research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Study on Temperature and Etching Effects on Silicon Oxide Formation Using Laser Ellipsometric Method
دراسة تأثير درجة الحرارة والتنميش في تكوين أوكسيد السيليكون بأستخدام طريقة تدوير مستوى استقطاب الليزر

Authors: Khalid Z. Yahiya --- Ammar M. Al-Baldawi --- Ammar H. Jraiz
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: 6 Pages: 797-807
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, a laser ellipsometric method is implemented to study theformation of oxide films on silicon substrate at room temperature in air. Twolasers, He-Ne and semiconductor diode, as well as a tungsten halogen lamp,were used as a light source in this method to show the importance ofcoherency for accurate results. The thickness of oxide layer was measured andthe results is compared with that calculated for a monolayer of oxide.Behavior of thermally formed oxides was studied using ellipsometry todetermine polarizer angle as a function of etching time.

في هذا البحث استخدمت طريقة تدوير مستوى استقطاب شعاع الليزر لدراسة تكوين أغشيةالاوكسيد على قاعدة سيليكونية في الهواء عند درجة حرارة الغرفة اس تخدم نوعان منالليزرات الأول ليزر الهليوم–نيون والثاني ليزر أشباه الموصلات كما استخدم مصباح التنكستنكمصادر ضوئية في هذه الطريقة لبيان أهمية التشاكه على دقة النتائج.جرت قياس سمك طبقة الاوكسيد ومقارنتها بالنتائج المحسوبة لطبقة أحادية من الاوكسيد .جرى در اسة سلوك الاكاسيد المتكونة حراريا باستخدام تقنية تدوير مستوى الاستقطاب لتحديدزاوية الاستقطاب كدالة لزمن التنميش.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2007 (1)