research centers


Search results: Found 44

Listing 1 - 10 of 44 << page
of 5
>>
Sort by

Article
Structural and electrical properties of CdO/porous Si heterojunction
دراسة الخصائص الكهربائية للمفرق الهجيني CdO/porous Si/c-Si المصنع بطريقة التنميش الكيميائي

Loading...
Loading...
Abstract

The electrical properties of CdO/porous Si/c-Si heterojunction prepared by deposition of CdO layer on porous silicon synthesized by electrochemical etching were studied. The structural, optical, and electrical properties of CdO (50:50) thin film prepared by rapid thermal oxidation were examined. X-ray diffraction (XRD) results confirmed formation of nanostructured silicon layer the full width half maximum (FWHM) was increased after etching. The dark J-V characteristics of the heterojunction showed strong dependence on etching current density and etching time. The ideality factor and saturation current of the heterojunction were calculated from J-V under forward bias. C-V measurements confirmed that the prepared heterojunctions are abrupt type .The value of built-in-potential as function of etching current density was estimated.

تم دراسة الخصائص الكهربائية للمفرق الهجيني من خلال ترسيب غشاء رقيق من اوكسيد الكادميوم على السليكون المسامي المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي. تم دراسة الخصائص التركيبية والبصرية والكهربائية لغشاء اوكسيد الكادميوم المحضر بطريقة الاكسدة الحرارية السريعة.لقد اثبتت نتائج حيود الاشعة السينية ان السليكون المعالج كهروكيميائيا هو من النوع النانوي.اوضحت النتائج العملية ان خصائص تيار-جهد في حالة الظلام اعتمدت بشكل كبير على كثافة تيار وزمن التنميش الكهروكيميائي.مقدار عامل المثالية وتيار الاشباع كدالة لكثافة تيار التنميش تم حسابها من خصائص تيار–جهد في حالة الانحياز الامامي. لقد اوضحت خصائص سعة – جهد ان المفارق الهجينة هي من النوع الحاد وتم حساب جهد البناء الداخلي كدالة لظروف التحضير.


Article
FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF HIGH EFFICIENTCd O/SI PHOTOVOLTAIC SOLAR CELLS

Author: Khalid Z. Yahiya
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2008 Volume: 11 Issue: 1 Pages: 56-58
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, CdO/Si heterojunction solar cell has been made by vacuum evaporation of CdO thin film onto monocrystalline silicon substrate. XRD was investigated, the transmission was determined in range (400-1000)nm and the direct band gap energy is 2.5 eV, I-V characterization of the cell under illumination was investigated , the cell shows an open circuit voltage (VOC) of 0.4 V, a short circuit current density (JSC) of 40 mA/cm2, a fill factor (FF) of 0.34, and a conversion efficiency (η) of 5.5%.

في هذا البحث ، تم تصنيع خلايا شمسية هجينة نوع CdO/Si وذلك بتبخير أغشية CdO الرقيقة على قواعد سليكونية أحادية البلورة . تم دراسة البناء البلوري للغشاء بواسطة حيود الأشعة السينية وتم دراسة النفاذية للمدى (400-1000)nm تم حساب فجوة الطاقة المباشرة وتساوي (2.5)eV وتم دراسة القياسات تيار-جهد في حالة الإضاءة أبدت الخلية أداء فولطائي جيد حيث أن تيار دائرة القصر (40)mA/cm2 وان فولتية الدائرة المفتوحة (0.4)V وبكفاءة تحويل 5.5% وعامل ملئ 0.34 .


Article
Photovoltaic Properties of CdO/Porous Si Heterojunction Photodetector.

Authors: Nadir F. Habubi --- Raid A. Ismail --- Abdullah M. Ali
Journal: Journal of College of Education مجلة كلية التربية ISSN: 18120380 Year: 2012 Issue: 3 Pages: 11-31
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

CdO/porous Si heterojunction photodetector have been fabricated by rapid thermal oxidation (RTO) of Cd on porous has been presented. The electrical and photovoltaic properties of this structure have been studied. The electrochemical etching process has been used as a technique to control the porosity of silicon wafer by controlling the time of etching in the range (600s-2400s). The results revealed that all our detector parameters are highly dependant on etching time. The minimum value of ideality factor was 1.28 for the detectors prepared with etching current density of 40mA/cm2 for 600s. The results of quantum efficiency showed that these detectors had two depletion regions, the first one between CdO film and porous silicon layer, the second between the latter and the crystalline silicon. The first peak of quantum efficiency curve was 77% at wavelength 550nm while the second one was 88% at 700nm. The maximum specific detectivity was at wavelength 550nm for the detectors fabricated with etching current density 40mA/cm2 and etching time 2400s. All the detectors are working on the spectrum region 400-700nm. The maximum Isc and Voc were 19A, 0.28mV respectively for the detectors fabricated with etching current density 40mA/cm2 and etching time 1200s.

