research centers


Search results: Found 68

Listing 1 - 10 of 68 << page
of 7
>>
Sort by

Article
Effect on Rapid Thermal Oxidation process on Electrical Properties of Porous Silicon
تاثير عملية الاكسدة الحرارية السريعة على الخصائص الكهربائية للسيليكون المسامي

Authors: Maysaa A.Mohamed --- Amany A. Awaad --- Khawla S. Khashan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 4 Pages: 663-674
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, the porous silicon was prepared by using stain etching in HF-HNO3 atdifferent etching times. Then Rapid Thermal Oxidation (RTO) processes were used forsurface treatment at different temperature and oxidation time to enhancement sampleproperties. Fourier Transforms infrared (FTIR) spectrum exhibit the formation of SiHx(x=1, 2) and Si-O bonds which indicate the present of porous structure and formation ofoxidation porous layer. The Capacitance – Voltage characteristics reveal that effectivecarrier density is 36*1015 cm-3 for sample etching time at 2min, while there was achange from (37.8*1015 to 45.7*1015) cm-3 for sample oxidation at different oxidationtemperature (373 – 973)K and from (38.2*1015 to 40*1015) cm-3 for sample oxidation atdifferent oxidation time (0.5 – 3.5)min. Also the porosity was (45.56%) for PS/p-Sietching at 2min while reduce from (45% to 35.4%) with oxidation temperature, and from(44.2% to 40.5%) with oxidation time. From photocurrent characterized, that thephotosensitivity for PS/p-Si structure is better where etching time at 2min, and its 0.2545A/W at 370nm, and it increased after Rapid Thermal Oxidation (RTO) from (0.34 to0.44) A/W with different oxidation temperature, and changed from (0.35 to 0.34) A/Wwith different oxidation time, so that sandwich hetrojunction exhibit good efficiencyphotodiode.

في هذا البحث تم تحضير السليكون المسامي بواسطة الطريقة الكيميائية في خليط من حامضالهيدروفلوريك وحامض النتريك عند أزمان قشط مختلفة . ثم معالجة السطح بواسطة عملية الأكسدةFTIR الحرارية السريعة عند درجات حرارة وأزمان أكسدة مختلفة لتحسين خصائص النموذج . أطيافالتي تشير إلى تكون الطبقة المسامية للسليكون وتكون طبقة Si-O و SiHx (x= تبدي الأواصر ( 1,236 للعينة *1015 cm- الاوكسيد على السليكون المسامي. خصائص سعة-فولتية تعطي كثافة الحاملات 345.7 ) لنماذج موكسدة عند *1015 cm- 37.8 الى 3 *1015 cm- 2, بينما تتغير من ( 3 min عند زمن قشط40 ) لنماذج *1015 cm- 38.2 الى 3 *1015 cm- 973 ) , وتتغير من ( 3 – 373) K درجات حرارة مختلفة3.5 ). أيضا المسامية تكون ( 45.56 %) للسليكون – 0.5)min موكسدة عند أزمان أكسدة مختلفة2 بينما تقل من(% 45 ) الى (% 35.4 ) مع تغير درجات حرارة min المسامي عند زمن قشطالأكسدة,وتتغير من(% 44.2 ) الى (% 40.5 ) مع تغير أزمان الأكسدة. من خصائص التيار الضوئي ,370 , وزادت nm 0.2545 عند A/W 2 كانت min أفضل استجابية للسليكون المسامي عند زمن قشط0.44 ) مع درجات أكسدة مختلفة , وتغيرت من A/W 0.34 الى Aِ/W) بعد الاكسدة الحرارية السريعةمن0.34 ) مع أزمان أكسدة مختلفة , لذا فالتركيب يبدي كفاءة جيدة للدايودات A/W 0.35 إلى A/W)الضوئية.


Article
Organic Vapors Sensor Based on Dangling Bonds of Porous Silicon
متحسس الأبخرة العضوية بالاعتماد على الأواصر المتدلية للسليكون المسامي

Author: Alwan M. Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: 8 Pages: 1023-1027
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, a porous silicon (PS) layer is investigated as a sensing materialto detect the organic vapors with low concentration. The structure of theprepared sensor consists of thin Au /PS/n-Si/Au thick where the PS is etchedphoto -chemically. The current response of the sensor is governed by thepartial depletion of silicon located between two adjacent (porousregions).This depletion is due to the charges trapped on dangling bondsassociated with the silicon – porous silicon interface .

