research centers


Search results: Found 8

Listing 1 - 8 of 8
Sort by

Article
Decline in the performance of silicon solar cell parameters with the Ambient temperature in Baghdad
انخفاض اداء معلمات الخلية الشمسية السليكونية مع درجة حرارة الجو في بغداد.

Authors: Mohammed S. Rasheed --- Dr. Fouad Shaker Tahir
Journal: journal of the college of basic education مجلة كلية التربية الاساسية ISSN: 18157467(print) 27068536(online) Year: 2012 Volume: 18 Issue: 75 Pages: 95-111
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, the effect of Baghdad climate ambient temperature dependence (indoor and outdoor) of the performance of solar cell in the temperatures range (5 oC –70 oC) had been studied. The solar cell performance is determined by its main important parameters, short circuit current (Isc), open circuit voltage (Voc), fill factor (F.F) and efficiency (ηm). The experimental results of the parameters of silicon solar cell showed that the conversion efficiency was decline when the temperature raised from optimal temperature

في هذا البحث، جرى دراسة تأثير درجة حرارة جو مناخ بغداد ( في الداخل والخارج) على كفاءة اداء الخلية الشمسية في مديات درجات الحرارة التي تتراوح بين (5 oC-70 oC). ان المعلمات المهمة لاداء للخلية الشمسية قيست من خلال تيار الدائرة المغلقة (Isc)، فولتية الدائرة المفتوحة (Voc)، معامل المليء (F.F) ، والكفاءة (ηm). ان تيار الاشباع العكسي (Io) هو معلم مهم ايضاً لانه يحافظ على التغير الحاصل في المعلمات مع درجة الحرارة. علاوة على ذلك، ان التغيرات في درجة الحرارة اكثر ملائمة لوصف اداء الخلية الشمسية. النتائج التجريبية لمعلمات الخلية الشمسية السليكونية بينت ان كفاءة تحويل الخلية كانت منخفضة عندما ترتفع درجة الحرارة عن القيمة المُثلى للخلية.


Article
Optoelectronic Properties of CdSe/Si Heterojunction
الخصائصالكھروبصریة للمفرق الھجین CdSe/Si

Author: Waseem Najeeb Ibrahim
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 12 Pages: 2138-2149
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper n-CdSe/p-Si heteroj unction photodetector was fabricated bythermal-evaporation technique of CdSe thin film grown onto single crystalline Sisubstrate . The energy gap of CdSe film was estimated from transmittance spectraand found to be (1.89 eV) . The temperature dependence of Seebeck coefficientwas studied . The conductivity of CdSe thin film is n-type and the value ofactivation energy is (0.59 eV). Heterojunction properties included dark andilluminated current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics.From I-V plot, junction ideality factor for heterojunction was calculated to be1.43, and providing information about the current transport mechanism. The linearvariation of the experimental curve C-2 vs. V is indicative of the presence ofabrupt heterojunction and it used to determine the experimental value of built-injunctionpotential Vbi . From illuminated I-V plot at different intensity levels(90,180,240) mW/cm2 , the linearity behavior of CdSe/Si heterojunction wasinvestigated .

بتقنی ة التبخی ر n-CdSe/p-Si في ھ ذا البح ث ت م تص نیع كاش ف ض وئي م ن المف رق الھج یناحادي التبلور . ان قیم ة Si المنماة على قواعد من السیلیكون CdSe الحراري في الفراغ لأغشیةالمحضرة حددت من خلال دراسة طیف النفاذیة للأغشیة والتي بلغ ت CdSe فجوة الطاقة لأغشیة1.89 ) . من خلال دراسة تغیر معامل سیبك مع درجة الحرارة تبین ان نوع التوصیلیة eV) حواليوان قیمة طاق ة التنش یط لھ ذه الأغش یة ھ ي ( 0.59 n-type ھي من النوع المانح CdSe لأغشیةتضمنت خصائص المفرق الھجین دراسة خصائصتیار- جھ د ف ي ح التي الظ لام والاض اءة .(eVوخصائص سعة – جھد . بینت خصائصتیار- جھ د ان قیم ة عام ل المثالی ة للمف رق الھج ین كان ت1.43 ) ، اضافة الى توض یح الی ة نق ل التی ار عن د من اطق الفولتی ات الواطئ ة والعالی ة . ان العلاق ة )اوضحت ان المفرق الھجین غیر V وفولتیة الانحیاز العكسي C- الخطیة مابین مقلوب مربع السعة 2المتماثل من النوع الحاد وأستخدمت ھذه العلاق ة ف ي تحدی د قیم ة جھ د البن اء ال داخلي للمف رق . م نmW/cm خ لال دراس ة خص ائصتی ار- جھ د ف ي حال ة الاض اءة عن د ق درات ض وئیة مختلف ة 2یعطي خصائص خطیة جی دة لم دیات الق درة CdSe/Si 90,180,240 ) وجد ان المفرق الھجین )الضوئیة الساقطة


