research centers


Search results: Found 5

Listing 1 - 5 of 5
Sort by

Article
Effect of Substrate Temperature on Optical Properties of Thermally Evaporated CuPc Thin Films.
تأثير درجة حرارة الأرضية على الخصائص البصرية لأغشية نحاس ثالوسيانين الرقيقةالمحضرة بطريقة التبخير الحراري

Author: Ali H.A. Jalaukhan
Journal: journal of kerbala university مجلة جامعة كربلاء ISSN: 18130410 Year: 2015 Volume: 13 Issue: 2 Pages: 100-105
Publisher: Kerbala University جامعة كربلاء

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of Copper Phthalocyanine (CuPc) of about 200 nm thicknesses have been deposited by thermal evaporation method on glass substrate at 303 ᵒK and 403 ᵒK substrate temperature (Ts) and under pressure better than10-5 mbar. This study concentrated on the effect of substrate temperature on some physical properties of CuPc thin films such as optical properties within the visible range. Optical characterization has been carried out at room temperature using the absorption spectra, at normal incidence, in range 200-900 nm. Absorption and extinction coefficients of the films so obtained have been evaluated. Both of these have been observed to vary with wavelength. The values of refractive index have been found to increase with increasing substrate temperature whereas decrease in optical band gap energy, for direct allowed transitions, with increasing substrate temperature has been noticed. It was attributed to the increasing of defects a round Grain boundaries due the phase transition from β –phase toα –phase and .

حضّرت أغشية نحاس ثالوسيانين بسمك 200 نانومتر وبطريقة الترسيب الحراري على أرضيات من الزجاج عند درجتي حرارة 303 و403 كلفن وتحت ضغط أعلى من 10-5 ملي بار. تم دراسة تأثير درجة حرارة الأرضيات على الخواص البصرية لأغشية نحاس ثالوسيانين ضمن الجزء المرئي من الطيف البصري خلال المدى 200-900 نانومتربالأستفادة من طيف الامتصاص لمعرفة كيفية تغير معاملي الامتصاص و الخمود مع الطول ألموجي. لوحظ زيادة قيم معامل الانكسار بزيادة درجة حرارة الأرضيات عند الترسيب بينما نقصت فجوة الطاقة البصرية وقد عُزيَ ذلك إلى زيادة العيوب حول الحدود الحبيبية و التحوّل من الطور- β الى الطور- α.


Article
Effect of annealing temperature and laser pulse energy on the optical properties of CuO films prepared by pulsed laser deposition
تأثير درجة حرارة التلدين وطاقة الليزر على الخصائص البصرية لاغشية CuO المحضرة بترسيب الليزر النبضي

Loading...
Loading...
Abstract

In this work; copper oxide films (CuO) were fabricated by PLD. The films were analyzed by UV-VIS absorption spectra and their thickness by using profilometer. Pulsed Nd:YAG laser was used for prepared CuO thin films under O2 gas environment with varying both pulse energy and annealing temperature. The optical properties of as-grown film such as optical transmittance spectrum, refractive index and energy gap has been measured experimentally and the effects of laser pulse energy and annealing temperature on it were studied. An inverse relationship between energy gap and both annealing temperature and pulse energy was observed.

في هذا البحث تم تحضير اغشية CuO بواسطة تقنية PLD, وتم تحليلها ودراسة خصائصها باستخدام مطياف الامتصاص UV-VIS. اما اسماكها فقد قيست بجهاز profilometer. استخدم ليزر Nd:YAG النبضي لتحضير اغشية CuO بوجود غاز الاوكسجين مع تغيير كل من درجة حرارة التلدين وطاقة الليزر. اما الخصائص البصرية للاغشية المتكونة مثل طيف النفاذية البصرية ومعامل الانكسار وفجوة الطاقة فقد درست هي الاخرى. لوحظ ان هناك علاقة عكسية بين فجوة الطاقة وكل من درجة حرارة التلدين وطاقة الليزر.


