research centers


Search results: Found 5

Listing 1 - 5 of 5
Sort by

Article
Design and Fabrication of Narrow Band Infrared Detector
تصميم وتنفيذ كاشف للاشعة تحت الحمراء ذو استجابة طيفية ضيقة الحزمة

Author: Dr. Khalid Khalil Mohammad د. خالد خليل محمد
Journal: AL Rafdain Engineering Journal مجلة هندسة الرافدين ISSN: 18130526 Year: 2012 Volume: 20 Issue: 3 Pages: 15-25
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

AbstractMost of infrared detectors used in various electrical equipments have wide spectral response and usually needs front filter to prevent visible light from passing to the detector. This research is intended to study and fabricate an indium doped silicon (n) (In-Si) structure to achieve a photo detector working as narrowband infrared detector. The SCAPS program was used as a simulation tool in order to achieve the optimum structure design. Then the (In-Si) infrared detector was fabricated using vacuum evaporation deposition technique. The fabricated photodiode shows a narrowband spectral response at 940 nm. The results of the simulated and practical samples are comparable which gives a simple and cheap method for obtaining narrowband infrared detector.Keywords: silicon, infrared, photo detector.

الخلاصةان معظم كواشف الاشعة تحت الحمراء والمستخدمة في المعدات والاجهزة الكهربائية تكون ذات استجابة طيفية واسعة الحزمة وتمتد غالبا لتشمل الاطوال المرئية ولذا يوضع امامها مرشح ليمنع مرور هذه الاطوال الى الكاشف. في هذا البحث تمت دراسة و تصنيع بنية ثنائي ضوئي مصنوع من مادة السيليكون (n) المطعم بالانديوم للحصول على كاشف اشعة تحت الحمراء ذو عرض حزمة طيفية ضيقة. كما تم استخدام برنامج المحاكاة SCAPS لغرض الحصول على التصميم الامثل للنبيطة. ثم باستخدام تقنية الترسيب بالتبخير الفراغي تم الحصول على كاشف اشعة تحت الحمراء عمليا. ولقد اظهرت قياسات الاستجابة الطيفية للكاشف المنفذ عمليا استجابة طيفية ذات عرض حزمة ضيقة عند طول موجي 940 nm. كما واظهرت نتائج القياسات العملية ونتائج عملية المحاكاة الحاسوبية نتائج متقاربة وتم الحصول من خلالها على كاشف اشعة تحت حمراء بسيط ورخيص وذو عرض حزمة طيفية ضيقة.


Article
Physical Properties of MOS Porous Silicon Detector Fabricated under RTO Method
الخصائصا لفیزیائیة لكاشف السلیكون المسامي MOS المحضر بطریقة الأكسدة الحراریة السریعة

Authors: Narges Z. Abdulzahra --- Wafaa K. Khalaf --- Alwan M. Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 11 Pages: 2286-2291
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this research we studying the sensitivity of a porous silicon photo detector, wefound it improved through rapid thermal oxidation processes. Under our optimumpreparation conditions, photocurrent can reach about 3408 μA (under power density 100mW/cm2 tungsten lamp illumination) and dark current is about 300μA(at reverse bias of 5V).


Article
Laser Co2 Radiation Detection Using QWIP

Author: Wail Y. Nassir وائل ياس نصر
Journal: DIYALA JOURNAL OF ENGINEERING SCIENCES مجلة ديالى للعلوم الهندسية ISSN: 19998716/26166909 Year: 2018 Volume: 11 Issue: 1 Pages: 1-5
Publisher: Diyala University جامعة ديالى

Loading...
Loading...
Abstract

Quantum well infrared photodetector (QWIP) become one of the important devices recently for their efficient, stability, uniformity, and high intrinsic speed. The photodetector was designed, and the validity, absorption coefficient, and band transitions are studied extensively. The quantum wells included in this research operate in mid infrared wavelength region (9-11 µm). Results showed that peak absorption coefficient at (10.6 μm) is (9000 cm-1) for Bound – bound transition and is more narrow and intense from bound- continuum transition (1800 cm-1) and the quantum well based devices can be used to detect such wavelength providing that the external electric field stays below a reasonable value. This makes such device a promising solution for MIR applications.


