research centers


Search results: Found 3

Listing 1 - 3 of 3
Sort by

Article
CuInS2 Ternary Compound as Absorption Layer for Solar Cell Fabrication
استخدام مركبات CuInS2 كطبقة ماصة في تصنيع الخلايا الشمسية

Authors: N. K. Kasim نصير كريم قاسم --- M. Sh. Essa محمد شعلان عيسى --- B. T. Chiad بهاء طعمة جياد
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2009 Volume: 7 Issue: 8 Pages: 99-103
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Copper indium disulphide, CuInS2, is a promising absorber material for thin film photovoltaic which has recently attracted considerable attention due to its suitability to reach high efficiency solar cells by using low cost techniques. In this work CuInS2 thin films have been deposited by chemical spray pyrolysis onto glass substrates at ambient atmosphere, using different [Cu]/[In] ratio in the aqueous solutions at substrate temperature 3000C and different annealing temperatures . Structural and optical properties of CIS films were analyzed by X-ray diffraction, and optical spectroscopy. Sprayed CIS films are polycrystalline with a chalcopyrite structure with a preferential orientation along the 112 direction and no remains of oxides in higher ratio were found after spraying in suitable conditions. X-ray microanalysis shows that a chemical composition near to stoichiometry can be obtained. An optical properties showed this material have a direct band gap and the energy band in the range of about 1.4 -1.61 eV at different ratio was found for sprayed CIS thin films.

تعد مركبات CuInS2 من المركبات عالية الامتصاص وبكفاءة جيدة وبالتالي يمكن استخدامها للتطبيقات الفوتائية والخلايا الشمسية اضافة الى كونها رخيصة الثمن مقارنة بالمركبات الاخرى.في هذه الدراسة استخدمت مركبات CuInS2 ورشت بالطريقة الكيمياوية على شرائح من الزجاج عند ظروف الضغط الجوي ودرجة حرارة الغرفة 300±5K وباعتماد نسب مختلفة من Cu/In ودرجات تلدين مختلفة.المواصفات التركيبية لمركبات CIS المحضرة درست باعتماد منظومات حيود الاشعة السينية والمطاييف البصرية، وتبين ان الافلام المحضرة هي من نوع بلوري متعدد بتركيب جالكوبايريت وباتجاه بلوري عام (112).ان فجوة الطاقة لهذه المركبات المحضرة تبين انها مباشرة بحزمة طاقة بحدود (1.4–1.61)eV لجميع الافلام المحضرة من CIS.


Article
Electrochemical deposition of CuInS2 thin films
الترسيب الكهروكيميائي لأغشية CuInS2 الرقيقة

Authors: Muhammad O. Salman محمد عودة سلمان --- Salma M.Shaban سلمى مهدي شعبان --- Mahdi H.Suhail مهدي حسن سهيل
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2011 Volume: 9 Issue: 15 Pages: 24-30
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Chalcopyrite thin films were one-step potentiostatically deposited onto stainless steel plates from aqueous solution containing CuSO4, In2(SO4)3 and Na2S2O3.The ratio of (In3+:Cu2+) which involved in the solution and The effect of cathodic potentials on the structural had been studied. X-ray diffraction (XRD) patterns for deposited films showed that the suitable ratio of (In3+:Cu2+) =6:1, and suitable voltage is -0.90 V versus (Ag/AgCl) reference electrode.

تم في هذا البحث تحضير غشاء رقيق من CuInS2 بواسطة الترسيب الكهربائي على صفائح من الستيلس ستيل من محلول مائي يحتوي على المواد التالية CuSO4, In2(SO4)3 , Na2S2O3. تم دراسة نسبة الايونين(In3+/Cu2+) المناسبة الموضوعة في المحلول وكذلك الجهود المسلطة وتاثيرها على تركيب الغشاء المترسب. حيود الاشعة السينية للاغشية المترسبة اظهرت ان النسبة(In3+:Cu2+) المناسبة =6:1 وان الفولتية المناسبة هي 0.9– V عن قطب (Ag/AgCl) القياسي.


Article
Study the optical properties of CuInS2 non stoichiometric thin films prepared by chemical spray pyrolysis method
دراسة الخصائص البصرية للأغشية الرقيقة CuInS2 الغير متكافئة المحضرة بطريقة الرش الكيميائي الحراري .

Authors: Hamid S. Al-Jumaili حامد صالح الجميلي --- Qayes A. Abbas قيس عبدالله عباس --- Mahir N. Al-Jabery ماهر نوري ثجيل
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2012 Volume: 10 Issue: 19 Pages: 70-75
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Effect of [Cu/In] ratio on the optical properties of CuInS2 thin films prepared by chemical spray pyrolysis on glass slides at 300oC was studied. The optical characteristics of the prepared thin films have been investigated using UV-VIS spectrophotometer in the wavelength range (300-1100 nm). The films have a direct allow electronic transition with optical energy gap (Eg) decreased from 1.51 eV to 1.30 eV with increasing of [Cu/In] ratio and as well as we notice that films have different behavior when annealed the films in the temperature 100oC (1h,2h), 200oC (1h,2h) for [Cu/In]=1.4 . Also the extinction coefficient (k), refractive index (n) and the real and imaginary dielectric constants (ε1, ε2) have been investigated.

تم دراسة تأثير النسبة [Cu/In] على الخصائص البصرية لأغشيه CuInS2 الرقيقة المرسبة على شرائح زجاجية بطريقة الرش الكيميائي الحراري عند درجة حرارة الأساس oC 300 وقد تم دراسة الخصائص البصرية للاغشية المحضرة باستخدام مطياف (UV-VIS) ضمن مدى الأطوال الموجية (300-1100nm) .ولقد وجدت إن هذه الاغشيه تمتلك فجوة طاقه مباشرة تقل من 1.51eV إلى 1.30eV مع زيادة النسبة [Cu/In]. كذلك تسلك فجوة الطاقة سلوك مختلف عندما تم تلدين النسبة[Cu/In]=1.4 بدرجات حرارة 100 درجة سيليزية و200 درجة سيليزية ولزمن ساعة واحدة وساعتين. كما تم دراسة معامل الخمود (k) ومعامل الانكسار (n) وثابتي العزل الكهربائي الحقيقي (ε1) والخيالي (ε2) .

Listing 1 - 3 of 3
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (3)


Language

English (3)


Year
From To Submit

2012 (1)

2011 (1)

2009 (1)