research centers


Search results: Found 15

Listing 1 - 10 of 15 << page
of 2
>>
Sort by

Article
Correlation between Thickness, Grain Size and Optical Band Gap of CdI2 Film
الترابط بين السمك والحجم الحبيبي مع فجوة الطاقة البصرية لأغشية يوديد الكادميوم

Author: Modaffer A. Mohammed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 6 Pages: 1174-1183
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Structural and optical property was studied as a function of film thickness forthermally evaporated CdI2 films. Stoichiometric films (up to 250 nm thickness) showinghexagonal structure, and good c-axis alignment normal to glass substrate plane. Theoptical absorption data indicate an allowed direct inter – band transition near theabsorption edge with optical energy gap varies continuously from 2.9 eV to 3.6 eV.Partof the optical data was fitted to an indirect type transition to determine the indirect opticalenergy gap which also varies continuously from 2.2 eV to 3.1 eV . Both energy gapsshow thickness dependences, which can be explained qualitatively by a thicknessdependence of the grain size through the decreasing of the grain boundary barrier heightwith grain size.

درست الخصائص البصرية والتركيبية كدالة لسمك أغشية يو ديد الكادميوم المحضرة بالتبخير250 ) تركيبا سداسيا وترصيف جيد في nm الحراري.أظهرت الأغشية المتوازنة كيماوي ا(لحد سمكالعمودي على القواعد الزجاجية .بينت قيم الامتصاص البصري انتقالات مباشرة (c-axis) المحور.(2.9eV to 3.6eV) مسموحة بين الحزم قرب حافة الامتصاص وبفجوة طاقة بصرية متغيرة ما بينجزء من القيم البصرية كانت مطابقة للانتقالات غير المباشرة وبها حددت فجوة طاقة بصرية غير2.2 ).أظهرت كلا فجوتي الطاقة اعتمادا على السمك,والذي eV to 3.1eV) مباشرة متغيرة أيضا مابينيمكن تفسيره كميا بأعتماد الحجم الحبيبي على السمك من خلا ل تناقص ارتفاع حاجز الجهد عند الحدودالبلورية مع الحجم الحبيبي.


Article
Study the Optical properties of Poly (vinyl alcohol) Doped Cupper Chloride

Authors: Mustafa Abdallh --- Osama Hamood --- Emad Yousif
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2013 Volume: 16 Issue: 1 Pages: 17-20
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

The change in the optical band gap and optical activation energy have been investigated for pure and doped Poly (vinyl alcohol) films with different cupper chloride concentrations. The optical properties were measured in the wave length range from (200-800) nm at room temperature. The optical band gap (Eg) for allowed direct transition decrease with increase the concentration of cupper chloride. The optical activation energy for allowed direct transition band gap was evaluated using Urbach- edges method.

تم فحص التغيير في فــجوة الطاقه المحضورة وطاقة التنشــيط لشرائح مركب PVA النقي والمشوب من خلال الامتصاص البصري للاطوال الموجية من (200-800) نانوميتر. ان فــجوة الطاقة المحضورة تقل بزيادة تركيز ملح كلوريد النحاس. وان طاقة التنشــيط للانتقال المباشر تم حسابها باستخدام طريقة Urbach-edges.


Article
Optical Investigations of CdSe1-x Tex Thin Films
الاستقصاء البصري لاغشيةCdSe1-xTex الرقيقة

Loading...
Loading...
Abstract

The alloys of CdSe1-xTex compound have been prepared from their elements successfully with high purity (99.9999%) which mixed stoichiometry ratio (x=0.0, 0.25, 0.5, 0.75 and 1.0) of (Cd, Se and Te) elements. Films of CdSe1-xTex alloys for different values of composition with thickness(0.5m) have been prepared by thermal evaporation method at cleaned glass substrates which heated at (473K) under very low pressure (4×10-5mbar) at rate of deposition (3A˚/s), after that thin films have been heat treated under low pressure (10-2mbar) at (523K) for two hours.The optical studies revealed that the absorption coefficient (α) is fairly high. It is found that the electronic transitions in the fundamental absorption edge tend to be allowed direct transition. It was also found that the optical energy gap vary non-linearly with composition (x) and have a minimum value at x=0.5 and increases after heat treatment.It is found that the optical constants vary non-linearly with composition, and the behavior inverse at x=0.5, and affected by heat treatment. The behavior of 1 is similar to the behavior of n, while the behavior of 2 is similar to the behavior of k.

