research centers


Search results: Found 6

Listing 1 - 6 of 6
Sort by

Article
Synthesis and Study of Modified Nanostructure Porous Silicon Layers for Chemical Gas Sensing

Authors: A.D.Thamir --- A. L. Abed --- F. Q. Mohammed --- A. S. Hasan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2017 Volume: 35 Issue: 10 Part (A) Engineering Pages: 970-974
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, We prepared a modified nanostructure porous silicon (PS) layers for effective chemical gas sensing. Nanopore covered microporous silicon gas sensor has been fabricated using electrochemical etching in an HF acid and ethanol solution. A porous silicon (PS) surface has been modified using selective depositions formed from metal to enhance the response to Sensing of CO2. (PS) has been interest for gas sensing because of the exceptional gathering of importent features. By setting the process parameters,the porosity, pore size, and the morphology can be modifid and practically controlled. The modified porous silicon layers were characterized using different techniques such as scanning electron microscopy(SEM)and a series of electrical characterizations to study the structures in the contact of the carbon dioxide was achieved.


Article
Characterization of CuO:NiO/PS Hydrogen Gas Sensor
تىصيف متحسس غاز الهيدروجين CuO:NiO/PS

Authors: Isam M. Ibrahim --- Yahya R. Hathal --- Fuad T. Ibrahim --- Mudhafar H. Ali
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 6 Part (B) Scientific Pages: 1066-1074
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of copper oxide nanoparticles mixed with 6% nickel oxide are deposited on glass and Si substrates with orientation (111) utilizing pulsed laser deposition technique for the manufacture of hydrogen gas sensor. The films are annealed in air at 400 °C for two hours, then the structural and morphological properties are characterized using x-ray diffraction and atomic force microscopy. The results of CuO:NiO/Si films are exhibited a polycrystalline monoclinic CuO and cubic NiO phases. In addition, the peak of Si located at 28.3º which refer to (111) direction. Furthermore, this peak becomes very broad with varying full width at half maximum for etching current density of 30 mA/cm2 at time of 30 min which confirms the formation of pores on the crystalline silicon surface. On the other hand, the average diameter of 84.31 nm and 34.98 nm for CuO:NiO on a glass substrate and PS, respectively, were obtained. A sponge-like structure is produced for PS which reveal that a part of pores transform to a larger structure. The peak sensitivity of 204.8% was observed at optimum operating temperature of 350°C.


Article
Structural and Gas Sensing Characteristics of CuO-Doped ZnO Thin Films Papered by Pulsed-Laser Deposition

Authors: Mohammed A. Annaz --- Mazin H. Hasan
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2019 Volume: 15 Issue: 4 Pages: 3-9
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, pulsed-laser deposition was used to prepare zinc oxide (ZnO) thin films on glass and porous silicon substrates. These films were doped with different contents of copper oxide (CuO). The x-ray diffraction patterns showed peaks belonging to hexagonal ZnO structure only for the samples with CuO contents of 10, 30 and 50%, while the peaks belonging to cubic CuO structure were observed in the samples with partial CuO contents of 70 and 90%. As the CuO content was increased, the average roughness of the prepared surfaces was accordingly increased. The electrical measurements showed that all prepared samples were of n-type conductivity and the charge carrier concentration was decreasing with increasing partial content of CuO. The CuO-doped ZnO films deposited on porous silicon substrates were tested as gas sensors. The maximum sensitivity of 49% for NO2 gas was recorded at constant current of 15 mA and exposure time of 30 min for the sample of 10% CuO content at operation temperature of 200 °C.


Article
D.C conductivity of In2O3: SnO2 thin films and manufacturing of gas sensor
التوصيلية الكهربائية المستمرة وتصنيع متحسس غازي من اغشية اوكسد الانديوم المطعم باوكسيد القصدير

Authors: Bushra A. Hasan بشرى عباس حسن --- Rusul M. Abdallah رسل محمد عبدالله
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2018 Volume: 16 Issue: 37 Pages: 32-45
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Compounds were prepared from In2O3 doped SnO2 with different doping ratio by mixing and sintering at 1000oC. Pulsed Laser Deposition PLD was used to deposit thin films of different doping ratio In2O3: SnO2 (0, 1, 3, 5, 7 and 9 % wt.) on glass and p-type wafer Si(111) substrates at ambient temperature under vacuum of 10-3 bar thickness of ~100nm. X-ray diffraction and atomic force microscopy were used to examine the structural type, grain size and morphology of the prepared thin films. The results show the structures of thin films was also polycrystalline, and the predominate peaks are identical with standard cards ITO. On the other side the prepared thin films declared a reduction of degree of crystallinity with the increase of doping ratio. Atomic Force Microscopy (AFM) measurements show the average grain size exhibit to change in non-systematic manner with the increase of doping ratio with tin oxide. The average grain size increases at doping ratios 1, 5 and 7 % from 52.48 to 79.12, 87.57, and 105.59 nm respectively and decreases at residual doping ratio. The average surface roughness increases from 0.458 to 26.8 nm with the increase of doping ratio. The gas sensing measurements of In2O3:SnO2 thin films prepared on p-Si to NO2 gas showed good sensitivity and Maximum sensitivity (50) obtained for In2O3:SnO2 prepared on p-Si at operating temperature 573 K and doping ratio 7 % and 9 %. Maximum speed of response time (8 sec) at operating temperature 573 K and doping ratio 1 %.