Article
Fabrication and Study Characteristics Of CdS/Si Heterojunction Detector by CBD Technique
تصنيع ودراسة خصائص كاشف المفرق الهجين CdS/Si بتقنية ترسيب بالحمام الكيماوي

Author: Hani H. Ahmed هاني هادي احمد
Journal: Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة ISSN: 18131662 Year: 2012 Volume: 17 Issue: 2 Pages: 169-175
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, fabrication and characterization detector CdS/Si heterojunction. The CdS thin film depositing on glass substrate and silicon Wafers by chemical bath deposition(CBD) technique. Structure of these films was characterized by X-ray diffraction ,which show that of CdS films deposited have polycrystalline structure cubic(zinc blende) and hexagonal (diamond) and the grain size is 45 nm . The optical properties were studied by transmission spectra where found that for CdS films have highly transmittance in visible region of spectrum and reach to more than 80 % with wide band gap of 2.44 eV is a promising material to be used in photovoltaic devices as solar cells and detectors .Electrical properties of CdS/Si heterojunction have been investigated. The I-V characteristics of under dark condition depict that good rectification behavior and exponential relationship for forward current biasing. The C-V measurements have shown that the heterojunction were of abrupt type and the build-in potential equal 1.75V. The optoelectronic characteristics shows the CdS/Si detector has good spectral responsivity in visible and NIR with higher peak responsivity at 800 nm were found 0.26 A/w .The maximum quantum efficiency was found to be (60%) at (800 nm) wavelength.

في هذا البحث تم تصنيع ودراسة خصائص كاشف المفرق الهجين نوع CdS/Si . إذا تم ترسيب غشاءCdS على أرضيات زجاجية و شرائح سليكونية بتقنية ترسيب الحمام الكيميائي(CBD ). الخواص التركيبة لهذه الأغشية شخصت باستخدام تقنية حيود الأشعة السينية(XRD) حيت بينت ان غشاءCdS يمتلك تركيبا" بلوريا" مكعبا" (خارصين) وسداسيا"(ماس) ومعدل الحجم الحبيبي (45)nm. الخواص البصرية درست باستخدام طيف النفاذية،حيث وجد إن غشاء CdS المرسب يمتلك نفاذية عالية في المنطقة المرئية من الطيف وتصل إلى أكثر من 80% مع فجوة طاقة عريضة 2.44eV التي تسمح للمادة في الاستخدام في الأجهزة الفوتوفولتائية كالخلايا الشمسية والكواشف. تم أيضا" تحليل الخصائص الكهربائية للمفرق الهجين CdS/Si . أظهرت نتائج خصائص( تيار- جهد) تحت شرط الظلام صفة التقويم والسلوك ألأسي لتيار الانحيازيين الأمامي والعكسي. بينت نتائج قياسات (سعة - جهد) ان المفرق المصنع هو من النوع الحاد(abrupt) وان جهد البناء الداخلي يساوي1.75 V. الخصائص الكهروبصرية بينت إن الكاشف CdS/Si يمتلك استجابية طيفية جيدة في المدى المرئي وتحت الحمراء القريبة من الطيف مع أعلى قمة للاستجابية عند الطول ألموجي800nm وجدت0.26A/w)).كما وجد إن أقصى كفاءة كمية كانت(60%) عند الطول ألموجي800 nm .


