research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Nanostructure NiO films prepared by PLD and their optoelectronic properties
اغشية اوكسيد النيكل النانوية المحضرة بطريقة الترسيب بالليزر النبضي وخصائصها الكهروبصرية

Authors: Doaa S. Jbaier --- Jehan A. Simon --- Khawla S. Khashan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 5 Part (B) Scientific Pages: 951-959
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

NiO thin films have compounded by pulsed laser deposition on glass and silicon (111) substrates, employing Q-switching Nd:YAG laser. Structure, grain size and optical properties have analyzed by using FTIR, AFM and UV-VIS spectroscopy. FTIR spectra conformed of NiO bonding. AFM images show the particle size about ~66nm. The optical transmission results premiered the transparency of the NiO films is greater than 70% in the visible region with optical band gap 3.85eV. The current voltage characterization of NiO/Si heterojunction has good rectifying.

اغشية اوكسيد النيكل الرقيقة تم تحضيرها بواسطة الترسيب بالليزر النبضي على قواعد من الزجاج والسيليكون ذي الاتجاهية (111)، باستخدام ليزر النديميوم ياك بتقنية عامل النوعية. التركيب، الحجم الحبيبي والخصائص البصرية تم تحليلها باستخدام تحليلات فورير للاشعة تحت الحمراء(FTIR)، مجهر القوة الذرية والتحليل الطيفي للاشعة المرئية وفوق البنفسجية. اظهرت نتائج طيف (FTIR) وجود اصرة اوكسيد النيكل وبينت صورمجهر القوة الذرية ان الحجم الحبيبي حوالي 66 نانومتر. واظهرت الاغشية نفاذية عالية اكبر من 70% للمنطقة المرئية وبفجوة طاقة 3.85 الكترون فولت. خصائص تيار – جهد للثنائي NiO/Si تمتلك تقويم جيد.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2015 (1)