهجين CdS/Si بتقنية ترسيب بالحمام الكيماوي

Author: Hani H. Ahmed هاني هادي احمد
Journal: Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة ISSN: 18131662 Year: 2012 Volume: 17 Issue: 2 Pages: 169-175
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, fabrication and characterization detector CdS/Si heterojunction. The CdS thin film depositing on glass substrate and silicon Wafers by chemical bath deposition(CBD) technique. Structure of these films was characterized by X-ray diffraction ,which show that of CdS films deposited have polycrystalline structure cubic(zinc blende) and hexagonal (diamond) and the grain size is 45 nm . The optical properties were studied by transmission spectra where found that for CdS films have highly transmittance in visible region of spectrum and reach to more than 80 % with wide band gap of 2.44 eV is a promising material to be used in photovoltaic devices as solar cells and detectors .Electrical properties of CdS/Si heterojunction have been investigated. The I-V characteristics of under dark condition depict that good rectification behavior and exponential relationship for forward current biasing. The C-V measurements have shown that the heterojunction were of abrupt type and the build-in potential equal 1.75V. The optoelectronic characteristics shows the CdS/Si detector has good spectral responsivity in visible and NIR with higher peak responsivity at 800 nm were found 0.26 A/w .The maximum quantum efficiency was found to be (60%) at (800 nm) wavelength.

في هذا البحث تم تصنيع ودراسة خصائص كاشف المفرق الهجين نوع CdS/Si . إذا تم ترسيب غشاءCdS على أرضيات زجاجية و شرائح سليكونية بتقنية ترسيب الحمام الكيميائي(CBD ). الخواص التركيبة لهذه الأغشية شخصت باستخدام تقنية حيود الأشعة السينية(XRD) حيت بينت ان غشاءCdS يمتلك تركيبا" بلوريا" مكعبا" (خارصين) وسداسيا"(ماس) ومعدل الحجم الحبيبي (45)nm. الخواص البصرية درست باستخدام طيف النفاذية،حيث وجد إن غشاء CdS المرسب يمتلك نفاذية عالية في المنطقة المرئية من الطيف وتصل إلى أكثر من 80% مع فجوة طاقة عريضة 2.44eV التي تسمح للمادة في الاستخدام في الأجهزة الفوتوفولتائية كالخلايا الشمسية والكواشف. تم أيضا" تحليل الخصائص الكهربائية للمفرق الهجين CdS/Si . أظهرت نتائج خصائص( تيار- جهد) تحت شرط الظلام صفة التقويم والسلوك ألأسي لتيار الانحيازيين الأمامي والعكسي. بينت نتائج قياسات (سعة - جهد) ان المفرق المصنع هو من النوع الحاد(abrupt) وان جهد البناء الداخلي يساوي1.75 V. الخصائص الكهروبصرية بينت إن الكاشف CdS/Si يمتلك استجابية طيفية جيدة في المدى المرئي وتحت الحمراء القريبة من الطيف مع أعلى قمة للاستجابية عند الطول ألموجي800nm وجدت0.26A/w)).كما وجد إن أقصى كفاءة كمية كانت(60%) عند الطول ألموجي800 nm .


Article
Study of Optoelectronic Properties CdS-Si Heterojunction Prepared by Chemical Bath Deposition Method
دراسة الخصائص الكهروبصرية لمفرق هجيني نوع CdS-Si محضر بطريقة ترسيب بالحمام الكيميائي

Author: Hani H. Ahmed هاني هادي احمد
Journal: Journal of university of Anbar for Pure science مجلة جامعة الانبار للعلوم الصرفة ISSN: ISSN: 19918941 Year: 2012 Volume: 6 Issue: 3 Pages: 79-84
Publisher: University of Anbar جامعة الانبار

Loading...
Loading...
Abstract

CdS-Si heterojunction detector has been prepared by chemical bath deposition method . Structure properties of these films was characterized by X-ray diffraction .CdS films deposited have polycrystalline structure cubic(zinc blende) and hexagonal. The average grain size is 45 nm .The optical properties of the CdS films have highly transmittance in visible region of spectrum and reach to more than 80 % with a wide band gap of 2.44 eV .Electrical properties of CdS-Si heterojunction have been investigated. The I-V characteristics under dark condition depict that good rectification behavior and exponential relationship for forward current biasing. The C-V measurements have shown that the heterojunction were of abrupt type and the build-in potential equal to 1.75V. The optoelectronic characteristics shows that CdS-Si detector has good spectral responsivity in the visible and the near infrared and show high sensitivity, in comparison with the conventional p-n silicon detectors.