Article
Study of Optoelectronic Properties CdS-Si Heterojunction Prepared by Chemical Bath Deposition Method
دراسة الخصائص الكهروبصرية لمفرق هجيني نوع CdS-Si محضر بطريقة ترسيب بالحمام الكيميائي

Author: Hani H. Ahmed هاني هادي احمد
Journal: Journal of university of Anbar for Pure science مجلة جامعة الانبار للعلوم الصرفة ISSN: ISSN: 19918941 Year: 2012 Volume: 6 Issue: 3 Pages: 79-84
Publisher: University of Anbar جامعة الانبار

Loading...
Loading...
Abstract

CdS-Si heterojunction detector has been prepared by chemical bath deposition method . Structure properties of these films was characterized by X-ray diffraction .CdS films deposited have polycrystalline structure cubic(zinc blende) and hexagonal. The average grain size is 45 nm .The optical properties of the CdS films have highly transmittance in visible region of spectrum and reach to more than 80 % with a wide band gap of 2.44 eV .Electrical properties of CdS-Si heterojunction have been investigated. The I-V characteristics under dark condition depict that good rectification behavior and exponential relationship for forward current biasing. The C-V measurements have shown that the heterojunction were of abrupt type and the build-in potential equal to 1.75V. The optoelectronic characteristics shows that CdS-Si detector has good spectral responsivity in the visible and the near infrared and show high sensitivity, in comparison with the conventional p-n silicon detectors.

تم تحضير كاشف المفرق الهجين نوع CdS-Si بطريقة ترسيب الحمام الكيميائي . والخصائص التركيبة لهذه الأغشية شخصت باستخدام تقنية حيود الأشعة السينية(XRD) .وجد ان أغشية CdS تمتلك تركيبا" بلوريا" مكعبا"(خارصين) وسداسيا" .معدل الحجم الحبيبي 45nm. والخصائص البصرية بينت إن غشاء CdS المرسب يمتلك نفاذية عالية في المنطقة المرئية من الطيف وتصل إلى أكثر من 80% مع فجوة طاقة عريضة 2.44 eV .وتم أيضا" تحليل الخصائص الكهربائية للمفرق الهجين CdS-Si .وأظهرت نتائج خصائص( تيار- جهد) تحت شرط الظلام صفة التقويم والسلوك ألأسي لتيار الانحيازيين الأمامي والعكسي. بينت نتائج قياسات (سعة - جهد) ان المفرق المصنع هو من النوع الحاد وان الجهد البناء الداخلي يساوي الى 1.75 V.الخصائص الكهروبصرية بينت إن الكاشف CdS-Si يمتلك استجابية طيفية جيدة في المنطقة المرئية وتحت الحمراء القريبة من الطيف ويعطي استجابية طيفية عالية مقارنة مع الكواشف السليكونية التقليدية.


Article
An Analytical I-V Characteristics Model for Au-AlxGa1-xAs/GaAs VMT Heterojunctions Based on Non-Linear Charge-Control and Field-Dependent Mobility Formulations

Author: H. N. WAZEER
Journal: Univesity of Thi-Qar Journal مجلة جامعة ذي قار العلمية ISSN: 66291818 Year: 2009 Volume: 5 Issue: 2 Pages: 1-16
Publisher: Thi-Qar University جامعة ذي قار

Loading...
Loading...
Abstract

Abstract The velocity modulation transistor (VMT) has two channels with differing velocities. Small vertical distance between these channels can be achieved using epitaxial growth, opening the opportunity for higher speed than any other heterostructure field-effect transistor (FET). The non-linear charge-control formulation of the two-dimensional electron gas (2DEG) sheet carriers concentration (ns), which consider the variation of ns with Fermi-potential in the triangular potential quantum well of the VMT, has led to a bias-dependent effective offset distance of the 2DEG from the heterointerface. The consideration of variable 2DEG offset distance pushes the model characterization to great accuracy then the linear characterization does. Based on non-linear charge-control and a single set of analytical expressions for field-dependent mobility formulations for AlxGa1-xAs/GaAs heterostructure, we developed an analytical I-V characteristics model for VMT device. This model incorporates effects of both composition (x) and doping concentration (Nd) dependences. The model is suitable for computer aided design (CAD) applications in the analysis, design, and optimization of microwave and digital VMT devices.


