research centers


Search results: Found 22

Listing 1 - 10 of 22 << page
of 3
>>
Sort by

Article
The Influence of Substrate Temperature on In2O3 being Structured
تأثير درجة حرارة القاعدة على تركيب الغشاء In2O3

Authors: Mehdi Q. Zayer --- Yasmeen Z. Dawood --- Mohamad S. Mohamad
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 1 Part (B) Scientific Pages: 115-121
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In2O3 thin films were grown by the chemical spray pyrolysis (CSP) method using the pneumatic spray set-up and compressed air as a carrier gas. Aqueous solutions containing InCl3.4H2O were deposited onto preheated glass sheets at substrate temperatures Ts=423–573K. X-ray differection (XRD) analysis confirmed the cubic bixbyite structure of indium oxide. The preferred growth orientation along the (211) plane for thin films. The crystallite size extracted from the XRD data corroborates the changes in full width at half maximum due to the variation in substrate temperature. It was shown that grain size of In2O3 thin film was (30)nm. Optical properties of In2O3 was studies and showed that the optical parameters (n, k α) were affected by substrate temperature.

تم تحضير اغشية رقيقة من In2O3 باستخدام طريقة الترسيب الكيميائي الحراري . المحلول المستخدم يحتوي على كلوريد الانديوم المائي والذي يرسب على على قواعد زجاجية وبدرجات حرارية تتراوح من 423 الى 573 كلفن. تم دراسة حيود الاشعة السينية لايجاد تركيب غشاء اوكسيد الانديوم. الطور السائد هو (211) لهذه الاغشية الرقيقة. تم حساب الحجم البلوري من قياس حيود الاشعة السينية وان التغير الحاصل في نتيجة للتغير في درجة حرارة القاعدة. لقد وجد ان الحجم الحبيبي لغشاء In2O3 يساوي 30 نانومتر. اما الخصائص البصرية لاغشية In2O3 والمبينة بالثوابت البصرية (معامل الانكسار, معامل الخمود و معامل الامتصاص) والتي تتاثر بدرجة حرارة القاعدة.


Article
Improved Performance of ZnO/n-Si Solar Cells
تحسين أداء الخلية الشمسية نوع ZnO/n-Si

Author: Dr. Khalid Khaleel Mohamed د. خالد خليل محمد
Journal: AL Rafdain Engineering Journal مجلة هندسة الرافدين ISSN: 18130526 Year: 2010 Volume: 18 Issue: 3 Pages: 19-28
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

AbstractThis research is intended to improve the performance of ZnO/n-Si solar cells. The structures were fabricated using thermal evaporation techniques. The indium dopant at suitable heat treatment is used to enhance the electrical characteristics of ZnO layer resulting in reducing atmospheric condition to change the stiochiometry of ZnO layer. The electric properties of the fabricated samples are dependent on many parameters such as annealing temperature, ZnO layer thickness, Indium layer thickness and temperature. The indium layer were deposited at different thickness (10-30) nm during the fabrication of the ZnO/n-Si solar cells. The resultant samples has been studied and the results obtained show an improvement in the efficiency of 0.4% compared with the standard ZnO/n-Si solar cell.Keyword: ZnO/n-Si, Indium, Thermal Evaporation

يتضمن البحث إمكانية تحسين خواص الخلايا الشمسية نوع ZnO/n-Si ، حيث تم تصنيع هذه الخلايا باستخدام تقنية التبخير الفراغي. تم ترسيب مادة الإنديوم مع مادة اوكسيد الزنك لغرض زيادة كفاءة عمل الخلية الشمسية نوع ZnO/n-Si عن طريق تقليل تأثير الظروف الجويه على طبيعة واداء مادة اوكسيد الزنك . تعتمد الخواص الكهربائية للخلايا المصنعة على عدة عوامل منها سمك كل من مادتى اوكسيد الزنك والانديوم المرسبة ، معدل الترسيب ودرجة الحرارة. تم ترسيب مادة الانديوم بسمك (10-30)nm خلال عملية تصنيع خلية ZnO/n-Si In-وبينت نتائج دراسة النماذج المصنعة إمكانية تحسين كفاءة الخلايا الشمسية نوع In-ZnO/n-Si بمقدار0.4% بالمقارنة مع نمادج .ZnO/n-Si