Article
Porous Silicon effect on the performance of CdS nanoparticles photodetector
تأثير تنميش السليكون على اداء كاشف الجسيمات النانويه كبريتيد الكادميوم

Authors: Mymana W. Eesa ميمنه وليد عيسى --- Manal M. Abdullah منال مدحت عبدالله
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2016 Volume: 14 Issue: 31 Pages: 129-137
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Cadmium sulfide photodetector was fabricated. The CdSnano powder has been prepared by a chemical method and deposited as a thin film on both silicon and porous p- type silicon substrates by spin coating technique. Structural, morphological, optical and electrical properties of the prepared CdSnano powder are studied. The X-ray analysis shows that the obtained powder is CdS with predominantly hexagonal phase. The Hall measurements show that the nano powder is n-type with carrier concentration of about (-5.4×1010) cm-3. The response time of fabricated detector was measured by illuminating the sample with visible radiation and its value was 5.25 msec. The specific detectivity of the fabricated detector is found to be (9×1011 W-1 .Hz1/2.Cm- 1). The responsivity was (0.03A/W).

تم تصنيع كاشف ضوئي من كبريتيد الكادميوم بالحجم النانوي. حضر المسحوق بطريقه كيميائية ثم رسب كغشاء رقيق على قواعد السليكون والسليكون المسامي بواسطة تقنية الترسيب بالتدوير. درست الخصائص التركيبية والسطحية والبصرية والكهربائية لكبريتيد الكادميوم النانوي. تحليل الاشعة السينية بين أن مسحوق كبريتيد الكادميوم النانوي المحضر ذو تركيب سداسي ومن قياسات هول وجد ان المسحوق النانوي من النوع المانح وبتركيز حاملات شحنة حوالي 4.5-×1010سم-3. تم قياس زمن استجابة الكاشف المصنع بعد اضائتة بالاشعة المرئية فكانت قيمته 2,5 ملي ثانية. وجد ان تحسس الكاشف هو 9×1011 واط-1.هرتز1/2.سم-1.واستجابيتة 0.03 أمبير.واط-1.


Article
Synthesis of Al/OPS/PS/Si/Al by RTO and its detection properties

Journal: Journal of College of Education مجلة كلية التربية ISSN: 18120380 Year: 2017 Issue: 1 Pages: 129-138
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon oxide (PSO) was prepared by rapid-thermal oxidization (RTO) of porous silicon that was formed on silicon substrate with optimum conditions. The porosity was approximately (65%) and layer thickness was (8μm). Photoluminescence (PL) observed a broad peak of porous silicon (PS) at 690 nm (1.79eV) with full width at half maximum (FWHM) of about 130 nm while the photoluminescence value of PSO located at 670 nm (1.85eV) with FWHM value of 140 nm. The lower values of resistances are 95.8 kΩ and 18kΩ of PSO and PS respectively. Response time of porous silicon detector about (9) second and the recovery time is about (6.5) second. The response time of UV detector for porous silicon oxide is (4) second and the recovery time about (8) second.The (PSO) sample exhibited high detection for incident ultra-violet (UV) light with and without bios

تم تحضير السليكون المسامي المؤكسد بطريقة التأكسد الحراري السريع للسليكون المسامي الذي حضرعلى شريحة من السليكون بشروط منتخبة. المسامية كانت تقريبا 65% وسمك الطبقة 8 مايكرومتر. التألق الضوئي للسليكون المسامي بين بأن له قمة عريضة عند 690 نانومتر (1.79 الكترون فولت ) مع اعلى شدة عند منتصف القمة 130 نانومتر بينما قياسات التألق الضوئي بالنسبة الى السليكون المسامي المؤكسد فبينت قمة عند 670 نانومتر (1.85 الكترون فولت ) مع اعلى شدة عند منتصف القمة 140 نانومتر. قياسات المقاومية للسليكون المسامي المؤكسد وللسليكون المسامي هي 95.8 و18 كيلو اوم على التعاقب. زمن الاستجابة لكاشف السليكون المسامي هو 9 ثانية وزمن الرجوع 6.5 ثانية بينما زمن الاستجابة لكاشف السليكون المسامي المؤكسد هو 4 ثانية وزمن الرجوع 8 ثانية. كاشف السليكون المسامي المؤكسد اظهر كشفية عالية للاشعة فوق البنفسجية مع او بدون انحياز.

Listing 1 - 5 of 5
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (5)


Language

English (4)


Year
From To Submit

2018 (1)

2017 (1)

2016 (1)

2012 (1)

2009 (1)