research centers


Search results: Found 4

Listing 1 - 4 of 4
Sort by

Article
Electronically Tunable Single-Input Multi-Output Current- Mode Biquad Filter Suitable for Easy Cascading
مرشح من الدرجة الثانية احادي المدخل و متعدد المخارج يعمل في طور التيار ممكن ضبطه الكترونيا و ملائم للربط على التوالي

Author: Muhammed Abdulbaki Ibrahim
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 10 Part (A) Engineering Pages: 1972-1981
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

This paper presents a new current-mode (CM) multi-function filter with one input and three outputs. The filter uses only three multi-output inverting second generation current conveyors (ICCIIs), two grounded capacitors and two MOS resistors. Without using any external passive elements, the proposed circuit can simultaneously realize lowpass (LP), bandpass (BP) and highpass (HP) responses without any matching or cancellation conditions, all at high impedance outputs which is important for easy cascading in CM operation. The bandstop (BS) and allpass (AP) responses can be obtained by connecting appropriate output currents directly without using additional active elements. The parameters ωo and Q, can be electronically tuned by adjusting the bias voltages of the MOS resistances. The proposed circuit enjoys low sensitivities.

هذا البحث يقدم شكلا جديدا من مرشح متنوع الدوال يعمل في طور التيار له مدخل واحد مع ثلاثة مخارج. يستخدم المرشح فقط ثلاثة من الدوائر الفعالة من نوع (الجيل الثانى من ناقلات التيار العاكسة ICCII,) ذات المخارج المتعددة مع مكثفين ارضيين و مقاومتين مصنوعتين من ترانزستورات الMOS. من دون استخدام اية عناصر خارجية غير فعالة يمكن للدائرة المقدمة ان يستجيب لثلاثة انواع من المرشحات وهي مرشح امرار ترددات واطئة (lowpass) و مرشح امرار ترددات نطاقي (bandpass) و مرشح امرار ترددات عالية (highpass)في ان واحد دون اللجوء الى شروط التوليف او الحذف و كلها عبر مخارج ذات ممانعات عالية و التي هي مهمة في حالات الربط على التوالي للدوائر العاملة في طور التيار. و اما بالنسبة لاستجابة المرشح من نوع امرار كلي (allpass)و مانع نطاقي (bandstop) فيمكن تكوينهما بسهولة بربط التيارات الخارجة انفة الذكر و المناسبة لكل واحد منهما مباشرة دون استخدام اية عناصر فعالة اضافية. يمكن ضبط معاملي المرشح و هما التردد الوسطي (central frequency, ωo) و عامل الجودة(quality factor, Q) الكترونيا و ذلك بواسطة ضبط فولتية بوابة ترانزستورات الMOS المكونة للمقاومتين المستخدمتين. يتمتع المرشح بحساسية واطئة.


Article
Preparation and Characterization of MOS Device using MgO Film as A Dielectric Material
تحضیر ودراسة خصائص غشاء اوكسید المغنیسیوم باستخدام تقنیة لترسیب باللیزر النبضي

Authors: Farhan A. Mohamed --- Evan T. Salem
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 21 Pages: 6253-6262
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, fabrication and characterization of Al/MgO/Si MOSdevice has been carried out using PLD as a deposition technique, and forcomparison Al/SiO2/Si MOS device has been also constructed. The obtainedresult show that , The Electrical and photovoltaic characteristics of MOS device are strongly dependent on the oxide type and thickness, beside that, the C-V measurement reveled that prepared device are of abrupt type. The Spectral Responsivity measurement of (Al/MgO/Si) MOS device is found to be 0.27A/W while of (Al/SiO2/Si) MOS device is 0.20A/W and the Rise and Response time measurement of (Al/MgO/Si) MOS device was shorter than of (Al/SiO2/Si) MOS device.