Article
Study optical properties for pbS thin films before and after irradiation by CO2 laser
دراسة الخواص البصریه لاغشیة الرقیقه PbS قبل وبعد التشعیــع بـــلیز ر CO2

Author: Najat A.Dahham نجاة احمد دحام
Journal: Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة ISSN: 18131662 Year: 2014 Volume: 19 Issue: 5 Pages: 107-112
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Loading...
Loading...
Abstract

AbstractIn this study, Lead sulphide (PbS) thin films were deposited on glass substrates using the thermal vacuumevaporation technique at lressure 105 torr. The prepared films were arulealed to 200'C by using oven undervacuum with pressure I 0 ' torr then the samples inadiated by CO2 laser of power ( I wan) and wavelength ( 10.6)pm at distance (10 cm) from the source for (5 sec). The optical characteristics ofthe prepared thin films havebeen investigated using IR spectrophotometer. Optical constants such as absorption, reflection, absorptioncoefficient (o), Band gap energy (EJ, extinction coefficient (K), rellactive index (n), and complex dielectricconstants (t.&s,) were evaluated from Eansmission specha. The results show that the laser irradiation causedecreasing in tansmittance, reflection, band gap energy, refractive index and in the real part of dielectricconstant while increasing in the absorption, extinction co€fficient and imaginary pan ofdielectric constant, inthe investigated region

الملخص تم في هذه الدراسة ترسیب اغشیة رقیقة من مادة PbS على قواعد من الزجاج والمحضرة بطریقة التبخیر الحراري الفراغي تحت ضغط 6- 10 )(torr وتم تلدین الاغشیة بدرجة حرارة (°200C) باستخدام فرن مفرغ من الهواء وبضغط (2torr-10) وقد تم تشعیع العینات بلیزرCO2 ذو طاقة(1watt) وطول موجي (6μm.10) وعلى بعد (10Cm) من المصدر, ولمدة (sec 5) . ان دراسة الخواص البصریة للأغشیة المحضرة قد تمتباستخدام مطیاف IR . ومن خلال دراسة طیف النفاذیة تم حساب الثوابت البصریة مثل الامتصاصیة والانعكاسیة و معامل الامتصاص البصري(α) وفجوة الطاقة البصریة (Eg) ومعامل الخمود (K) و معامل الانكسار (n) و ثوابت العزل الكهربائي المعقد (i &r ) . وقد بینت النتائج انالتشعیع باللیزر ادى الى نقصان في النفاذیه والانعكاسیة وطاقة الفجوة ومعامل الانكسار والجزء الحقیقي لثابت العزل بینما تزداد كل منالامتصاصیه ومعامل الامتصاص ومعامل الخمود والجزء الخیالي لثابت العزل في منطقة البحث


Article
Optoelectronic Properties of CdSe/Si Heterojunction
الخصائصالكھروبصریة للمفرق الھجین CdSe/Si

Author: Waseem Najeeb Ibrahim
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 12 Pages: 2138-2149
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper n-CdSe/p-Si heteroj unction photodetector was fabricated bythermal-evaporation technique of CdSe thin film grown onto single crystalline Sisubstrate . The energy gap of CdSe film was estimated from transmittance spectraand found to be (1.89 eV) . The temperature dependence of Seebeck coefficientwas studied . The conductivity of CdSe thin film is n-type and the value ofactivation energy is (0.59 eV). Heterojunction properties included dark andilluminated current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics.From I-V plot, junction ideality factor for heterojunction was calculated to be1.43, and providing information about the current transport mechanism. The linearvariation of the experimental curve C-2 vs. V is indicative of the presence ofabrupt heterojunction and it used to determine the experimental value of built-injunctionpotential Vbi . From illuminated I-V plot at different intensity levels(90,180,240) mW/cm2 , the linearity behavior of CdSe/Si heterojunction wasinvestigated .