في هذا البحث أجريت دراسة على خصائص طبقة السيليكون المسامي التي تعملthin Au /PS/n-Si/Au كمتحسس للأبخرة العضوية. تم تحضير تركيب شرائحي يتكون منوتم تحضير طبقة السيليكون المسامي بطريقة التنميش الضوء كيمياوي. إن أستجابة .thickالمتحسس للتيار الكهربائي يتم السيطرة عليها بواسطة منطقة السيليكون البلوري المستنفذةجزئياً والواقعة بين مناطق السيليكون المسامي المتجاورة، هذا الاستنزاف سببه عملياتإقتناص حاملات الشحن بواسطة الأواصر المتدلية المرافقة للحد الفاصل بين السيليكونوالسيليكون المسامي.

Keywords

gas sensor --- porous silicon


Article
Gradient-Porosity Porous Silicon (GPSi) as Anti-reflection Coating in Solar Cells Applications
السليكون المسامي المتدرج- المساميه لتطبيقات الطبقات المضادة للانعكاس في الخلايا الشمسيه

Authors: Alwan M. Alwan --- Suaad M. Ali
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 1 Part (B) Scientific Pages: 152-159
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Laser Assisted Etching (LAE) technique with short laser wavelength was used to provide a gradient-porosity porous silicon (GPSi) layer. Morphological aspects, reflectivity and photoelectric properties of (GPSi) layer were studied based on a bare solar cell substrate (p-n). The results show that the (GPSi) layer has a lower reflectivity of about (1.3%) comparing with bulk silicon (reference sample 50%) and single layer PSi of about (10.5%) at wavelength regime (400 nm). The surface morphology and x-section images present the formation of (GPSi) with layer thickness of about (400 nm) less than the junction depth. The photoelectrical properties of (GPSi) layer shows an increase of short circuit current density of (2.8 mA/cm2) compared with the ordinary solar cell of (2.15 mA/cm2) while for single layer PSi is about (2.05 mA/cm2).

في هذا البحث تم استخدام طريقة التنميش المساند بالليزر باستخدام اطوال موجية ليزرية قصيرة لإنتاج سيلكون مسامي متدرج الطبقات من شرائح سليكونية مجردة (p-n). وقد تم دراسة خصائصه التركيبة والبصرية. وقد اظهرت نتائج الانعكاسية ان السيلكون متدرج المسامية يمتاز بانعكاسية واطئة جدا ولحد 1.3% مقارنة مع السيلكون الاعتيادي والتي تصل الى 50% وللسليلكون المسامي احادي الطبقة 10.5%عند منطقة الطول الموجي (400) نانو متر . وقد بينت نتائج صور المقطع العرضي للمجهر الالكتروني الماسح ان سمك طبقة (GPSi) هو اقل من 400 نانو متر ( اقل من عمق المفرق ). ان الخصائص الكهربائية لطبقة (GPSi) بينت حصول زيادة ملموسة في تيار دائرة القصر حيث كانت 2.8 ملي امبير/سم2 لطبقة السيلكون متدرج المسامية 2.05 ملي امبير/سم2 للسيلكون احادي الطبقة و 2.15 ملي امبير/سم2 للخلية الشمسية الاعتيادية.


Article
Light-Induced Etching of Silicon
القشط المحتث بالضوء للسليكون

Authors: Alwan. M. Alwan --- A.M. Ahmed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: suppl.of No.3 Pages: 467-474
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, an ordinary light is used for photo-chemical etching of n-typesilicon wafer in HF solution. Scanning electron microscopy is used to monitorchanges in surface morphology produced during the etching process. Uniformporous layer has been observed for various irradiation time. Our techniqueoffers a great controlling parameter on the porous layer uniformity comparedwith the porous layer achieved by using a laser beam. Electrical propertiesand porous layer thickness of the photo produced layer have been studied.

في هذا العمل تم إستخدام الضوء الاعتيادي في عملية القشط الضوء -الكيمياوي للسليكون فيحامض الهيدروفلوريك . تم إستخدام المجهر الالكتروني الماسح لمراقبة التغيراتالطوبوغرافية الناتجة على سطح السليكون . تم الحصول على طبقة سليكون مسامي منتظمبإستخدام الضوء الاعتيادي بالمقارنة مع الليزر المستخدم في بحوث أخرى.


