research centers


Search results: Found 5

Listing 1 - 5 of 5
Sort by

Article
The Effect of Grain Boundary on the electrical and photoelectrical characteristics of Au/p-Si Schottky Diode
تأثير كثافة حدود الحبيبات على الخواص الكهربائية والضوئية لثنائى شوتكى نوع Au/p-Si

Author: Dr. Khalid Khaleel Mohamed د. خالد خليل محمد
Journal: AL-Rafdain Engineering Journal (AREJ) مجلة هندسة الرافدين ISSN: 18130526 Year: 2010 Volume: 18 Issue: 3 Pages: 10-18
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

AbstractThis paper is intended to study the influence of the grain boundaries on the electronic and optoelectronic behavior of Au/P-Si Schottky diode. These diodes were fabricated by evaporation of gold layers onto polycrystalline silicon wafers using vacuum evaporation technique. The current-voltage characteristics at different grains boundary and temperatures, spectral response were investigated. It is found that the Schottky barrier height for Au/P-Si diode obtained form I-V and spectral response characteristics are depends mainly on the surface grain boundary density and state density.Keyword: Grain Boundary, Au/p-Si, Schottky Diode.

ملخص البحثيهدف هذا البحث إلى دراسة تأثير طبيعة حجم حدود الحبيبات المكونة لسطح P-Si على الخواص الالكترونية والضوئية للثنائي شوتكيAu/Si-P. حيث تم تصنيع هذه الثنائيات عن طريق ترسيب طبقة من الذهب على سطح السليكون نوع P باستخدام تقنية التبخير الفراغي. تمت دراسة خواص فولتية تيار عند مختلف درجات الحرارة إضافة إلى دراسة الاستجابة الطيفية للثنائيات المصنعة. ووجد بأن ارتفاع حاجز شوتكي للثنائي Au/Si-P يعتمد بشكل كبير على كثافة الحبيبات وحجمها فى السطح.


Article
Study of the Electrical Characteristics of Schottky Organic Semiconductor (n-Malachite green), Diode
دراسة الخواص الكهربائية لثنائي شوتكي لشبه الموصل العضوي ( n-Malachite green )

Authors: Zahraa H. Ahmed زهراء هلال أحمد --- Ismail K. Abbas إسماعيل خلف عباس
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2011 Volume: 22 Issue: 3A Pages: 111-121
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

In this research, Schottky diodes were fabricated using the pure organic semiconductor n- malachite green with thickness 1.43 m at room temperature. The electrodes and the ohmic contacts were Indium and aluminum respectively. These materials were deposited by vacuum evaporation process with thickness 1000Å. Current-Voltage characteristics were studied at room temperature in dark and light, and the sample showed the characteristic of schottky diode. The calculated value of ideal factor (n) is 3.3. We study the variation of conductivity with temperature in light from which the potential barrier (ΦBn) and activation energy (Ea) were calculated and their values are 1.71 and 0.22 eV at room temperature respectively. But at higher temperature their values are 1.18 and 0.368 eV respectively. Finally the series resistance (Rs) also had been calculated and its value is 2.09 kΩ.

في هذا البحث، تمّ تصنيع ثنائي شوتكي باستخدام مادة شبه موصلة عضوية (n-Malachite green) نقية وبسمك 1.43 m عند درجة حرارة الغرفة، أما الأقطاب والتماسات الأومية فكانت من الأنديوم والألمنيوم على التعاقب ورسبت بطريقة التبخير الحراري وبسمك Å1000. إنّ خواص I-V قد تمت دراستها عند درجة حرارة الغرفة في حالتي الاضاءة والظلام، وقد أظهر النموذج خواص ثنائي شوتكي. تم حساب عامل المثالية (n) وكانت قيمته 3.3. وكذلك تم دراسة علاقة التوصيلية مع درجة الحرارة في حالة الإضاءة ومنها تم حساب حاجز الجهد ( (ΦBnوطاقة التنشيط ( (Eaوكانت قيمتيهما 1.71 eV و 0.22 eV عند درجة حرارة الغرفةعلى التعاقب وعند درجة حرارة عالية كانت قيمتيهما 1.18 eV و 0.368 eV على التعاقب. واخيرا تم حساب المقاومة المتوالية(Rs) وكانت قيمتها 2.09 k


Article
Design and Analysis of a Single-Band Printed Rectenna Circuit at WiFi Frequency for Microwave Power Transmission