حضرت مركبات من اوكسد الانديوم المطعم باوكسيد القصدير وبنسب تطعيم مختلفة وذلك بمزج المركبين وتلبيدها عند درجة 1000 oC. تم استخدام طريقة التبخير بالليزر النبضي لتحضير اغشية رقيقة من المركب In2O3:SnO2 وبنسب تطعيم 9 % wt.) (0, 1, 3, 5, 7, على قواعد من الزجاج ورقائق السليكون مفرد االبلورة. وعند درجة حرارة المحيط وعند ضغط فراغ 10-3 تور وبسمك 150نانومينر. تم استخدام حيود الاشعة السينية ومطياف القوى الذرية لفحص تركيب, الحجم الحبيبي وطبوغرافية الاغشية المحضرة. اظهرت النتائج ان الاغشية المحضرة كانت متعددة البلورة وان المستوي المفضل للنمو متطابق مع بطاقات اوكسيد الانديوم- القصدير ومن جهة اخرى اظهرت الاغشية المحضرة هبوطا في درجة التبلور مع زيادة نسبة التطعيم. قياسات مطياف القوى الذري اظهرت ان حجم الحبيبة تغير بشكل غير منتظم مع نسبة التطعيم. حيث ازداد حجم الحبيبة عند نسب التطعيم 1, 5, 7 % من 52 الى 79, 87و 105 نانوميتر على التوالي وهبط عند نسب التطعيم الباقية. خشونة السطح ازدادت من0.458 الى26.8 نانوميترمع زيادة نسبة التطعيم. قياسات التحسسية لاغشية In2O3:SnO2 المحضرة على قواعد من السليكون نوع p لغاز NO2 كانت جيدة و اقصى قيمة للتحسسية كانت (50) لاغشية In2O3:SnO2 المحضرة عند درجة تشغيل 573 K ونسب تطعيم 7 % ,.9% اقصى زمن استجابة كان(8 sec) عند درجة تشغيل 573 K و نسبة تطعيم 1%.


Article
Enhancement of Hydrothermally Co3O4 Thin Films as H2S Gas Sensor by Loading Yttrium Element
تحسين اغشية رقيقة Co3O4 مائيا حراريا كمتحسس لغاز H2S عن طريق تحميل عنصر الإيتريوم

Authors: Suhad A. Hamdan سهاد عبد الكريم حمدان --- Iftikhar M. Ali افتخار محمود علي
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2019 Volume: 16 Issue: 1 Supplement Pages: 221-229
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The gas sensing properties of Co3O4 and Co3O4:Y nano structures were investigated. The films were synthesized using the hydrothermal method on a seeded layer. The XRD, SEM analysis and gas sensing properties were investigated for Co3O4 and Co3O4:Y thin films. XRD analysis shows that all films are polycrystalline in nature, having a cubic structure, and the crystallite size is (11.7)nm for cobalt oxide and (9.3)nm for the Co3O4:10%Y. The SEM analysis of thin films obviously indicates that Co3O4 possesses a nanosphere-like structure and a flower-like structure for Co3O4:Y.The sensitivity, response time and recovery time to a H2S reducing gas were tested at different operating temperatures. The resistance changes with exposure to the test gas. The results reveal that the Co3O4:10%Y possesses the highest sensitivity around 80% at a 100oC operating temperature when exposed to the reducing gas H2S with 0.8sec for both recovery and response times.

