research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
The Thermoelectric Properties of Vacuum Evaporated In0.8Se0.2 alloy Thin Film Nanostructure

Author: Amar H. Jareeze
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2013 Volume: 16 Issue: 2 Pages: 124-128
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In0.8Se0.2 thin films were prepared on glass substrate by vacuum evaporation technique at a pressure of 10-5 torr. The crystallinity of the thin film has been analyzed by X-ray diffraction, which show the formation of hexagonal system, Scanning Electron and Atomic Force microscopy examination indicates that the grain size have nearly spherical shape with diameters range from 100nm to 600nm. The thermoelectric properties of the films were determined over the thickness of 200nm Thermoelectric properties show a negative sign exhibiting n- type semiconducting nature of films. The electrical conductivity and Seebeck coefficient were measured from room temperature up to about 423 K, the Seebeck coefficient increases with increasing temperature and the electrical conductivity decreases with increasing the temperature of the sample the power factor coefficient increases with increasing temperature.

تم تحضير غشاء رقيق من مادة In0.8Se0.2 على قواعد زجاجية بطريقة التبخير الحراري تحت ضغط 10-5تور . جرى تحليل ودراسة خاصية التبلور للغشاء الرقيق بأستخدام جهاز حيود الاشعة السينية ووجد ان الغشاء سداسي التبلور وجرى ايضا دراسة سطح الغشاء بجهاز المجهر الالكتروني الماسح ومجهر القوى الذرية ووجد ان الحجم الحبيبي كروي الشكل تقريبا بأقطار حوالي من 100 نانومتر الى 600 نانومتر تم قياس سمك الغشاء ووجد سمكه 200 نانومتر وتم دراسة الخواص الكهروحرارية ووجد ان الغشاء من النوع n-type والخواص الكهربائية ومعامل سيبك كدالة لدرجة الحرارة في درجة حرارة الغرفة الى حوالى 423 كلفن ووجد ان معامل سيبك يزداد مع زيادة درجة الحرارة اما التوصيلية فقد قلت مع زيادة الحرارة اما معامل القدرة فقد ازداد مع زيادة الحرارة .


Article
Optoelectronic Properties of CdSe/Si Heterojunction
الخصائصالكھروبصریة للمفرق الھجین CdSe/Si

Author: Waseem Najeeb Ibrahim
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 12 Pages: 2138-2149
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper n-CdSe/p-Si heteroj unction photodetector was fabricated bythermal-evaporation technique of CdSe thin film grown onto single crystalline Sisubstrate . The energy gap of CdSe film was estimated from transmittance spectraand found to be (1.89 eV) . The temperature dependence of Seebeck coefficientwas studied . The conductivity of CdSe thin film is n-type and the value ofactivation energy is (0.59 eV). Heterojunction properties included dark andilluminated current-voltage (I-V) and capacitance-voltage (C-V) characteristics.From I-V plot, junction ideality factor for heterojunction was calculated to be1.43, and providing information about the current transport mechanism. The linearvariation of the experimental curve C-2 vs. V is indicative of the presence ofabrupt heterojunction and it used to determine the experimental value of built-injunctionpotential Vbi . From illuminated I-V plot at different intensity levels(90,180,240) mW/cm2 , the linearity behavior of CdSe/Si heterojunction wasinvestigated .

بتقنی ة التبخی ر n-CdSe/p-Si في ھ ذا البح ث ت م تص نیع كاش ف ض وئي م ن المف رق الھج یناحادي التبلور . ان قیم ة Si المنماة على قواعد من السیلیكون CdSe الحراري في الفراغ لأغشیةالمحضرة حددت من خلال دراسة طیف النفاذیة للأغشیة والتي بلغ ت CdSe فجوة الطاقة لأغشیة1.89 ) . من خلال دراسة تغیر معامل سیبك مع درجة الحرارة تبین ان نوع التوصیلیة eV) حواليوان قیمة طاق ة التنش یط لھ ذه الأغش یة ھ ي ( 0.59 n-type ھي من النوع المانح CdSe لأغشیةتضمنت خصائص المفرق الھجین دراسة خصائصتیار- جھ د ف ي ح التي الظ لام والاض اءة .(eVوخصائص سعة – جھد . بینت خصائصتیار- جھ د ان قیم ة عام ل المثالی ة للمف رق الھج ین كان ت1.43 ) ، اضافة الى توض یح الی ة نق ل التی ار عن د من اطق الفولتی ات الواطئ ة والعالی ة . ان العلاق ة )اوضحت ان المفرق الھجین غیر V وفولتیة الانحیاز العكسي C- الخطیة مابین مقلوب مربع السعة 2المتماثل من النوع الحاد وأستخدمت ھذه العلاق ة ف ي تحدی د قیم ة جھ د البن اء ال داخلي للمف رق . م نmW/cm خ لال دراس ة خص ائصتی ار- جھ د ف ي حال ة الاض اءة عن د ق درات ض وئیة مختلف ة 2یعطي خصائص خطیة جی دة لم دیات الق درة CdSe/Si 90,180,240 ) وجد ان المفرق الھجین )الضوئیة الساقطة

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2013 (1)

2012 (1)