باستخدام (Al/MgO/Si) ( MOS) في ھذا البحث ، تم صنیع ودراسة خصائص نبیطھ نوع Al/SiO2/Si) تقنیھ الترسیب باللیزر النبضي ، ولاجل المقارنھ تم تصنیع نبیطة من نوع اضھرت النتائج التي تم الحصول علیھا ان الخصائص الكھربائیة والبصریھ للنبائط ، ((MOS) المحضره تعتمد بصوره كبیره على نوع الاوكسید المستخدم ،كذلك اظھرت خصائص سعة –جھد كانت (Al/MgO/Si) ان النبائط من النوع الحاد . خصائص الاستجابیة الطیفیة للنبیطھ نوع 0.20 اما نتائج A/W وجدت لتكون (Al/SiO2/Si) 0.27 بینما للنبیطھ الثانیھ نوع A/W حوالياقصر من مثیلة للنبیطھ نوع (Al/MgO/Si) زمن النھوض فبینت ان زمن النھوض للنبیطھ نوع.(Al/SiO2/Si)


Article
New Analysis to Measure the Capacitance and Conductance of MOS Structure
تحليلات حديثة لقياس التسعة والتوصيلية في تركيبة ال (MOS)

Authors: Dr. L. S. Ali د. لقمان سفر علي --- Dr. W. F. Mohamad د. وكاع فرمان محمد
Journal: AL Rafdain Engineering Journal مجلة هندسة الرافدين ISSN: 18130526 Year: 2006 Volume: 14 Issue: 1 Pages: 47-57
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

Abstract :In this research thin film layers have been prepared at alternate layers ofresistive and dielectric deposited on appropriate substrates to form four – terminal RY-NR network. If the gate of the MOS structures deposited as a strip of resistor filmlike NiCr, the MOS structure can be analyzed as R-Y-NR network. A method ofanalysis has been proposed to measure the shunt capacitance and the shuntconductance of certain MOS samples. Matlab program has been used to compute shuntcapacitance and shunt conductance at different frequencies. The results computed bythis method have been compared with the results obtained by LCR meter method andshowed perfect coincident with each other.Keywords: Thin Film R-Y-NR Network; MOS R-Y-NR Network

الخلاصة:في هذا البحث تم تصنيع طبقات أغشية رقيقة متتالية من المقاومات والعوازل على طبقة أساس معينة وذلكSiO ذات أربعة أطراف. فإذا كانت طبقة الأساس هي السيلكون كشبه موصل والأوكسيد 2 R-Y-NR لبناء دائرة.(MOS) من تركيبة ال ( R-Y-NR) فبذلك تتكون دائرة (NiCr) كعازل والبوابة هي طبقة مقاومة من النيكروموعلى هذا الأساس تم تحليل هذه الدائرة ومن ثم استخرجت قيم المتسعة والتوصيلية من خلال استخدام برنامجوفي ترددات مختلفة. وللتأكد من صلاحية هذه الطريقة وصحتها فقد قورنت نتائج مستحصلة (MATLAB) الللقياس لنفس النماذج فكان هناك تطابقًا (LCR) بهذه الطريقة لتراكيب معينة مع تلك التي استحصلت من جهاز المتكام ً لا للنتائج في الطريقتين.


Article
A Proposed Measurement for Video Quality of Experience

Authors: Rana Fareed Ghani --- Amal Sufiuh Ajrash
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2019 Volume: 22 Issue: 3 Pages: 75-81
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Technological development in the last years leads to increase the access speed in the networks that allow a huge number of users watching videos online. The Quality of Experience (QoE) Knowledge of services that provide from the network is a very critical matter to have a strong design of multimedia streaming networks. This paper provides a video streaming QoE prediction metric that does not require any information on the reference video. The proposed system extract numbers of features from videos that used to train the neural network and finally prediction the QoE value. Verify models prediction using 10-fold cross-validation that in a regular way split dataset (training set and test set) with multiple percentages. The proposed system verifies the best result.

Listing 1 - 4 of 4
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (4)


Language

English (4)


Year
From To Submit

2019 (1)

2013 (1)

2010 (1)

2006 (1)