تم تحضير سبائك المركب CdSe1-xTex بنجاح من عناصرها الأولية بنقاوة عالية (%99.9999) بخلط نسب العناصر (x = 0.0, 0.25, 0.5, 0.75, 1.0) من (Cd, Se, Te)، واستخدم تحليل مطياف الامتصاص الذري لمعرفة تركيز العناصر في السبيكة. وكذلك أجريت فحوصات حيود الأشعة السينية ولوحظ أن السبائك تملك تركيباً متعدد البلورات. حضرت أغشية رقيقة من سبائك CdSe1-xTex لقيم مختلفة من التراكيز بسمك (0.5μm) بطريقة التبخير الحراري على قواعد نظيفة من الزجاج المسخن بدرجة حرارة 473K تحت ضغط واطئ جدا (4×10-5mbar) بمعدل تبخير (ِs 3 A) وبعد ذلك تمت معاملة الأغشية حراريا تحت ضغط واطئ (10-2mbar) بدرجة حرارة 523K لمدة ساعتين.من الدراسة البصرية تبين أن قيم معامل الامتصاص (α) عالية بعض الشيء، ووجد ان الانتقالات الإلكترونية عند حافة الامتصاص الأساسية كانت من نوع الانتقال المباشر المسموح، وان فجوة الطاقة البصرية تتغير بشكل غير خطي مع التركيز (x) وتملك أوطأ قيمة لها عند x=0.5، وكذلك وجد أن فجوة الطاقة البصرية تزداد قليلا بعد المعاملة الحرارية.استخدم طيف النفاذية في إيجاد الثوابت البصرية (n, k, ε1, ε2)التي تم حسابها بوساطة طريقة سوانبل (Swanepoel) باستخدام النفاذية العظمى TM والنفاذية الصغرى Tm في تقنية الغلاف.وتبين ان الثوابت البصرية جميعها تتغير بشكل غير خطي مع التركيز وان انقلاب السلوك يكون دائما عند x=0.5، وجد انها تبدي تأثرا بعد معاملة الأغشية حراريا. وكان تصرف الجزء الحقيقي لثابت العزل مشابها لتصرف معامل الانكسار، بينما الجزء الخيالي لثابت العزل كان مماثلا لتصرف معامل الخمود.


Article
Preparation of HgI2 Films Using Solvent Evaporation
تحضير غشاء من يوديد الزئبق باستخدام تقانة تبخير المحلول

Author: Gaafar M. Mousa
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 16 Pages: 2885-2893
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

A deposited layer of HgI2 has been prepared by using the solution technique. This technique takes a long time about (10 days) to get a film. The deposition time in this work reduced to (24 hours). The film consist of 2.25 mm thick layer of HgI2.The band gap energy and type of optical transition were determined from transmission spectra, and an optical band gap of Eg =2.12 eV for direct transition was estimated. x-ray diffraction of HgI2 to film shows a preferential orientation of peaks (101) and (102).

تم ترسيب اغشية يوديد الزئبق باستخدام تقانة تبخر المحلول.هذه التقانة تتطلب زمن ترسيب طويل بحدود 10 ايام,في بحثنا هذا تمكنا من الحصول على أغشية يوديد الزئبق بزمن ترسيب أقل بحدود 24 ساعة وبسمك 2,25 مايكرومتر.تم قياس النفاذية الطيفية ومن خلالها تم حساب قيم معامل الامتصاص وفجوة الطاقة وكانت بحدود 2,12 الكترون فولت.من خلال قياسات حيود الاشعة السينية . (102), ( اتضح لنا أن الاغشية هي متعددة البلورات وذات توجهية أفضل للمستويات البلورية ( 10