Article
Study the Properties of Silicon Nanocrystallites Prepared By Wet Etching
دراسة خصائص بلورات السلیكون النانویة المحضرة باستخدام التنمیش الرطب

Author: Mukkaram A. fakhery
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 2 Pages: 301-306
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

This work presents the formation of porous silicon by photo-electrochemicalprocesses using diode laser 514 nm, 2mW, under different etching times. The timedependence of porosity values, layer thickness, pore diameter, pore shape ,wallthickness, and etching rate were studied based on SEM images.

هذا العمل يتضمن تكوين او تصنيع السليكون المسامي باستخدام الطريقة الكهروكيميائيةالمحتثة بالاضافة الى استخدام ثنائي ليزري طوله الموجي 514 نانومتر وطاقته 2 ملي واطتحت تاثير ازمان تفاعل مختلفة. تم دراسة اعتمادية المسامية على زمن التفاعل وسمك طبقةالمسامة المتكونة كما وتم حساب قطر المسامة كما تم دراسة شكل المسام ة وسمك جدارSEM المسامة ومعدل التنميش هذه الدراسة تمت بالاعتماد على صور


Article
Morphological Aspects of Oxidized Porous Silicon Prepared by Photo Electrochemical Etching
جوانب طوبغرافية للسليكون المسامي المؤكسد المحضر بطريقة (التنميش الفوتو-كهروكيميائي)

Authors: Ali A. A. --- Zahr'aa S. Ahmed --- Alwan M. Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 2 Pages: 314-321
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

This paper reports morphological properties of porous silicon and oxidizedporous silicon, prepared by photo electrochemical etching from n-type silicon wafers asa function of experimental parameters. Scanning electron microscopic (SEM)Observations of porous silicon layers were obtained before and after rapid thermaloxidation process under different preparation and oxidation conditions .The surfacemorphology, Pore diameter, wall thickness, pore shape and porosity values were,studied based on microstructure analyses of (SEM) images.

في هذا البحث تم دراسة الخصائص الطوبغرافية لنماذج من السليكون المسامي والسليكونالمسامي المؤكسد المحضرة من السليكون المانح بطريفة الفوتو- كهروكيميائي كدالة للعوامل التجريبيةبالاعتماد على صور المجهر الالكتروني الماسح لطبقات عينات السليكون المسامي قبل وبعد عمليةالاكسدة الحرارية السريعة تحت ظروف أكسدة مختلفة . ولقد تم دراسة المتغيرات التالية(طوبغرافيةالسطح ، قطر المسامه، شكل المسامه، سمك الجدار بين مسامتين، وقيم المساميه بالاعتماد على تحليلصور المجهر الالكتروني الماسح.


Article
Surface Area of Porous Silicon
المساحة السطحية للسيلكون المسامي

Authors: Mayasa AbdulWahid Shanon --- Mayada.H.Mouhsen --- Bassam.G.Rasheed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 9 Pages: 1728-1734
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

The surface area of porous silicon layers produced by different methods hasbeen measured in this work. It is found that the surface area of the porous siliconis optimum when high laser power density is used to etch n –type silicon wafer viathe laser induced etching process compared with that for porous silicon producedby lower laser power density or by electrochemical etching process. A scanningelectron microscope (SEM) micrographs were used to estimate the surface area.The surface area of the porous layer is strongly dependent on the porous layergeometry and its depth.

تم قياس المساحة السطحية للسيلكون المسامي المنتج بطريقتين مختلفتين, حيث وجد بأنالمساحة السطحية لطبقة السيلكون المسامي المنتج بعملية القشط المحتث بالليزر وقدرة ليزريةعالية تكون اكبر مما هي عليه من استخدام كثافة قدرة ليزرية واطئة أو عند أنتاج السيلكونلطبقة (SEM) المسامي بعملية القشط الكهروكيمياوية . تم اعتماد صور لجهاز المسح الالكترونيالسطح الطبقة المسامي وذلك لقياس المساحة السطحية . وقد وجد أن المساحة السطحية للسيلكونالمسامي تعتمد على الشكل الهندسي وسمك هذه الطبقة .