تم تصنيع كاشف ألمفرق ألهجين نوع (CdO/Porous Si/Si/Al) بطريقة ألأكسدة ألحرارية ألسريعة(Rapid Thermal Oxidation) وذلك من خلال ترسيب أغشية CdO على ألسليكون ألمسامي نوع p- بالطريقة ألمذكورة آنفاً.تم دراسة ألخصائص ألكهربائية وألفولطائية ألضؤئية للكاشف ألمحضر على قواعد سليكونية مسامية. استخدمت عملية ألتنميش ألكهروكيميائية للتحكم بمسامية الشرائح السليكونية من خلال السيطرة على زمن التنميش ضمن المدى الزمني .(600s-2400s) أوضحت ألنتائج أن جميع معلمات ألكواشف ألمصنعة تعتمد بشكل كبير على مقدار زمن ألتنميش (Etching time) للقواعد ألسليكونية ضمن المدى المستخدم. أن أقل عامل مثالية كان 1.28للكواشف ألمصنعة بكثافة تيار تنميش40mA/cm2 وزمن تنميش 600s . لقد أظهرت نتائج ألكفاءة ألكمية أن الكواشف ألمصنعة تمتلك منطقتي نضوب الاولى ما بين غشاء CdO والسليكون ألمسامي والثانية ما بين طبقة السليكون المسامي والسليكون البلوري حيث أن القمة الاولى تقع عند الطول الموجي(550nm ) والثانية عند الطول الموجي (700 nm) حيث مقدار الكفاءة الكمية للقمة الاولى كان ) (88% ومقدارها للقمة الثانية كان ) .(77% أعلى قيمة للكشفية كانت عند الطول الموجي(550nm) . وكان مقدارها 87للكاشف المصنع بكثافة تيار 40mA/cm2 وزمن تنميش 2400s . أوضحت النتائج أن الكواشف المصنعة تعمل للمنطقة الطيفية (400-700nm). جرى قياس كل من تيار دائرة ألقصر وفولتية دائرة ألفتح ووجد بأن أكبر قيمة لهما كانتا 19A و0.28mV على ألتتالي للكاشف ألمصنع بكثافة تيار تنميش40mA/cm2 وزمن تنميش 1200s . أجريت دراسة ألخصائص ألكهربائية والفولتائية ألضوئية والتركيبية لهذا ألكاشف بدرجة حرارة ألمختبر وتبين من خلال خواص (تيار-جهد) بأن ألكاشف غيرمتماثل ألسلوك، وأوجدنا قيمة ألمقاومة ألسطحية RS للكاشف،عامل ألخطية وتم ألحصول على كفاءة كمية بمدى (88%-66%) وبكشفية 76x1011 cm. Hz1/2 W-1 عند ألطول ألموجي nm) 550(.


Article
The Preparation and Studying The Electronic Transition for Cadmium Oxide Thin Film dopped with Magnesium
دراسة وتحضير الانتقالات الالكترونية لاغشية اوكسيد الكادميوم المشوب بالمغنيسيوم

Author: Haidar Gazy Lazim and Khalid I. Ajeel حيدر غازي لازم و خالد ابراهيم عجيل
Journal: Journal of Basrah Researches (Sciences) مجلة ابحاث البصرة ( العلميات) ISSN: 18172695 Year: 2013 Volume: 39 Issue: 2B Pages: 1-14
Publisher: Basrah University جامعة البصرة

Loading...
Loading...
Abstract

The aim of the research is studying the effect of doping with magnesium with ratios (1,3,5 and 7 %) on the structure and on the electronic transitions in the CdO thin films with thickness 150 nm, which are prepared by Chemical deposition method on glass substrates heated to 400 oC. The prepared films were examined by X-Ray diffraction technique , which showed that all prepared films are polycrystalline . The absorption cofficient , and the direct energy gap were calculated . It has been found that the absorption cofficient increaseas the percentage of dopants increases, and the optical energy gap decreases as the percentage of dopantsincreases.

