research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Effect on Rapid Thermal Oxidation process on Electrical Properties of Porous Silicon
تاثير عملية الاكسدة الحرارية السريعة على الخصائص الكهربائية للسيليكون المسامي

Authors: Maysaa A.Mohamed --- Amany A. Awaad --- Khawla S. Khashan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 4 Pages: 663-674
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, the porous silicon was prepared by using stain etching in HF-HNO3 atdifferent etching times. Then Rapid Thermal Oxidation (RTO) processes were used forsurface treatment at different temperature and oxidation time to enhancement sampleproperties. Fourier Transforms infrared (FTIR) spectrum exhibit the formation of SiHx(x=1, 2) and Si-O bonds which indicate the present of porous structure and formation ofoxidation porous layer. The Capacitance – Voltage characteristics reveal that effectivecarrier density is 36*1015 cm-3 for sample etching time at 2min, while there was achange from (37.8*1015 to 45.7*1015) cm-3 for sample oxidation at different oxidationtemperature (373 – 973)K and from (38.2*1015 to 40*1015) cm-3 for sample oxidation atdifferent oxidation time (0.5 – 3.5)min. Also the porosity was (45.56%) for PS/p-Sietching at 2min while reduce from (45% to 35.4%) with oxidation temperature, and from(44.2% to 40.5%) with oxidation time. From photocurrent characterized, that thephotosensitivity for PS/p-Si structure is better where etching time at 2min, and its 0.2545A/W at 370nm, and it increased after Rapid Thermal Oxidation (RTO) from (0.34 to0.44) A/W with different oxidation temperature, and changed from (0.35 to 0.34) A/Wwith different oxidation time, so that sandwich hetrojunction exhibit good efficiencyphotodiode.

في هذا البحث تم تحضير السليكون المسامي بواسطة الطريقة الكيميائية في خليط من حامضالهيدروفلوريك وحامض النتريك عند أزمان قشط مختلفة . ثم معالجة السطح بواسطة عملية الأكسدةFTIR الحرارية السريعة عند درجات حرارة وأزمان أكسدة مختلفة لتحسين خصائص النموذج . أطيافالتي تشير إلى تكون الطبقة المسامية للسليكون وتكون طبقة Si-O و SiHx (x= تبدي الأواصر ( 1,236 للعينة *1015 cm- الاوكسيد على السليكون المسامي. خصائص سعة-فولتية تعطي كثافة الحاملات 345.7 ) لنماذج موكسدة عند *1015 cm- 37.8 الى 3 *1015 cm- 2, بينما تتغير من ( 3 min عند زمن قشط40 ) لنماذج *1015 cm- 38.2 الى 3 *1015 cm- 973 ) , وتتغير من ( 3 – 373) K درجات حرارة مختلفة3.5 ). أيضا المسامية تكون ( 45.56 %) للسليكون – 0.5)min موكسدة عند أزمان أكسدة مختلفة2 بينما تقل من(% 45 ) الى (% 35.4 ) مع تغير درجات حرارة min المسامي عند زمن قشطالأكسدة,وتتغير من(% 44.2 ) الى (% 40.5 ) مع تغير أزمان الأكسدة. من خصائص التيار الضوئي ,370 , وزادت nm 0.2545 عند A/W 2 كانت min أفضل استجابية للسليكون المسامي عند زمن قشط0.44 ) مع درجات أكسدة مختلفة , وتغيرت من A/W 0.34 الى Aِ/W) بعد الاكسدة الحرارية السريعةمن0.34 ) مع أزمان أكسدة مختلفة , لذا فالتركيب يبدي كفاءة جيدة للدايودات A/W 0.35 إلى A/W)الضوئية.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2009 (1)