research centers


Search results: Found 3

Listing 1 - 3 of 3
Sort by

Article
The Effect of γ-Irradiation on the Structural and Physical Properties of CdSe Thin Films
تأثير تشعيع γ على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية CdSe الرقيقة

Authors: Nawfal Y. Jamil نوفل يوسف جميل --- Suha A. Najim سهى عبد الله نجم --- Abid Al-karem M. Muhammed عبد الكريم مخلف محمد
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2014 Volume: 25 Issue: 3E Pages: 90-98
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

Thin film of CdSe has been deposited on to the clean glass substrate by using CBD technique at room temperature. The samples are irradiated by γ-ray with various doses (0.25,0.5,1.0,1.5) Gy. These films are characterized by XRD, which indicated that as-deposited CdSe layers and irradiated films at 0.25 and 0.5 Gy of γ- ray grow in cubic phase having preferred orientation along (111) plane in c-direction. Further, the irradiated films at 1.0 and 1.5 Gy of γ- ray show polycrystalline in nature with a mixture of cubic along with hexagonal structures. Optical absorption spectra of these thin films have been recorded using spectrophotometer. The energy band gap has been determined using these spectra. It is found that the energy band gap of CdSe film is 2.09 eV and it is increased with the increase of γ- irradiation dose. The electrical conductivity measurements gave a decrease in conductivity with the increase of γ- irradiation dose.

رُسبت أغشية CdSe الرقيقة على أرضية نظيفة من الزجاج باستخدام تقنية الترسيب بالحمام الكيميائي Chemical Bath Deposition CBD)) عند درجة حرارة الغرفة. العينات تم تشعيعها بواسطة أشعة γ عند جرعات مختلفة Gy(1.5,1.0,0.5,0.25). هذه الأغشية تم وصفها بواسطة XRD التي تشير إلى أن طبقات أغشية CdSe الرقيقة المرسبة والمشععة عند 0.25 و0.5 كراي لأشعة γ تنمو في الطور المكعبي وبالاتجاه المفضل عند المستوي (111) وبالاتجاه العمودي c. الأغشية المشععة عند 1.0و1.5 كراي لأشعة γ تبين أنها متعددة البلورات في طبيعتها وخليط من التراكيب المكعبة والسداسية. طيف الامتصاص البصري لهذه الأغشية الرقيقة تم تحليله باستخدام المطياف. فجوة الطاقة تم تحديدها بهذا الطيف. ووجد أن فجوة الطاقة لغشاء CdSe 2.09 الكترون فولت وتزداد بزيادة جرعة تشعيع γ. القياسات الكهربائية للتوصيلية أعطت نقصاناً في التوصيلية مع زيادة جرعة تشعيع γ.


Article
The structure and optical properties of CdSe:Cu Thin Films
الخواص التركيبية والبصرية للأغشيةالرقيقة CdSe:Cu

Authors: Ikbal S. Naji اقبال سهام ناجي --- Tariq. J. Alwan طارق جعفر علوان --- Eman M.N.Al-Fawadi ايمان مزهر ناصر الفوادي
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2009 Volume: 6 Issue: 1 Pages: 141-149
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

A polycrystalline CdSe thin films doped with (5wt%) of Cu was fabricated using vacuum evaporation technique in the substrate temperature range(Ts=RT-250)oC on glass substrates of the thickness(0.8μm). The structure of these films are determined by X-ray diffraction (XRD). The X-ray diffraction studies shows that the structure is polycrystalline with hexagonal structure, and there are strong peaks at the direction (200) at (Ts=RT-150) oC, while at higher substrate temperature(Ts=150-250) oC the structure is single crystal. The optical properties as a function of Ts were studied. The absorption, transmission, and reflection has been studied, The optical energy gap (Eg)increases with increase of substrate temperature from (1.65-1.84)eV due to improvement in the structure. The amorphousity of the films decreases with increasing Ts. The films have direct energy gap and the absorption edge was shift slightly towards smaller wavelength for CdSe:Cu thin film with increase of substrate temperature.it was found that the absorption coefficient was decreased with increasing of substrate temperature due to increases the value of(Eg). The CdSe:Cu films showed absorption coefficient in the range (0.94 x104-0.42x104)cm-1at Ts=RT-250 oC. Also the density of state decreases with increasing of substrate temperatures from (0.20-0.07)eV, it is possibly due to the recrystallization by the heating substrate temperatures.. Also the extinction coefficient, refractive index and dielectric constant have been studied.