Article
The Effect Of Thermal Oxidation Time On The Structure And Influence On Optical Properties For Porous Silicon Prepared By Photo Electrochemical Etching
تاثير زمن الاكسدة الحرارية على الخصائص التركيبية وتاثيرها على الخصائص البصرية للسيلكيون المسامي المحضر بطريقة الكهروكيميائية

Authors: Narges Z.Abd alzahra --- Alwan M.Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 4 Pages: 727-735
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

The morphological properties of the freshly and oxidized porous silicon atoxidation time (60, 90) sec were studied. A blue emission from PSi can be seen witheyes after thermal oxidation because the increasing of energy gab due to decreasedsilicon column (nano particles).Pore size and shape of n-type wafers are estimate andcorrelated with optical properties before and after rapid thermal oxidation (RTO).

في هذا البحث تم دراسة تأثير الأكسدة الحرارية السريعة على السليكون المسامي المحضر بطريقة القشط الكهروضوئيكيميائي على طبوغرافية السليكون المسامي . وقد تم من خلال صور الماسح الالكتروني حساب قطر وتوزيع المسامات وحسابحجم العمود الفاصل بين المسامات قبل وبعد عملية الأكسدة الحرارية كما تم قياس الخصائص البصرية والكهربائية قبل وبعدالمعالجة الحرارية


Article
The Effect of Laser Wavelength on Porous Silicon Formation Mechanisms
تأثير الطولِ الموجي لليزرِ على آليات التكوينِ للسليكونِ المسامي

Author: Narges Zamil Abdulzahra نرجس زامل عبد الزهره
Journal: AL-NAHRAIN JOURNAL FOR ENGINEERING SCIENCES مجلة النهرين للعلوم الهندسية ISSN: 25219154 / eISSN 25219162 Year: 2011 Volume: 14 Issue: 1 Pages: 97-101
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, the effects of coherent radiation (Laser) with different wavelength and photon energy during the electrochemical etching process on the structural characteristics PS samples were investigated. The porosity values were measured by depending on the microstructure analyses and gravimetric measurements. Surface morphology, layer thickness, pore diameter, pore shape, wall thickness and etching rate were studied by depending on Scanning electron-microscopic (SEM) images

في هذا البحث تم دراسة تأثير الإشعاع المتشاكه (الليزر) بأطوال موجية وطاقة فوتونية مختلفة خلال عملية القشط الكهروكيميائي على الخصائص التركيبية للسليكون المسامي. ان قيم المسامية تم قياسها بالاعتماد على التحاليل التركيبية الدقيقة وبالطريقة الوزنية. طبوغرافية السطح، سمك الطبقة، قطر الفجوة، شكل الفجوة، وسمك طبقة الجدار بين الفجوات وكذلك معدل القشط تم قياسها بالاعتماد على تحليل صور المجهر الالكتروني الماسح


Article
Study of Some Structural Properties of Porous Silicon Preparing by Photochemical Etching
دراسة بعض الخصائص التركيبية للسليكون المسامي و المحضر بأستخدام طريقة التنميش الكيميائي –الضوئي

Authors: Ghaida.S.M غيداء سلمان --- N.A.A.AL-Temeeme نذيرة عباس التميمي
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2009 Volume: 7 Issue: 8 Pages: 49-52
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Porous Silicon (PSi) has been produced in this work by using Photochemical (PC) etching process by using a hydrofluoric acid (HF) solution. The irradiation has been achieved using quartz- tungsten halogen lamp. The influence of various irradiation times on the properties of PSi اmaterial such as layer thickness, etching rate and porosity was investigated in this work too.The XRD has been studied to determine the crystal structure and the crystalline size of PSi material

في هذا البحث، تم تحضير السيلكون المسامي بأستخدام طريقة التنميش الكيميائي –الضوئي وباستخدام حامض (HF). لقد تم استخدام المصدرالضوئي(كوارتز-تنكستن هالوجين) . وكذلك تم في هذا البحث دراسة تأثير زمن التشعيع على بعض خصائص السيلكون المسامي مثل سمك طبقة السيلكون المسامي ,معدل التنميش والمسامية . وكذلك تم دراسة حيود الأشعة السينية لمعرفة البناء البلوري لكل من السليكون والسليكون المسامي.

Listing 1 - 10 of 68 << page
of 7
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (68)


Language

English (65)

Arabic (1)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2019 (1)

2018 (7)

2017 (11)

2016 (5)

2015 (5)

More...