Authors: Ahmad A. Salih --- Abdulkareem S. Abdullah
Journal: Iraqi Journal for Electrical And Electronic Engineering المجلة العراقية للهندسة الكهربائية والالكترونية ISSN: 18145892 Year: 2019 Volume: 15 Issue: 2 Pages: 33-39
Publisher: Basrah University جامعة البصرة

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, a single-band printed rectenna of size (45×36) mm2 has been designed and analyzed to work at WiFi frequency of 2.4 GHz for wireless power transmission. The antenna part of this rectenna has the shape of question mark patch along with an inverted L-shape resonator and printed on FR4 substrate. The rectifier part of this rectenna is also printed on FR4 substrate and consisted of impedance matching network, AC-to-DC conversion circuit and a DC filter. The design and simulation results of this rectenna have been done with the help of CST 2018 and ADS 2017 software packages. The maximum conversion efficiency obtained by this rectenna is found as 57.141% at an input power of 2 dBm and a load of 900 Ω.


Article
Investigation of the Ag-BaF2-GaSb schottky diode current versus voltage, capacitance with voltage and photoelectric measurement

Loading...
Loading...
Abstract

Schottky barrier-type devices are rectifying metal-semiconductor (M-S) structure. This device is used in microelectronics, in solar cell applications, and in chemical sensing [1]. In the Schottky model the amount of band bending is equal to the difference between the work functions, m and s of the metal and semiconductor respectively.


Article
Fabrication and characterization of Ag-BaF2/GaSb Schottky diode
" تصنيع ودراسة خصائص ثنائي شوتكي "Ag–BaF2-GaSb

Author: Abdulsamee Fawzi Abdulaziz عبدالسميع فوزي عبدالعزيز
Journal: Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة ISSN: 18131662 Year: 2017 Volume: 22 Issue: 6 Pages: 103-107
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Loading...
Loading...
Abstract

The Ag-BaF2/GaSb Schottky diode measurement has been investigated by using voltage versus current (I-V) at different temperatures, voltage versus capacitance (C-V) and hotoelectric measurements on n-type GaSb carrier per cm-3, Current – voltage measurement were used to study the interface layer. Near ideal characteristics were observed for Ag-BaF2/GaSb contact with ideality factor values (1.21-1.451). The Schottky barrier height and donor concentration (Nd) have been obtained from C-V characteristics. Barrier height results from these methods were the same approximately with the results obtained from current – voltage measurement and were in the same range which suggests that the Fermi level is pinned in the lower half of the band gap. Photoelectric measurements were used for barrier height measurements by applying the fowler method. The surfaces of sample was analyses using scanning electron microscopy (SEM) and also the x-ray is used to investigate the reasons for the non-ideal behavior of Ga contacts and to study the surface of Ag-BaF2 layer on the air-cleaved n-GaSb surface.

فحصت قياسات ثنائي شوتكي باستخدام التيار- الفولتية، السعة– الفولتية وقياسات الكهروضوئية على انتيمون الكاليوم من النوع المانح (n-GaSb) عند درجات الحرارة المختلفة. استخدمت قياسات التيار- الفولتية في دراسة الطبقة البينية حيث لوحظت خصائص شبه مثالية لتماس شوتكيAg-BaF2-GaSb مع قيم عامل المثالية (1.21– 1.451). تم الحصول على ارتفاع حاجز شوتكي وتركيز الحاملات ((Nd من خصائص السعة–الفولتية (C-V). ارتفاع الحاجز(b) باستخدام هذه الطرق يشبه تقريبا النتائج الملحوظة من قياسات التيار-الفولتية وعند نفس المدى المقترح لمستوى فيرمي لأقل من نصف فجوة الطاقة. استخدمت قياسات الكهربائية الضوئية لقياس ارتفاع الحاجز بواسطة تطبيق نظرية فولير Fowler theory. أما مجهر الماسح الالكتروني والأشعة السينية (X-ray) فقد استخدمت لفحص السلوك غير المثالي لتماسات الكاليوم Ga ودراسة سطوح طبقاتAg-BaF2 على سطح انتيمون الكاليوم من النوع المانح (n-GaSb).

Listing 1 - 5 of 5
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (5)


Language

English (4)

Arabic (1)


Year
From To Submit

2019 (1)

2017 (1)

2012 (1)

2011 (1)

2010 (1)