حضرت الأغشية الرقيقة CdSe:Cu المتعددة البلورات والمطعمة بالنحاس بنسبة (5wt%) بأستعمال تقنية التيخير الفراغي بمدى درجة حرارة اساس (Ts=RT-250)oC على قواعد زجاجية. حدد تركيب تلك الاغشية بواسطة الفحص بالأشعة السينية (XRD) . بينت دراسات حيود الاشعة السينية بان التركيب يكون من النوع المتعدد البلورات السداسي, وهناك قمة قوية بالاتجاه (200) عند(Ts=RT-250) oC بينما عند درجات حرارة الأساس العالية(Ts=150-250) oC يتحول التركيب الى البلورة المفردة . درست الخصائص البصرية كدالة لدرجة حرارة الأساس(Ts) ودرست النفاذية والأمتصاصية والأنعكاسية. فجوة الطاقة تزداد بزيادة درجة حرارة الأساس من(1.65-1.84)eV وتقل العشوائية نتيجة للتحسن بالتركيب البلوري. تمتلك الأغشية فجوة طاقة مباشرة و تزاح حافة الأمتصاص بأتجاه الأطوال الموجية القصيرة لأغشية CdSe:Cu بزيادة درجة حرارة الأساس وجد بأن معامل الأمتصاص يقل بزيادة درجة حرارة الأساس من(0.94 x104-0.42x104)cm-1at Ts=RT-250 oC, كذلك تقل كثافة الحالات بزيادة درجة حرارة الأساس (0.20-0.07)eV ذلك نتيجة لاعادة التبلور بواسطة التسخين بدرجة حرارة الأساس..كذلك درس معامل الخمود ومعامل الأنكسار وثوابت العزل كدالة لدرجة حرارة الأساس .


Article
Effect of Annealing Temperature and Thickness on the Structural and Optical Properties of CdSeThin Films
ثأثير درجة حرارة التلدين والسمك في الخصائص التركيبية والبصرية لأغشية CdSe الرقيقة

Author: Hanaa I. M. Abdullah هناء إبراهيم محمد عبد الله
Journal: Ibn Al-Haitham Journal For Pure And Applied Science مجلة ابن الهيثم للعلوم الصرفة والتطبيقية ISSN: 16094042 Year: 2015 Volume: 28 Issue: 1 Pages: 43-53
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

CdSe alloy has been prepared successfully from its high purity elements. Thin films of thisalloy with different thicknesses (300,700)nm have been grown on glass substrates at roomtemperature under very low pressure (10-5)Torr with rate of deposition (1.7)nm/sec bythermal evaporation technique, after that these thin films have been heat treated under lowpressure (10-2)Torr at (473,673)K for one hour. X-ray patterns showed that both CdSe alloyand thin films are polycrystalline and have the hexagonal structure with preferentialorientation in the [100] and [002] direction respectively. The optical measurements indicatedthat CdSe thin films have allowed direct optical energy band gap, and it increases from (1.77-1.84) eV and from (1.6-1.65)eV with the increase in temperature from (R.T-673)K forthicknesses. (300,700)nm, respectively. The optical constants (refractive index, extinctioncoefficient and the real, imaginary parts of dielectric constant) were also studie

حضرت سـبيـكة CdSeبنـجاح من عناصرها عالـية النقـاوه. ورسـبت الأغـشيـة الرقـيقـة لهذه السبـيكة بأسماك مخـتـلفة (300,700)nm على ارضيـات زجاجـيـة بـدرجـة حرارة الغـرفة وتحت ضغط واطئ جدا 10-5)Torr) بمعدل تبخير (1.7)nm/sec بواسطة تقانة التبخير الحراري ، وبعد ذلك تمت معاملة الأغشيه حراريا تحت ضغط واطئ(10-2) Torr عند درجات حرارة (473,673)K لمدة سـاعـة. أظـهرت فحوصات الاشعة السـينيـة بأن كلاً من السبـيـكـة والأغــشـية المحضرة هي متـعـددة البـلورات, وانـها تـمتلـك التـركـيـب السـداســي بـتـوجـيـه مـفـضـل بالاتـجـاه [100],][002 على التـوالـي.وبـينـت القيـاسـات البـصـرية لأغـشـية CdSe أنـها تــمتـلك فجـوة طاقـة بصرية مبـــاشـــره تـزداد مـــن(1.77- 1.84)eV ومــــن(1.6 -1.65)eV بــــزيـــادة درجـــــة الحــــرارة مــــــــن (R.T- 673)K لـلأســمــاك (300,700)nm علــــى التــــوالي. كما دُرست الثوابت البصرية (معامل الانكسار ومعامل الخمود,وثابت العزل بجزأيه الحقيقي والخيالي).

Listing 1 - 3 of 3
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (3)


Language

English (2)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2015 (1)

2014 (1)

2009 (1)