Article
Geometrical and Electronic Properties of Single Molecular Wires

Authors: Oday Arkan Al-Owaedi --- Enas Mohammed Al-Robayi --- Elaf Mahdi Mohammed --- Colin John Lambert
Journal: Journal of University of Babylon مجلة جامعة بابل ISSN: 19920652 23128135 Year: 2017 Volume: 25 Issue: 3 Pages: 1064-1076
Publisher: Babylon University جامعة بابل

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, the geometrical properties such as molecular length of the structures, carbon-carbon double and single bonds in a gas phase and in a junction form have been investigated. The electronic properties such as molecular orbitals distribution, charge transport mechanisms, binding energy, electrical conductance, decay constant and current-voltage characteristics of single molecular wires have been studied in this work using density functional theory (DFT) with using of SIESTA and GOLLUM codes and also Gaussian 09 software package. The impact of molecular length on electronic properties of this kind of molecules has been explored and the results show that highest and lowest electrical conductance values are (0.4 and 0.2 μS) respectively. In addition, the computations demonstrate that the high value of decay constant yields low value of electrical conductance. Furthermore, the transport mechanisms through metal|molecule|metal junctions are studied and the results show that the mechanism is LUMO-based conduction mechanism.

تم في هذا البحث دراسة الخصائص التركيبية مثل الطول الجزيئي للتراكيب, طول الاواصر المفردة والمزدوجة بين ذرات الكاربون في الحالة المفردة وكذلك في حاله المفرق. الخصائص الإلكترونية مثل توزيع الاوربيتالات الجزيئية, كثافه الحالات, اليات انتقال حاملات الشحنات, طاقه الربط, التوصيل الكهربائي, عامل الانحلال وكذلك خصائص التيار- فولطية لمجموعه من الجزيئات المفردة تم دراستها في هذا العمل باستخدام نظريه الكثافة الوظيفية واستخدام خوارزميات SIESTA و GOLLUM وكذلك استخدام حزمه برامجيات كاوس. تأثير الطول الجزيئي على الخصائص الإلكترونية لهذا النوع من الجزيئات تم استكشافه. النتائج بينت بان القيم العليا والدنيا للتوصيل الكهربائي هي 0.4 و 0.2 مايكرو سيمنز على التوالي.اضافة الى ذلك, فان النتائج اثبتت بان القيمة الواطئة لمعامل الانحلال تنتج قيمه عالية للتوصيل الكهربائي. اليات المعدن ,تم دراستها والنتائج اظهرت بان اليه انتقال الشحنات هي │ جزيئه │ انتقال الشحنات خلال مفارق المعدن اليه التوصيل المعتمدة على الاوربيتال الجزيئي المنخفض LUMO.


Article
Study of Current - Voltage Characteristics of Normal and Abnormal Glow Discharge in Air at Low Pressures
دراسة خواص التيار – الفولتية للتفريغ المتوهج العادي وغير العادي للهواء عند ضغط واطئ

Author: Ahmed Y. Owaid احمد يونس اعويد
Journal: Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة ISSN: 18131662 Year: 2019 Volume: 24 Issue: 5 Pages: 61-64
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Loading...
Loading...
Abstract

In the present study experimental measurements have been carried out to investigate the variation of air discharge voltage (V) and current (I) as a function of working pressure (p), in the ranges (300-500 V), (2-15 mA) and (0.09-0.13 Torr) respectively. Two thick, flat and circular electrodes of radius (4 cm) of Aluminum with a Pyrex cylinder tube of length (10 cm) and radius (3.5 cm) were used to generate the air glow discharge modes. The (V-p) characteristics have shown that an increasing in the discharge voltage of normal mode and reduction in that of abnormal mode with increasing the working pressure. It also displayed that the range of upper voltage from breakdown to abnormal glow has a minimum value (15.7 V) at (0.117 Torr). In addition to that, it is found that the (I-V) characteristics of air glow discharge modes are consistent with those reported in the literature for other gases, as argon, hydrogen and oxygen. It is expected that these observations can help to reduce the voltage needed to get an intense abnormal glow discharge in the air, and to understand well the behavior of two modes of glow discharge, that is important in various applications