Article
Solvothermal Synthesis and Characterization of Indium Oxid Nanoparticles
دراسة الخصائص لأوكسيد الأنديوم النانوية

Authors: Rashed T. Rasheed راشد طالب رشيد --- Saryia D. Al-Algawi سارية ذياب العلكاوي --- Layla A. Jaffer ليلى علي جعفر
Journal: Iraqi Journal of Science المجلة العراقية للعلوم ISSN: 00672904/23121637 Year: 2016 Volume: 57 Issue: 4C Pages: 2880-2889
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this study, In2O3 was prepared by Solvothermal technique in autoclave device, which is a simple and inexpensive technique to indicate the best condition. The reaction took place between indium chloride and urea. In(OH)3 as-prepared annealing at 100°C and convert to In2O3 at annealing temperatures 300, 500, 700 °C for 90 min .The physical properties of nanoparticles were characterized by XRD, SEM, AFM, UV/Visible and FTIR spectroscopy measurements. The examination results of XRD for In2O3 powder annealed at different temperature showed the formation of a cubic phase of nanoparticles with high intensity of plane (222). The lattice constant decreases with the increase of annealing temperature (from 10.07 to 10.04 Ǻ). AFM indicated an increase in grain size of In2O3 with increasing of annealing temperatures (from 78.59 to 94.4 nm). The optical properties, transmittance of In2O3 nanoparticles at annealing temperatures 500°C have a high transparent reach to (89%) and Energy gap Increases with increasing annealing temperature in range (3.6 to 4.65 eV).

في هذا البحث، تم تحضير اوكسيد الانديوم بتقنية الضغط الحراري باستخدام جهاز الأوتكليف ، وهي تقنية سهلة ورخيصة للحصول على افضل تفاعل بين كلوريد الانديوم و اليوريا. تم تحويل هايدروكسيد الانديوم الملدن بدرجة حراره 100م° الى اوكسيد الانديوم عند درجات الحراره 300, 500, 700م° لفتره 90 دقيقة. شخصت الخواص الفيزيائية للجسيمات النانوية بواسطة قياسات حيود الأشعة السينيه , المجهر الألكتروني الماسح مجهر القوة الذرية، الأشعة فوق البنفسجية/المرئية و مطيافية الأشعة تحت الحمراء. اظهرت نتائج فحص حيود الأشعة السينية للجسيمات الملدنة عند الدرجات الحرارية المختلفة الى تكون الطور المكعبي للتركيب البلوري لأوكسيد الأنديوم مع ظهور شدة عالية للقمة (222) وتبين ان ثابت الشبيكة يقل بزيادة درجة حرارة التلدين (من 10.07الى 10.04 انكستروم). بينت نتائج فحوصات مجهرالقوة الذرية هناك زيادة في الحجم الحبيبي لاوكسيد الانديوم (من78.59 الى 94.4 نانومتر) مع زيادة درجة حرارة التلدين.اضهرت الخصائص البصرية ان اوكسيد الانديوم النانوي انة يمتلك نفاذية عالية تصل الى (%89) عند درجة تلدين (500 م◦) و زيادة فجوات الطاقة مع زيادة درجات حرارة التلدين لتتراوح (3.6-4.65 الكترون فولت).


Article
Analysis and Simulation of Carrier Transport in InP-Based Double Heterojunction Photoelectronic Device

Author: Cheng Zeng Li
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2017 Volume: 13 Issue: 3 Pages: 23-28
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

In this study, the carrier transport in InGaAs/InP double heterojunction (DHs) devices was simulated and analysed by Monte Carlo modelling. It was shown that direct modifications to the definitions of common emitter gain and base transit time r-establish the first order validity of simple analytical models of phototransistor performance based on carrier diffusion. The available evidence indicates that the correction is small, even in very narrow bases, if the base doping is high (NB ~51019 impurities/cm3). Although the corrections to the base and c-b depletion layer transit times are large, the impact on estimates of ft by simple theory is small owing to the dominance of RC time constants.