هدف البحث هو دراسة تأثير التطعيم بالمغنيسيوم بالنسب( %1,3,5,7)على الخواص التركيبية والإنتقالات الإلكترونية لأغشية أوكسيد الكادميوم, حيث حضرت هذه الأغشية بسمك (150nm) على قواعد من الزجاج بدرجة حرارة (4000C) بأستخدام طريقة التحلل الكيميائي الحراري (CSP) . تم فحص طبيعة التبلور للأغشية المحضرة من خلال تقنية حيود الأشعة السينية والتي بينت بأن تركيب الأغشية المحضرة هو متعدد التبلور , وكذلك تم حساب معامل الأمتصاص وفجوة الطاقة البصرية للأغشية المحضرة , وقد وجد أن معامل الأمتصاص يزدادمع زيادة نسب التطعيم وأن فجوة الطاقة تقل بأزدياد نسب التطعيم .


Article
Physical Properties of Cdo Thin Films Prepared by Spray Pyrolysis Technique
الخصائص الفيزيائية لغشاء اوكسيد الكادميوم الرقيق المحضر بطريقة الرش الكيميائي

Author: Douaa sulayman Jbaier
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 2 Part (B) Scientific Pages: 185-193
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper CdO films of 3.8 μm thickness were deposited onto glass and Si-wafer substrates by spray pyrolysis technique at 250oC temperature. The structure, optical and electrical properties were investigated. The structure of the films were studied by X-ray diffraction have polycrystalline structure with (111) preferential orientation. The films have good transmittances in visible and NIRregion, with direct optical band gap (2.5eV).The electrical conductivity was measured as function of temperature and theactivation energy was about(0.155and 0.241) eV.The electrical characterization of CdO/Si hetrojunction diode was investigated by current –voltage studied.The reverse current strongly increased with illumination intensity and voltage bias.

في هذا البحث تم ترسيب اغشية اوكسيد الكادميوم بسمك 3.8 مايكرومتر على قواعد الزجاج والسيليكون بطريقة الرش الكيميائي عند درجة حرارة 250 درجة سيليزية . واختبرت الخصائص البصرية التركيبية والكهربائية للاغشية المحضرة اذ اظهرت الدراسة بأن الغشاء يمتلك نفاذية جيدة عند المنطقة المرئية والمنطقة تحت الحمراء القريبة وانه يمتلك فجوة طاقة Eg = 2.5 eV . وقد قيست التوصيلية الكهربائية كدالة لدرجة الحرارة وتبين انها تمتلك طاقتي تنشيط 0.155 eVو0.241 eV واختبرت الخصائص الكهربائية لثنائي الوصلة الهجين CdO/Si من قياس خصائص تيار – جهد وجد ان تيار الاضاءة يزداد بقوة مع شدة الاضاءة الساقطة وجهد الانحياز.


Article
Nanostructure Cadmium Oxide Thin Film Prepared by Vacuum Evaporation Thermal Technique
اغشية اوكسيد الكادميوم ذات التركيب النانوي المحضرة بتقنية التبخيرالحراري بالفراغ

Author: Wafaa K.Khale
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 5 Part (B) Scientific Pages: 1009-1018
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Cadmium Oxide films have been prepared by vacuum evaporation technique on a glass substrate at room temperature. Structural optical and morphological properties of the films are studied at different oxidation temperatures (573 To 773) K, for the thickness (300) nm at 30 mint. XRD pattern confirm the films shows the polycrystalline nature of the film with preferential orientation along (111) plane. The film deposited with higher oxidation temperatures shows higher transmittance compared to others. Direct energy band gap of CdO thin film increases with increases of oxidation temperature. From AFM measurement, the average grain size is in the range of nanometer and it shows the faceted columnar microstructure of the film is perpendicular to the surface.