في هذه الدراسة اجريت قياسات عملية لاستقصاء تيار وفولتية تفريغ الهواء كدالة لضغط الاشتغال في المديات (300-500) فولت , (2-15) ملي امبير و (0.09-0.13) تور. لقد استخدمت اسطوانة زجاجية صلدة بطول (10) سم ونصف قطر (3.5) سم مع قطبين بشكل قرصين سمكين، مسطحين ودائريين بنصف قطر (4) سم من الالمنيوم لغرض توليد نمطي التفريغ المتوهج للهواء. اظهرت قياسات خواص (الفولتية - الضغط) بان زيادة الضغط تؤدي الى زيادة فولتية التفريغ المتوهج العادي ونقصان فولتية التفريغ المتوهج غير العادي، ومن هذه الخواص لوحظ ايضا بان مدى الفولتية العليا لنمطي التفريغ من فولتية الانهيار الكهربائي الى فولتية التفريغ المتوهج غير العادي يمتلك قيمة صغرى تقدر تقريبا (15.7) فولت عند الضغط (0.117) تور. بالإضافة الى ذلك لوحظ بان خواص (التيار - الفولتية) المقاسة لنمطي تفريغ الهواء المتوهج تتوافق مع تلك الخاصة بغازات اخرى مثل الاركون والهيدروجين والاوكسجين والمتوفرة في دراسات سابقة. نتوقع بان نتائج هذه الدراسة يمكن ان تساهم في تقليل الفولتية اللازمة لتوليد التفريغ المتوهج غير العادي في الهواء فضلا عن زيادة فهم طبيعة هذين النمطين من التفريغ والذين يمتلكان اهمية في العديد من التطبيقات العملية.


Article
Characterization of n-CdO:Mg /p-Si Heterojunction Dependence on Annealing Temperature
اعتماد خصائص المفرق الهجيه n-CdO:Mg /p-Si علي درجت حرارة التلذيه

Loading...
Loading...
Abstract

In this research, thin films of CdO: Mg and n-CdO: Mg/ p-Si heterojunction with thickness (500±50) nm have been deposited at R.T (300 K) by thermal evaporation technique. These samples have been annealed at different annealing temperatures (373 and 473) K for one hour. Structural, optical and electrical properties of {CdO: Mg (1%)} films deposited on glass substrate as a function of annealing temperature are studied in detail.The C-V measurement of n-CdO: Mg/ p-Si heterojunction (HJ) at frequency (100 KHz) at different annealing temperatures have shown that these HJ were of abrupt type and the built-in potential (Vbi) increase as the annealing temperature increases.The I-V characteristics of heterojunction prepared under dark case at different annealing temperatures show that the values of ideality factor and potential barrier height increase with the increase of annealing temperature.

حى ف هزا انبحث ححض شٍ اغش تٍ CdO: Mg انشق قٍت وان فًشق انهد n-CdO:Mg/p- Si وبس كً (500±50) nmػ ذُ دسخت حشاسة انغشفت 300 K) ( باسخؼ اًل حق تٍُ انخبخ شٍ انحشاسي. ونذ جَ ان اًُرج ن ذًة ساػت واحذة ػ ذُ دسخاث حشاسةحهذ يخخهفت . (373,473)K% حى دساست انخىاص انخشك بٍ تٍ وانبصش تٌ وانكهشبائ تٍ لاغش تٍ ) 1 (CdO: Mg وان شًسبت ػهى اسض اٍث ي انضخاج كذانتنذسخت حشاسة انخهذ بانخفص مٍ.اوضحج خَائح ق اٍساث C-V نه فًشق انهد n-CdO:Mg/p- Si ػ ذُ حشدد 100KHz وػ ذُ دسخاث حشاسة حهذ يخخهفت ا ان فًشق ي ان ىُع انحاد وا خهذ انب اُء انذاخه ضٌداد يغ ص اٌدة دسخت حشاسة انخهذ .ٌٍو اوضحج خصائض I-V ف حانت انظلاو نه فًشق انهد ان حًضش وػ ذُ دسخاث حشاسة حهذ يخخهفت ا كم ي ق ىٍ ػايمان ثًان تٍ واسحفاع حاخض اندهذ حضداد يغ ص اٌدة دسخت حشاسة انخهذ .ٌٍ

Listing 1 - 8 of 8
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (8)


Language

English (6)

Arabic (1)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2019 (1)

2017 (1)

2016 (1)

2012 (4)

2009 (1)