Article
Indium doping effects on growth and preparation of spray pyrolysis deposited Cd0.6Zn0.4S thin films
تأثير التطعيم بالانديوم على نمو وخصائص أغشية Cd0.6Zn0.4S الرقيقة المرسبة بطريقة الرش الكيميائي

Loading...
Loading...
Abstract

Pure and Indium doped in Cadmium Zinc Sulfide Cd0.6Zn0.4S thin films were deposited onto glass substrate at different substrate temperature (275-375)C0 , at different Indium doping concentration (1-10) ml by spray pyrolysis technique , using precursor solution of Cadmium Chloride , Zinc Chloride , and Thiourea as Cadmium , Zinc and Sulfide source respectively The effect of Indium doping on the structure and morophology of prepared thin films have been investigeted .X-ray diffraction (XRD) , scanning electron microscope (SEM) have been used examining these samples .XRD studies , have revealed that the films are polycrystalline , with preferentid orientation of the crystallites in film grown producing a strong hexagonal (002)or cubic (111) peak . the grain sizes were found in the rang of (175-339.68)nm and (214-258) nm depending on Indium dopinconcentration and annelingtemperature. And these results have been confirmed by scanning electron microscope .The best crystallinity of the films was obtained at the substrate temperature of 350 C0 and Indium doping concentration of5ml.

تم ترسيب اغشية رقيقة للمركب Cd0.6Zn0.4S النقي والمطعم بالانديوم وذلك بطريقة الرش وعلى أرضية زجاجية بدرجات حرارية C0(375-275) وبتراكيز ml (10 -1) من الانديوم وذلك بأستخدام محلول من CdCl2 , ZnCl2, S على التوالي .تم أستقصاء تأثير التطعيم بالانديوم على تركيب هذه الاغشية. استخدم طريقة حيود الاشعة السينية (XRD) والمجهر الالكتروني الماسح SEM)).ووجدت أن هذه الاغشية ذات تركيب متعدد البلورات مع قمة عند (002) سداسية التركيب و (111) مكعب التركيب . حجم الحبيبات وجدت عند مديات nm(175 - 339 ) وnm(258- 214) معتمدا على نسبة الانديوم ودرجة حرارة التلدين على التوالي .تم الحصول على أفضل خصائص تركيبية ذلك عند درجات حرارة C0 (350) وعند تركيز (5)mlللأنديوم.


Article
Gas Sensitivity of ITO Composite Prepared by Sol-Gel Method

Authors: R. J . Halbos --- S. AL-Algawi --- R.T. Rasheed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2017 Volume: 35 Issue: 10 Part (A) Engineering Pages: 981-986
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Indium oxide and indium tin oxide composite (ITO) were prepared by sol-gel dip-coating (SGDC) technique. The particles annealed at (200 ◦C, 400 ◦C). The structure and surface morphology of particles were characterized by X-ray diffraction (XRD), Atomic Force Microscope (AFM), FT-IR and UV/visible measurements. The XRD and AFM indicate decreasing in the particle size and improve of optical and electrical properties of composite with increasing of tin oxide addition. The hall measurement were used to obtain information about the type of conductivity of indium oxide and indium tin oxide thin films and carrier concentration and mobility and resistivity, the results of Hall measurements show that the In2O3 and ITO composite have n-type. The thin film of composite ITO at composition (80:20) mole ratio has high sensitivity toward CO gas compared with pure indium oxide.


Article
Proposed Photonic Integrated Circuit For Photonic Networks
مقترح الدوائر الضوئية المتكاملة للشبكات الضوئية

Author: Hassanain M. Hassan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 8 Pages: 1567-1580
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Optical technologies have great potential for the implementation of high-speedsystems due to their potential for a decrease in size, weight and powerconsumption and an increase in speed, capacity, bandwidth and integration degree.In this paper a study for the Integrated Photonics properties versus IntegratedElectronics had been presented, different types of photonic components aremaintained, the fabrication technology is explained using the Encoder/Correlatoron GaAs-Based Photonic Integrated Circuit for Photonic Networks, various limitsand challenges are discussed, different suggestion are discussed for the future.