تم تحضير كاشف المفرق الهجين نوع CdS-Si بطريقة ترسيب الحمام الكيميائي . والخصائص التركيبة لهذه الأغشية شخصت باستخدام تقنية حيود الأشعة السينية(XRD) .وجد ان أغشية CdS تمتلك تركيبا" بلوريا" مكعبا"(خارصين) وسداسيا" .معدل الحجم الحبيبي 45nm. والخصائص البصرية بينت إن غشاء CdS المرسب يمتلك نفاذية عالية في المنطقة المرئية من الطيف وتصل إلى أكثر من 80% مع فجوة طاقة عريضة 2.44 eV .وتم أيضا" تحليل الخصائص الكهربائية للمفرق الهجين CdS-Si .وأظهرت نتائج خصائص( تيار- جهد) تحت شرط الظلام صفة التقويم والسلوك ألأسي لتيار الانحيازيين الأمامي والعكسي. بينت نتائج قياسات (سعة - جهد) ان المفرق المصنع هو من النوع الحاد وان الجهد البناء الداخلي يساوي الى 1.75 V.الخصائص الكهروبصرية بينت إن الكاشف CdS-Si يمتلك استجابية طيفية جيدة في المنطقة المرئية وتحت الحمراء القريبة من الطيف ويعطي استجابية طيفية عالية مقارنة مع الكواشف السليكونية التقليدية.


Article
Characterization of n-CdO:Mg /p-Si Heterojunction Dependence on Annealing Temperature
اعتماد خصائص المفرق الهجيه n-CdO:Mg /p-Si علي درجت حرارة التلذيه

Loading...
Loading...
Abstract

In this research, thin films of CdO: Mg and n-CdO: Mg/ p-Si heterojunction with thickness (500±50) nm have been deposited at R.T (300 K) by thermal evaporation technique. These samples have been annealed at different annealing temperatures (373 and 473) K for one hour. Structural, optical and electrical properties of {CdO: Mg (1%)} films deposited on glass substrate as a function of annealing temperature are studied in detail.The C-V measurement of n-CdO: Mg/ p-Si heterojunction (HJ) at frequency (100 KHz) at different annealing temperatures have shown that these HJ were of abrupt type and the built-in potential (Vbi) increase as the annealing temperature increases.The I-V characteristics of heterojunction prepared under dark case at different annealing temperatures show that the values of ideality factor and potential barrier height increase with the increase of annealing temperature.

حى ف هزا انبحث ححض شٍ اغش تٍ CdO: Mg انشق قٍت وان فًشق انهد n-CdO:Mg/p- Si وبس كً (500±50) nmػ ذُ دسخت حشاسة انغشفت 300 K) ( باسخؼ اًل حق تٍُ انخبخ شٍ انحشاسي. ونذ جَ ان اًُرج ن ذًة ساػت واحذة ػ ذُ دسخاث حشاسةحهذ يخخهفت . (373,473)K% حى دساست انخىاص انخشك بٍ تٍ وانبصش تٌ وانكهشبائ تٍ لاغش تٍ ) 1 (CdO: Mg وان شًسبت ػهى اسض اٍث ي انضخاج كذانتنذسخت حشاسة انخهذ بانخفص مٍ.اوضحج خَائح ق اٍساث C-V نه فًشق انهد n-CdO:Mg/p- Si ػ ذُ حشدد 100KHz وػ ذُ دسخاث حشاسة حهذ يخخهفت ا ان فًشق ي ان ىُع انحاد وا خهذ انب اُء انذاخه ضٌداد يغ ص اٌدة دسخت حشاسة انخهذ .ٌٍو اوضحج خصائض I-V ف حانت انظلاو نه فًشق انهد ان حًضش وػ ذُ دسخاث حشاسة حهذ يخخهفت ا كم ي ق ىٍ ػايمان ثًان تٍ واسحفاع حاخض اندهذ حضداد يغ ص اٌدة دسخت حشاسة انخهذ .ٌٍ

Listing 1 - 4 of 4
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (4)


Language

English (3)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2016 (1)

2012 (2)

2009 (1)