تم تحضير اغشية اوكسيد الكادميوم بواسطة بواسطة تقنية التبخير بالفراغ على قواعد زجاجية بدرجة حرارة الغرفة .الخصائص التركيبية ,البصرية والسطحية للاغشية المحضرة شخصت بدرجات حراريه مختلفة ( 573الى 773 ) كلفن عند سمك غشاء (300) نانوميتر . تقنية حيود الاشعة السينية شخصت اغشية اوكسيد الكادميوم بمتعدد البلورات وذو اتجاهية مفضلة ( 111). لقد وجد ان الاغشية الموكسدة عند درجات حرارةعالية تمتلك اعلى نفاذية ,اضافة الى ذلك قيمة فجوة الطاقة تزداد مع زيادة درجة حرارة الاكسدة .من خلال قياس مجهر القوه الذري وجد ان ابعاد جسيمات الغشاء بالنانوميترو ذات بنية الاعمدة المايكروية العمودية على سطح الغشاء .


Article
Annealing Effect on the Optical Properties of (CdO)1-x (Mg)x Thin Films
تأثير المعاملة الحرارية على الخصائص البصرية لأغشية (CdO)1-x (Mg)x الرقيقة

Author: Hadi Ahmed Hussin
Journal: journal of the college of basic education مجلة كلية التربية الاساسية ISSN: 18157467(print) 27068536(online) Year: 2014 Volume: 20 Issue: 84 / علمي Pages: 939-946
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

(CdO)1-x (Mg)x thin films with (x = 0.06) deposited on perheated glass substrates at temperature 350°C by chemical spray pyrolysis technique. We have studied the effect of annealing temperature at (400, 450) °C. Optical absorption studies in the wavelength range 300–900 nm in order to calculate the optical constants such as refractive index, extinction coefficient, real and imaginary parts of dielectric constant. Results illustrate that the refractive index decreased at 600 nm while the extinction coefficient slightly increases after annealing, on the other hand, the values of real and imaginary parts of the dielectric are found to be decreases with increasing annealing. The skin depth is found to be decreases as the annealing temperature increased to 450 °C, so the skin depth is a transmittance related.

حضرت أغشية (CdO)1-x (Mg)x الرقيقة وبنسبة (x = 0.06) المرسبة على قواعد زجاجية مسخنة لدرجة حرارة 350 مئوية بطريقة التحلل الكيمياوي الحراري. درس تأثير التلدين وبدرجة حرارة 400 و450 درجه مئوية. تم دراسة طيف الامتصاصية في مدى الأطوال الموجية (900-300) نانومتر وذلك لغرض حساب الثوابت البصرية مثل معامل الانكسار، معامل الخمود، ثابت العزل بجزئية الحقيقي والخيالي. أوضحت النتائج بأن معامل الانكسار يقل عند الاطوال الموجية 600 نانومتر ومعامل الخمود يزداد بعد التلدين, بينما ثابت العزل بجزئية الحقيقي والخيالي وكذلك عمق القشرة جميعها تقل بزيادة درجة حرارة التلدين الى 400 درجه مئوية.


Article
Influence of substrates on the properties of cerium -doped CdO nanocrystalline thin films
تأثير قواعد الترسيب على خصائص اغشية اوكسيد الكادميوم النانوية CdO الرقيقة المشوبة بالسيريوم Ce

Loading...
Loading...
Abstract

Transparent thin films of CdO:Ce has been deposited on to glass and silicon substrates by spray pyrolysis technique for various concentrations of cerium (2, 4, and 6 Vol.%). CdO:Ce films were characterized using different techniques such as X-ray diffraction (XRD), atomic force microscopy(AFM) and optical properties. XRD analysis show that CdO films exhibit cubic crystal structure with (1 1 1) preferred orientation and the intensity of the peak increases with increasing's of Ce contain when deposited films on glass substrate, while for silicon substrate, the intensity of peaks decreases, the results reveal that the grain size of the prepared thin film is approximately (73.75-109.88) nm various with increased of cerium content. With a surface roughness of (0.871–16.2) nm as well as root mean square of (1.06-19.7) nm for glass substrate, while for silicon (84.79-107.48) nm, for a pure CdO and doped with Ce (2, 4, and 6 Vol.%). The 300-nm-thin CdO films showed that the optical energy band gap equal 2.6 eV, and increases with increasing doping until reaches a maximum value of 3.25 eV when doping levels 6 Vol.%.