بتقنی ة التبخی ر n-CdSe/p-Si في ھ ذا البح ث ت م تص نیع كاش ف ض وئي م ن المف رق الھج یناحادي التبلور . ان قیم ة Si المنماة على قواعد من السیلیكون CdSe الحراري في الفراغ لأغشیةالمحضرة حددت من خلال دراسة طیف النفاذیة للأغشیة والتي بلغ ت CdSe فجوة الطاقة لأغشیة1.89 ) . من خلال دراسة تغیر معامل سیبك مع درجة الحرارة تبین ان نوع التوصیلیة eV) حواليوان قیمة طاق ة التنش یط لھ ذه الأغش یة ھ ي ( 0.59 n-type ھي من النوع المانح CdSe لأغشیةتضمنت خصائص المفرق الھجین دراسة خصائصتیار- جھ د ف ي ح التي الظ لام والاض اءة .(eVوخصائص سعة – جھد . بینت خصائصتیار- جھ د ان قیم ة عام ل المثالی ة للمف رق الھج ین كان ت1.43 ) ، اضافة الى توض یح الی ة نق ل التی ار عن د من اطق الفولتی ات الواطئ ة والعالی ة . ان العلاق ة )اوضحت ان المفرق الھجین غیر V وفولتیة الانحیاز العكسي C- الخطیة مابین مقلوب مربع السعة 2المتماثل من النوع الحاد وأستخدمت ھذه العلاق ة ف ي تحدی د قیم ة جھ د البن اء ال داخلي للمف رق . م نmW/cm خ لال دراس ة خص ائصتی ار- جھ د ف ي حال ة الاض اءة عن د ق درات ض وئیة مختلف ة 2یعطي خصائص خطیة جی دة لم دیات الق درة CdSe/Si 90,180,240 ) وجد ان المفرق الھجین )الضوئیة الساقطة


Article
Structural and Optical Properties of Cadimium Selenide Thin Films Prepared via Direct Current Sputtering Technique
الخواص التركيبيه والبصريه لأغشيه الكادميوم سيلينايد المحضره بالترذيذ المستمر

Loading...
Loading...
Abstract

The influence of preparation condition on the structural and optical properties of Cadmium Selenide (CdSe) thin films deposited onto glass substrates was studied. The structural investigations performed by means of X-ray diffraction (XRD) technique showed that the films have polycrystalline, hexagonal structure, Moreover, the AFM study showed that the film of uniform nano-grain size about 10nm. Transmission spectra in the spectral domain (200-1200nm), were investigated. The values of some important parameters of the studied films (absorption coefficient, optical energy band gap and refractive index) were determined from these spectra. The values of the energy gap, Eg (allowed direct transitions), calculated from the absorption spectra, ranged between 2 and 2.2eV.

درس في هذا البحث تأثير ظروف التحضير على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية كادميوم سيلينايد المرسبة على قواعد زجاجية بطريقة الترذيذ. الخواص التركيبية لهذه الأغشية درست باستخدام فحوص حيود الأشعة السينية (XRD) والتي بينت أن هذه الأغشية لها تركيب متعدد التبلور وبالشكل السداس، وأظهرت نتائج مجهر القوة الذرية AFM أن الأغشية المحضرة ذات سطوح متجانسة وحجم حبيبي بأبعاد نانوية بحدود 10nm، قيس طيف النفاذية للمدى الطيفي (200-1200nm)ومن خلاله حسبت بعض المعلمات المهمة مثل:(معامل الأمتصاص، فجوة الطاقة البصرية ومعامل الأنكسار). وكذلك حسبت فجوة الطاقة (Eg) للانتقال المباشر المسموح من قياس طيف الامتصاص ووجدت ان قيمها تراوحت بين (2-2.2eV).

Listing 1 - 5 of 5
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (5)


Language

English (5)


Year
From To Submit

2015 (2)

2014 (2)

2012 (1)