research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
The Photoluminescence Characteristics of Partially and Fully (P-N) Porous Silicon
خصائص التلؤلؤ الضوئي لطبقة (p-n) السيليكون المسامي جزئياً وكامل الاختراق.

Authors: Alwan M. Alwan --- Muna. S. M. Jawad
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 3 Part (B) Scientific Pages: 391-399
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, we present results of photoluminescence (PL) properties of fully (p-n) porous silicon device. Porous silicon layer has been prepared by Photo-electrochemical etching under different etching time of abrupt (p-n) silicon junction. The photoluminescence spectra, it is found that the formation of fully penetrate porous silicon layer can lead to decrease in the photoluminescence intensity. The reduction of the PL intensity is referred to the increase of non- radiative recombination process between the electron and hole. The obtained fully porous silicon layer in high etching time regime and this layer cannot be used for perpetration of light emitting devices, while the partially (p-n) porous silicon layer in the PL intensity has a higher value and good characteristics, this layer is suitable for (LED).

في هذا البحث تم دراسة خصائص التلؤلؤ الضوئي لطبقة سيليكون جزئية وكاملة المسامية. تم تحضير طبقة السيليكون المسامي باستخدام مفرق ((p-n بطريقة التنميش الكهروكيميائي-الضوئي (PEC) باستخدام ازمنة تنميش مختلفة لمفرق ((p-n سيليكوني حاد. اظهرت نتائج اطياف التلؤلؤ الضوئي تكون طبقة سيليكون مسامي كاملة الاختراق للمفرق (p-n) وهذا ادى الى انخفاض شدة التلؤلؤ الضوئي. الانخفاض في شدة التلؤلؤ الضوئي يشير الى زيادة عمليات اعادة الاتحاد الغير اشعاعي بين الالكترون-الفجوة. وان طبقة السيليكون المسامي كاملة الاختراق تتكون عند ازمان التنميش العالية وفي هذه الحالة لاتصلح لتحضير النبائط الباعثة للضوء، اما طبقة السيليكون المسامي (p-n) الجزئية الاختراق المتولدة لازمنة تنميش صغيرة للمفرق تعطي شدة PL عالية ولذلك تكون ملائمة لصنع الثنائي الباعث للضوء.


Article
An Investigation of Electrical Properties of (p-n) Porous Silicon Layer
التحقق عن الخصائص الكهربائية لـ (p-n) من طبقة السليكون المسامي

Authors: Muna Salih Mohammed Jawad --- Alwan. M. Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 7 Part (B) Scientific Pages: 867-878
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, we studied the electrical properties of (p-n) porous silicon layer under different etching time. The (p-n) porous silicon layer prepared by photo-electrochemical etching process. The dark I-V characteristics; give us rectification ratio with wide range as a function to etching time. A high value for the rectification behavior is related for etched samples at low etching time. While the increasing of etching time to high value show a non rectification behavior in (p-n) porous samples. The values of the photo-current for (p-n) porous sample at low etching time has very small value compared with the other (p-n) porous silicon samples at high etching time and this behavior in PSi layer in high etching time cannot be employed light emitting diode applications. While the layer prepared at low etching time is well suitable for light emitting device.

في هذا البحث قمنا بدراسة الخصائص الكهربائية لـطبقة السيليكون المسامي نوع (p-n) المحضر من طبقة السليكون المسامي بازمان تنميش مختلفة وبطريقة التنميش الكهروكيميائي-الضوئي (PEC). و من خلال منحنيات تيار- جهد بالظلام اعطى قيم تقويم عالية تمتلك قيم واسعة كدالة لزمن التنميش وخصوصاً عند ازمان تنميش قليلة. عند زيادة زمن التنميش لحد كبير ادى الى ظهور السلوك اللا تقويمي في عينات (p-n). ان قيم التيار- الضوئي عند ازمنة التنميش القليلة اعطى قيمة صغيرة جدا مقارنة مع القيم الاخرى عند زيادة زمن التنميش. لذا فان استخدام ازمنة تنميش عالية تولد لنا عينات (p-n) لاتصلح لعمل الثنائيات الباعثة لضوء على العكس مع ازمنة التنميش القليلة التي تصلح لانتاج الثنائيات الباعثة للضوء.

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2013 (2)