تم ترسيب الاغشية الرقيقة الشفافة لـ CdO المشوبة بالسيريوم Ce على قواعد الزجاج والسيليكون بتقنية التحلل الكيميائي الحراري, وبنسب التشويب مختلفة مع السيريوم وكانت 2, 4, and 6 Vol.%)). تم التعرف على خصائص الاغشية باستخدام تقنية حيود الأشعة السينية (XRD) ومجهر القوى الذرية (AFM) وكذلك الخصائص البصرية. وبينت فحوصات حيود الاشعة السينية ان اغشية اوكسيد الكادميوم تمتلك تركيب بلوري مكعبي وباتجاه مفضل (111), وان شدة القمم تزداد مع زيادة تركيز السيريوم عند الترسيب على قواعد الزجاج, اما في حالة الترسيب على قواعد السليكون فان شدة القمم تقل. ومن خلال فحوصات مجهر القوى الذرية في حالة الترسيب على قواعد الزجاج وجد ان الحجم الحبيبي للأغشية المحضرة هي (73.75-109.88) nm, وان الخشونة السطحية هي تقريبا (0.871–16.2) nm وان (RMS) هو (1.06-19.7) nm, اما في حالة الترسيب على قواعد السيليكون تبين ان الحجم الحبيبي هو (84.79-107.48) nm للاغشية النقية والمشوبة. بينت الفحوصات البصرية ان الاغشية ذات سمك (300 nm) وتمتلك فجوة طاقة بصرية ((2.6 eV وان هذه القيمة تزداد مع زيادة نسب التشويب لتصل الى اعظم قيمة لها (3.25 eV) عند نسبة تشويب 6 Vol.%.


Article
Influence of Substrate Temperature On Optical Properties of CdO Thin Films

Authors: Gailan Asad Kazem --- Ziad Tariq Khodair --- Mustafa Husam Saeed
Journal: journal of the college of basic education مجلة كلية التربية الاساسية ISSN: 18157467(print) 27068536(online) Year: 2012 Volume: 18 Issue: 73 / ملحق Pages: 135-146
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

CdO thin films have been prepared utilizing chemical spray pyrolysis technique. Absorbance and transmittance spectra have been recorded in order to study the reflectance, kind of transition ,extinction coefficient refractive index and dielectric Constant in real and imagery parts, all as a function of substrate temperature. It was found that all the investigated parameters affect by Substrate temperature.

حضرت أغشية رقيقة من اوكسيد الكادميوم باستخدام تقنية التحلل الكيميائي الحراري. سجل طيف الامتصاصية والنفاذية وذلك لغرض دراسة الانعكاسية, نوع الانتقال, معامل الخمود, معامل الانكسار وثابت العزل بجزئه الحقيقي والخيالي . كل هذه المعلمات كدالة لدرجة حرارة الأساس. لقد وجد بأن جميع المعلمات قيد الدراسة قد تأثرت بدرجة حرارة الأساس.


Article
Effect of thickness on some optical properties of Spray pyrolysed Cdo thin films
تأثير سمك أغشية أوكسيد الكادميوم CdO)) على الخواص البصرية لهذه الاغشية

Authors: Ziyad.T. Khodyar --- Lena B. Yaqo --- Zuhair H. Jawad
Journal: Diyala Journal For Pure Science مجلة ديالى للعلوم الصرفة ISSN: 83732222 25189255 Year: 2010 Volume: 6 Issue: 1 Pages: 79-88
Publisher: Diyala University جامعة ديالى

Loading...
Loading...
Abstract

In this research, the study of some optical properties such as, (reflectance, refractive index and dielectric constant in its two parts) were calculated of cadmium oxide thin films prepared by the chemical spray paralysis and precipitated on glass substrates heated to (723K), also, the study of the effect of thickness on these properties.

تم في هذا البحث دراسة وحساب بعض الخواص البصرية المتمثلة بـ (الانعكاسية، معامل الانكسار، معامل الخمود وثابت العزل الكهربائي بجزيئه الحقيقي والخيالي) لأغشية أوكسيد الكادميوم(CdO) المحضرة بطريقة الترسيب الكيميائي الحراري والمرسبة على قواعد ساخنة من الزجاج بدرجة حرارة (723K)، وتأثير السمك على تلك الخواص.

Listing 1 - 10 of 44 << page
of 5
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (44)


Language

English (31)

Arabic (8)

Arabic and English (5)


Year
From To Submit

2019 (1)

2018 (7)

2017 (4)

2016 (1)

2015 (5)

More...