تمت دراسة الخصائص التحسسية للاغشية Co3O4 و Co3O4: Y النانوية . تم تحضير هذه الاغشية بطريقة مائية حرارية على طبقة البذرة. تم فحص الاشعة السينية XRD ومجهر المسح الالكتروني SEM وخصائص تحسسية الغاز درست للاغشية Co3O4 و Co3O4: Y النانوية. فحصXRD يظهر كل الافلام متعددة التبلور و تمتلك تركيب مكعب ومعدل الحجم البلوري لاوكسيد الكوبلت النقي 11.7 نانومتر ولاوكسيد الكوبلت المطعم Co3O4:10%Y 9.3 نانومتر. تحليل المجهر الالكتروني الماسح SEM تشير بوضوح الى Co3O4 تمتلك تركيب كروي و Co3O4: Y تمتلك تركيب نانوي يشبه الزهرة. تم اختبار التحسسية وزمن الاستجابة وزمن الاسترجاع للغاز المختزل H2S في درجات حرارة تشغيل مختلفة. المقاومة تتغير نتيجة التعرض الى غاز الاختبار. النتائج اظهرت Co3O4:10%Y تمتلك اعلى تحسسية حوالي 80% في درجة حرارة تشغيل 100درجة مئوية عند التعرض للغاز المختزل H2S وزمن استجابة واسترجاع 0.8 ثانية.


Article
Effect of Dopant Concentration on the Structural, Optical and Sensing Properties of (SnO2)1-x(TiO2:CuO)x Sprayed Films
تأثير تركيز التشويب على الخواص التركيبية والبصرية والتحسسيه للأغشية SnO2) 1-x (TiO2: CuO) x) الرقيقه

Authors: Sara S. Mahmood ساره صادق محمود --- Bushra A. Hasan بشرى عباس حسن
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2019 Volume: 16 Issue: 2 Pages: 361-369
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Spray pyrolysis technique was subjected to synthesized (SnO2)1-x (TiO2: CuO) x Thin films on different substrates like glass and single crystal silicon using. The structure of the deposited films was studied using x-ray diffraction. A more pronounced diffraction peaks of SnO2 while no peaks of (CuO , TiO2 ) phase appear in the X-ray profiles by increasing of the content of (TiO2 , CuO) in the sprayed films. Mixing concentration (TiO2 , CuO) influences on the size of the crystallites of the SnO2 films ,the size of crystallites of the spray paralyzed oxide films change in regular manner by increasing of (TiO2 , CuO) amount. The effect of mixing concentration on the optical properties of the films was also investigated. The reflectance and transmittance spectra in the wavelength range (300-1100) nm were employed to determine the optical properties such as energy band gap (Eg) and refractive index (n), extinction coefficient (k) , real and imaginary parts of dielectric constants (ε1, ε2) for (SnO2)1-x(TiO2:CuO)x films. The energy band gap omit of which showed reduction from (3.65 to 2.2) eV by reducing of SnO2 amount from (100 to 70) % .The reduction of energy band gap was ascribed to the new tail states introduced in the band gap of tin oxide. The sensitivity of the prepared sensor film was determined resistance difference of the films when exposed to oxidizing gas. The data declared that the mixed SnO2 films have better sensitivity in comparison with unmixed films.

تم تصنيع اغشية رقيقة من (SnO2) 1-x (TiO2: CuO) x )على ركائز مختلفة مثل الزجاج والسيليكون احادي التبلور باستخدام تقنية االرش الكيميائي الحراري. تم فحص تركيب الاغشيه المرسبه باستخدام حيود الأشعة السينية. في مخطط السينية تظهر قمم حيود SnO2 اكثر وضوحا في حين لا تظهر قمم CuO و TiO2 ويتحسن التركيب عند زيادة محتوى TiO2: CuO في اغشيه الرش. تركيز التشويب لاغشيه TiO2: CuO يؤثر على حجم تبلور اغشيه SnO2 حيث يتغير حجم تبلور اغشيه الرش الحراري بصوره منتظمة بزيادة كمية TiO2: CuO. كما تم دراسة تأثيرتركيز التشويب على الخواص البصرية للأغشية. تم استخدام طيف الانعكاس والنفاذيه لاغشيه SnO2) 1-x (TiO2: CuO) x) في مدى الطول الموجي nm (300-1100) لتحديد الخواص البصرية مثل فجوة حزمه الطاقة (Eg) ومعامل الانكسار (n) ومعامل الخمود (k) والقيم الحقيقية والتخيلية لثوابت العزل الكهربائي ε1، ε2. لوحظ ان فجوة حزمه الطاقة تقل من 3.8 فولت إلى 2.65 فولت من خلال تقليل كمية TiO2: CuO. ويعزى انخفاض فجوة نطاق الطاقة وبالتالي زيادة طاقة أورباخ إلى الحالات الذيليه للشوائب على حزمه التوصيل أو حزمه التكافؤ لاوكسيد القصدير. يمكن حساب قيمة تحسسيه الغشاء عند تغيير مقاومة الغشاء عند التعرض لغاز اوكسيد النيتروجين. تظهر النتائج أن اغشيه SnO2 المشوبه لديها حساسية أفضل عند مقارنتها بالأغشية غير المشوبه.

Listing 1 - 6 of 6
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (6)


Language

English (6)


Year
From To Submit

2019 (3)

2018 (1)

2017 (1)

2015 (1)