Article
Preparation and Characterization of Self-Assembled n-ZnS Thin Films

Authors: C. Mehta --- J.M. Abbas --- G.S.S. Saini --- S.K. Tripathi
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2008 Volume: 4 Issue: 4 Pages: 31-34
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

We have synthesized ZnS nano-crystalline (n-ZnS) powder using zinc acetate and thiourea from chemical route at different pH. The average crystal size is determined as 3-5 nm with the help of X-ray diffraction. The formation of ZnS has been confirmed with the help of infrared (IR) spectroscopy by observing bands corresponding to the multi phonon absorption. IR spectrum also confirms presence of the capping agent on ZnS. Thin films of ZnS have also been deposited on glass and quartz substrates from the solution using self-aggregation approach. Refractive index (n) of the films is also determined. The optical band gap is calculated from the Tauc’s extrapolation and is found to be dependent on pH of the bath solution. Electrical conductivity measurements have been done on these thin films and the activation energy has been calculated.


Article
The optical properties of a- (GeS2)100-xGax thin films
الثوابت البصرية لأغشيةGeS2)100-xGax) الرقيقة

Authors: M.A.Kadhem محمد عبدالحر كاظم --- Bushra A.Hasan بشرى عباس حسن --- R.M.S.Al-Haddad رعد محمد صالح الحداد
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2013 Volume: 11 Issue: 21 Pages: 28-36
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films whose compositions can be expressed by (GeS2)100-xGax (x=0, 6,12,18) formula were obtained by thermal evaporation technique of bulk material at a base pressure of ~10-5 torr. Optical transmission spectra of the films were taken in the range of 300-1100 nm then the optical band gap, tail width of localized states, refractive index, extinction coefficient were calculated. The optical constants were found to increase at low concentration of Ga (0 to12%) while they decreases with further addition of Ga. The optical band gap was found to change in opposite manner to that of optical constants. The variation in the optical parameters are explained in terms of average bond energy of the system.

تم تحضير أغشية المركب(GeS2)100-xGax وبنسب مختلفة من المحتوى0,6,12,18%)) بواسطة التبخير الحراري تحت ضغط مقداره torr 10-5 .تم الحصول على طيف النفاذ للأغشية المحضرة ضمن المدى300-1100 nm ومن ثم تم حساب فجوة الطاقة البصرية,عرض الحالات الموضعية, و الثوابت البصرية.لقد أظهرت الثوابت البصرية ازديادا عند إضافة الكاليوم بنسب واطئة (من 0 الى 12 %)لكنها تناقصت بعد زيادة نسبة الكاليوم. فجوة الطاقة البصرية أظهرت سلوكا معاكسا لسلوك الثوابت البصرية.تم تفسير تغير المعلمات البصرية بدلالة تغير طاقة آصرة المنظومة.


Article
THE EFFECT OF SPIN COATING SPEED AND DEPOSITION PARAMETERS ON THE CRYSTALLINE SIZE OF ZnO THIN FILMS
تأثير الطلاء بالدوران السريع والترسيب على الواح رقيقة من اوكسيد الزنك الراتنجي ZnO

Authors: Aqeel Ali Al-Attar عقيل علي ناظم --- Safaa Mohammad Hasony صفاء محمد حسوني --- Ali Hussein Ali علي حسين علي
Journal: DIYALA JOURNAL OF ENGINEERING SCIENCES مجلة ديالى للعلوم الهندسية ISSN: 19998716/26166909 Year: 2013 Volume: 6 Issue: 4 Pages: 100-106
Publisher: Diyala University جامعة ديالى

Loading...
Loading...
Abstract

ZnO thin films have been deposited onto the glass-substrates by the sol-gel spin coating method at different chuck rotation rates. This method was used for the preparation of thin films on the important semiconductors ІІ-VІ. The effect of deposition parameters on the structural, optical and electrical properties of the ZnO thin film was investigated. Zinc acetate dehydrate, 2- methoxethanol and monoethanolamine (MEA) were used as a starting material, solvent and stabilizer, respectively. XRD of the dried gel showed that weight loss continued until 300°C, with smallest particle size at 400 rpm spin coating speed.

