research centers


Search results: Found 4

Listing 1 - 4 of 4
Sort by

Article
Thin Films Ablation by Induced Forward Transfer Technique
إزالة الاغشية الرقيقة باستخدام تقنية انتقال الليزر المحتث المباشر

Authors: Adawiya J. Haider --- Iman H. Hadi
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 8 Pages: 1405-1414
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Laser-Induced Forward Transfer (LIFT) is a technique which enables thecontrolled transfer of a thin film material from a transparent carrier (donor) to areceiver substrate (acceptor). The receiver substrate is usually placed in paralleland close to the thin film source under air or vacuum conditions. In this workmicrodeposition of gold (Au) and Copper (Cu) thin films were deposited on glasssubstrate by Pulsed Laser Deposition (PLD). These thin films were irradiated by asingle pulse and transferred to a silver (Ag) and silicon (Si) receiver substrates. Thelaser source used for this study was a Nd-YAG Q-Switching second harmonicgeneration (SHG) Pulsed Laser with a wavelength 532nm, repetition rate 1-6 Hz,and pulse duration 10ns. Deposited size, morphology and adhesion to the receiversubstrate as a function of applied laser fluence are investigated.

الانتقال الامامي المحتث بالليزر هو تقنية تسيطر على انتقال جزء من الغشاء الرقيق للمادةمن الحاملات الشفافة (الواهبة) الى القواعد المستلمة (القابلة) ،وعادة ما توضع القواعد المستلمةبموازاة وبالقرب من الغشاء الواهب وتتم العملية في الجو او تحت ظروف الفراغ. في هذا البحثتم ترسيب اغشية رقيقة من معدني الذهب والنحاس على قواعد من الزجاج (الواهبة) بواسطةالترسيب بالليزر النبضي . تم تسليط نبضات منفردة على هذه الاغشية وتم نقلها الى قواعد منالفضة والسليكون. مصدر الليزر المستخدم في هذه الدراسة هو ليزر النيديميوم- ياك يعمل بنمط6 هرتز وآمد نبضة 10 - التولد التوافقي الثاني( بطول موجي 532 نانومتر و تكرارية 1نانوثانية).حجم الغشاء المرسب على القاعدة المستلمة ، طوبوغرافية السطح ،وقوة الالتصاق بينالغشاء والقاعدة المستلمة تم دراستها كدالة لكثافة طاقة الليزر المستخدم.


Article
Impact of Laser Induced Forward Transfering on Transfer of Escherichia Coli Bacteria
الانتقال الامامي المحتث بالليزر لنقل بكتريا E.coli

Authors: Adawiya J. Haider --- Amer T. Tawfeeq --- Amar H. Jareeze
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 5 Part (B) Scientific Pages: 885-891
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Laser Induced Forward Transfer (LIFT) is a technique uses to print different materials with high spatial resolution for microarray preparation. In this work, the mechanism in which LIFT process effect E.coli bacteria used to produce microarray droplets from a liquid solution thin film coated a glass slide previously coated with gold of 65nm thick which was used as a laser absorbing layer. The transferred bacteria was achieved at laser fluence of 10 J/cm2 and 100 µm distance between donor and receptor substrates.The purpose of using such a technique was to assess the impact of laser on the viability of the transferred bacteria. Scanning electron microscope observation indicated that E.coli bacterial cells integrity was maintained during the process. The bacteria was viable as tested using MacConkey agar culture media.

النقل الامامي المحتث بالليزر تقنية تستعمل لنقل مختلف المواد وبدقة مكانية عالية لتحضير مجموعات بحجم مايكرومتر في هذا البحث , الية تاثير البكتريا E.coli المستعملة لانتاج قطيرات مايكروية من محلول سائل على شكل غشاء يغطي شريحة زجاجية قد طليت مسبقا بالذهب بسمك 65 نانومتر والتي تستعمل كطبقة ماصة لاشعة الليزر , طاقة اشعة الليزر المستعملة لنقل البكتريا كانت 10جول/سم2 و 100مايكرومتر المسافة بين المانح والطبقة القابلة . الغرض من استعمال هذه التقنية هو تقييم تاثير الليزر على قابلية النمو البكتريا المنقولة , اشار المجهر الالكتروني الماسح ان البكتريا المنتقلة سليمة والتي تم فحص النمو بواسطة الوسط المغذي .


Article
Transfer of Metal Thin Films by Laser Induced Forward Technique

Author: Iman H. Hadi
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2016 Volume: 19 Issue: 3 Pages: 87-91
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In this work preparation and characterization of Aluminum thin films by laser induced forward transfer has been studied. These thin films were deposited by thermal evaporation on glass substrates as donor substrates. These thin films were irradiated by a single pulse and transferred to a silver (Ag) and silicon (Si) receiver substrates. The laser source used for LIFT process was a Nd-YAG Q-Switching second harmonic generation (SHG) Pulsed Laser with a wavelength 532nm, repetition rate 1-6 Hz ,and pulse duration 10ns. Deposited size, morphology and adhesion to the receiver substrate as a function of the applied laser fluence are investigated.

في هذا العمل تم تحضير ودراسة خصائص الألمنيومِ بطريقة الانتقال المحتث المباشر بالليزر. تم تحضير اغشية الالمنيوم بطريقة التبخير الحراري كأغشية واهبة. تم تسليط نبضات منفردة على هذه الاغشية وتم نقلها الى قواعد من الفضة والسليكون. مصدر الليزر المستخدم في هذه الدراسة هو ليزر النيديميوم- ياك يعمل بنمط التولد التوافقي الثاني (بطول موجي 532 نانومتر و تكرارية 1-6 هرتز وآمد نبضة 10 نانوثانية). حجم الغشاء المرسب على القاعدة المستلمة, طوبوغرافية السطح, وقوة الالتصاق بين الغشاء والقاعدة المستلمة تم دراستها كدالة لكثافة طاقة الليزر المستخدم.


Article
Effect of Substrate Temperature on the Structural and Morphological Properties of Nano-structure ZnO films by Pulsed Laser Deposition

Authors: Adawiya J. Haider --- Afnan k. yousif
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2011 Volume: 29 Issue: 1 Pages: 58-64
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, ZnO thin films were grown on sapphire (0001) substrate byPulsed Laser Deposition using SHG with Q-switched Nd:YAG pulsed laser operationat 532nm in O2 gas ambient 5×10-2 mbar at different substrate temperatures varyingfrom room temperature to 500°C. The influence of the substrate temperature on thestructural and morphological properties of the films were investigated using XRD andSEM. As result, at substrate 400°C, a good quality and crystalline films were depositedthat exhibits an average grain size (XRD) of 22.42nm with an average grain size(SEM) of 21.31nm.

Listing 1 - 4 of 4
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (4)


Language

English (4)


Year
From To Submit

2016 (1)

2014 (1)

2012 (1)

2011 (1)