أن التقنيات البصرية تتمتع بإمكانيات كبيرة لتنفيذ نظم عالية السرعة نظرا لصغر الحجم وأنخفاض في الوزن واستهلاك الطاقة وزيادة في السرعة والقدرة وعرض النطاق التردديودرجة التكامل. في هذا البحث سوف يتم تقديم دراسة عن خواص البصريات المتكاملةكنظير منافس للألكترونيات المتكاملة. أن أنواع مختلفة من المكونات الضؤية سوف يتم عرضهاو كذلك تكنلوجيا الصناعة قد تم شرحها بستخدام: التشفير / معدل على بلورات زرنيخيدالغاليوم الضوئية القائمة على الدوائر المتكاملة الضوئية للشبكات، أن خواص و فوائد فوسفيدالأنديوم قد تم عرضها كمثال على المواد المستخدمة في صناعة الألكترونيات الضوئية . أنمحددات مختلفة و تحديات لصناعة الدوائر الضؤية المتكاملة قد تم مناقشتها.


Article
Optical Response Chracterization of In2O3/c-Si Made by Spray Pyrolysis

Authors: O.A.A. Sultan --- R.A. Ismail
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2005 Volume: 1 Issue: 1 Pages: 11-14
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

In2O3 thin films have been deposited on silicon substrate by chemical spray pyrolysis. These films show high transparency in the visible and near-IR regions. Photoresponse of In2O3/c-Si isotype hetero-photodiode without post-deposition heat treatment has been investigated in the visible and infrared regions. Peak response situated at 600nm was observed. External quantum efficiency was 32% at peak response. C-V measurements revealed that the junction was abrupt type and built-in potential around 1eV has been obtained.


Article
Preparation and Study of Indium Oxide Nanoparticles

Authors: Rashed T. Rasheed --- Sariya D. Al-Algawi --- Sahar Z. Tariq
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2014 Volume: 10 Issue: 4 Pages: 15-19
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

In this study, In2O3 was prepared by reaction of indium acetate as precursor. The physical properties of the film were characterized by XRD, SEM, AFM, UV–visible thin film and FTIR spectroscopy measurements. The complete vibration analysis was carried out and the optimized parameters are calculated using DFT (B3LYP) method with 3-21G basis set for In2O3. A study of the electronic properties; absorption wavelengths, band gap energy, dipole moment, Kubo gap (HOMO and LUMO) and frontier molecular orbital energies, are performed by DFT method.


Article
Preparation and characterization of PLD deposited Indium Selenide thin film
تحضير ودراسة خواص غشاء من انديوم سيلنيد بطريقة الترسيب بالليزر النبضي

Authors: Khaled Z. Yahea --- Amar H. Jareeze --- Heba Salam Tariq
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 2 Part (B) Scientific Pages: 264-270
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Indium Selenide films were deposited by pulsed laser deposition (PLD) with a Nd-YAG laser under vacuum condition. During the deposition, the substrates were kept at room temperature. The typical thicknesses of films were 200nm, 800 nm. The films were analyzed by X-ray diffraction for the crystallographic, the surface morphology of the film were investigated by AFM. It has been observed that grain growth depend on film thickness. The optical properties were characterized in the ultraviolet–visible region employing optical transmission, absorption, band gap. The direct optical band gap value for the films was found to be of the order of (2.2, 2.1) eV for thickness (200,800) nm respectively at room temperature.

تم تحضير اغشية من انديوم سيلنيد بطريقة الترسيب بالليزر النبضي بليزر نيديموم-ياك تحت الضغط الجوي تم الحفاظ على حرارة القاعدة المرسبة عليها في درجة حرارة الغرفة. كان سمك الغشية المحضرة 200نانومتر و 800 نانومتر تم دراسة خاصية التبلور باستخدام حيود الاشعة السينية . تم دراسة تضاريس السطح بواسطة مجهر القوى الذرية وتم ملاحظة الحجم الحبيبي يعتمد على سمك الغشاء المحضر اما الخواص البصرية النفاذية والامتصاصية وفجوة الطاقة تم دراستها بالمنطقة المرئية والفوق البنفسجية ووجد ان فجوة الطاقة تساوي 2.2,2.1 لسمك الاغشية 200 نانومتر و800 نانومتر على التوالي بدرجة حرارة الغرفة .

Listing 1 - 10 of 22 << page
of 3
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (22)


Language

English (20)

Arabic (1)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2018 (5)

2017 (2)

2016 (4)

2015 (2)

2014 (2)

More...