تم في هذا البحث الترسيب لمادة أوكسيد الزنك ZnO الراتنجي على ألواح زجاجية مختبرية بطريقة الطلاء بالدوران وبسرع دوران مختلفة، ودراسة تأثير سرعة الدوران ومتغيرات أخرى كنسبة المواد على تحضير طبقات رقيقة من ZnO المستخدمة في صناعة أشباه الموصلات. وأجري عليها فحوصات يود الأشعة السينية وفحص مطيافية الأشعة تحت الحمراء، أنه تم الحصول على أنعم حجم بلوري عند درجة حرارة تجفيف 300°C وعند سرعة دوران 400 rpm.


Article
Synthesis of Si Nanoparticles by Milling Technique
انتاج جسيمات السيلكون النانوية بتقنية الطحن الميكاني

Author: Khawla S. khashan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 7 Part (B) Scientific Pages: 829-836
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Silicon (Si) nanopartilces which studied are in the size range (7 – 23 nm) have been synthesized by mechanical milling. The milled powder was etched by HF & CH3COOH acids. The size, structural, and optical characterization of these nanoparticles were determined by X-ray diffraction(XRD),Atomicforce microscopy (AFM),Fourier transform infrared spectroscopy (FTIR) and UV-VIS spectroscopy. The result confirmed that Si isnanoparticles in crystal phase with band gap 3.15eV, due to the effect of quantum confinement. This technique has been shown to have an advantage over other methods of producing nanoparticles because of low cost, small particles size, low agglomeration, narrow size distributions and uniformity of crystal structure and morphology

تم دراسه تحضير الجسيمات النانويه من السيلكون والتي هي بحجم يترواح من (7 – 23 (nm بطريقه الطحن الميكانيكيه . تم اظهار المسحوق المطحون بواسطة الاحماضHF & CH3COOH .و حددت الخصائص البصريه والتركيبيه والحجمباستخدام حيود الاشعه السينيه ( (XRDو مجهر القوى الذريه ( AFM)وتحويل فورييه الطيفيه تحت الحمراء ((FTIR والتحليل الطيفي للاشعه المرئيه وفوق البنفسجيه (UV-VIS). أكدت النتيجةأنالجسيمات النانويه من السيلكون Si هي بالطور البلوري مع فجوه طاقه 3.15 eV، ويرجع ذلك إلىتأثيرالحصر الكمي.وقد تبين أنهذه التقنية لديها مزايا أكثر منغيرها من أساليبانتاج الجسيمات النانويه من حيث انخفاض الكلفه وحجم الجسيمات الصغيره وانحفاض التكتل وضيق التوزيعات الحجميه وتجانس التركيب البلوري وطبيعه السطح.


Article
Deposition Angle Effect on the Optical Properties of Obliquely Deposited (SnTe) Thin Films Prepared by Thermal Evaporation
تأثير زاوية الترسيب على الخواص البصرية لأغشية (SnTe) المرسبة بشكل مائل والمحضرة بطريقة التبخير الحراري

Authors: Raad S.A.Al – Rawie رعد سعيد عبد --- Ahmed I. Jawad احمد ابراهيم جواد
Journal: Journal of College of Education مجلة كلية التربية ISSN: 18120380 Year: 2016 Issue: 1 Pages: 65-77
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

The Tin Telluride thin films of obliquely and normal deposited were prepared using thermal evaporation method at pressure of 10-6 torr on glass substrates at room temperature. The optical band gap of films has been determined from the transmission and absorption spectra. The optical band gap of as-grown films has been found to have direct band gap of ~(1.8, 1.62, 1.47) eV for deposition angle θ = (0 ̊ , 40° , 70 ̊ ) respectively. The optical band gap of SnTe thin films decreases with angle of deposition increases.

تم في هذا البحث دراسة الخصائص البصرية لأغشية (SnTe) المحضرة بطريقة الترسيب الحراري الفراغي تحت ضغط (10-6 Torr) على قواعد زجاجية عند درجة حرارة الغرفة وبزوايا ترسيب مختلفة θ=(0°,40°,70°) وبسمك10 nm) (50nm±. وقد تم تحديد فجوة الطاقة المسموحة من أطياف الامتصاصية و النفاذية وان زيادة زاوية الترسيب له تأثير واضح في تقليل النفاذية وزيادة الامتصاصية مع إزاحة نحو الأطوال الموجية الطويلة. أما بالنسبة لفجوة الطاقة المباشرة المسموحة فتقل بين eV (1.8) و eV (1.47) على التوالي عند زيادة زاوية الترسيب بين (70°,0°).


Article
-radiation Effect on Some Electrical Properties and Optical Energy Gap of a - Ge1-xSbx Thin Films
تأثير أشعة كاما على بعض الخواص الكهربائية وفجوة الطاقة البصرية لأغشية a - Ge1-xSbx الرقيقة

Authors: عبد الله سعيد عاشور --- فيصل علي مصطفى --- إكرام عطا عجاج
Journal: journal of kerbala university مجلة جامعة كربلاء ISSN: 18130410 Year: 2010 Volume: 8 Issue: 1 Pages: 282-291
Publisher: Kerbala University جامعة كربلاء

Loading...
Loading...
Abstract

The a-Ge1-xSbx thin films of (250±20) nm thickness were fabricated according to the weight percentages (x = 0.5, 1, 1.5, 2)%wt, by using the thermal evaporation technique under vacuum (10-6mbar) and (2.7±0.05)Ao/s. The specimens have been exposed to(500rad) -ray. The D.C. electrical measurement were carried out in a range of 0 -3Vol. The effect of -radiation on Hall parameters and optical energy gap were investigated for determining the no. of carriers and controlling on optical energy gap of semiconductors. The examination x-ray diffraction showed that all the films have amorphous nature. There are two activation energies for all films of n-type at (493-305)K that the carriers increase to (41.67 x 1019 cm-3)by increasing the percent to x=2,and they showed a decrease after exposed to radiation to(29.76 x 1019 cm-3) at the same value of x. But the mobility decrease to (0.140 x 10-3 cm2/V.s)by increasing of x to 2 percentage and they are increasing after exposure to  - rays with (0.170 x 10-3 cm2/V.s). The optical energy gap is (0.840eV) for a-Ge(unexposed to -rays), but becomes (0.872eV) after exposure , but it is increasing from (0.786eV) to (0.815eV)after exposed to radiation at x=2. This indicates an absorption edge shift towards high energies due to the effect of radiation.

حضرت أغشية الجرمانيوم النقية والمطعمة بالأنتيمون( (a - Ge1-xSbx في ضوء النسبة الوزنية (x=0.5, 1, 1.5, 2)% wt باستخدام تقنية التبخير الحراري تحت تفريغ ضغط Torr 6-10 ، ثم عرضت النماذج الى جرعة rad500 من أشعة كاما وفحصت بحيود الأشعة السينية قبل التشعيع وبعده وتبين أنها ذات طبيعة عشوائية، وان لجميع الأغشية المحضرة طاقتي تنشيط عند درجة حرارة , (493-305)K وأنها نوعn وتركيز حاملات الشحنة قد ازداد الى قيمة( (41.67 x 1019 cm-3 بزيادة نسبة التطعيم الى 2% ,وتقل بعد التعرض للإشعاع الى قيمة (29.76 x 1019 cm-3) ، لكن التحركية قد قلت الى قيمة 0.140 x 10-3 cm2/V.s بزيادة النسبة الى 2 لكنها تزداد بعد التعرض للإشعاع الى قيمة (0.170 x 10-3 cm2/V.s). . أما قيمة فجوة الطاقة البصرية لغشاء الجرمانيوم النقي العشوائي فكانت (0.840eV) وأصبحت (0.872)eV بعد التعرض للإشعاع.لكنها تزداد من قيمة (0.786eV) الى قيمة (0.815eV) عند النسبة 2 = x ،وهذا يعني انحراف حافات فجوة الطاقة نحو قيمة الطاقة العليا.

Listing 1 - 10 of 15 << page
of 2
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (15)


Language

English (14)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2018 (1)

2016 (1)

2015 (3)

2014 (1)

2013 (4)

More...