research centers


Search results: Found 4

Listing 1 - 4 of 4
Sort by

Article
Determination Of The Memory Switching Action In CdS/SiO/CdTe Structure
تحديد عمل المفتاحية الذاكرية في التركيبة CdS/SiO/CdTe

Author: Dr. Luqman Sufer Ali د.لقمان سفر علي
Journal: AL Rafdain Engineering Journal مجلة هندسة الرافدين ISSN: 18130526 Year: 2011 Volume: 19 Issue: 1 Pages: 1-7
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

Abstract In this paper, an experimented study is presented which determines the memory switching criterion for CdS/SiO/CdTe devices. The dc. characteristics obtained from isolated devices on various glass substrates, but having the identical CdS and CdTe semiconductors with different sandwiched SiO thicknesses reveal that the device impedance at OFF state is almost determined by the tunnel oxide thickness. But the forward and reverse threshold voltages are determined by the top contact area of the device. Physical arguments are presented which adequately explain the experimental results in this paper.

الخلاصةفي هذا البحث كانت هنالك دراسة عملية لتراكيب من CdS/SiO/CdTe و التي أظهرت خواص المفتاحية الذاكرية. لقد تم الحصول على خواص مستقرة لنماذج مصنعة على قواعد زجاجية مختلفة فيها طبقات من CdS و CdTe متماثلة ولكن فيها طبقات نفقية من SiO لها أسماك مختلفة. لقد بينت الدراسة بأن الممانعة في حالة (OFF) للنبيطه تعتمد بشكل كبير على سمك الطبقة النفقية للأوكسيد, بينما مقدار فولتية العتبة الأمامية و العكسية يعتمد بشكل أساسي على مساحة طبقة التماس الفوقية. ان التغيرات الفيزيائية تبين بشكل واضح النتائج العملية في هذا البحث.


Article
Switching Study In CdS/CdTe Structures
دراسة المفتاحية في تركيب CdS/CdTe

Author: Dr. L. S. Ali د. لقمان سفر علي
Journal: AL Rafdain Engineering Journal مجلة هندسة الرافدين ISSN: 18130526 Year: 2010 Volume: 18 Issue: 1 Pages: 51-56
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

AbstractThe paper reports preliminary data on the characteristics of a new electronic switching device based on CdS/CdTe hetero–junction. The device is polar and is switched from OFF to ON (WRITE) or ON to OFF (ERASE) by voltage opposite signs. The threshold voltage for WRITE operation is (3-4 V), depending on the device, and for ERASE is about (-2V). The OFF and ON resistance are typically 40MΩ, and 1.5kΩ respectively. Particularly notable features of the new memory device are its transition times (100µsec for both the WRITE or ERASE operations).Keywords:switching, semiconductor devices and materials.

الخلاصةالبحث يعطي بيانات أولية عن خواص نبيطة الغلق والفتح الالكترونية الحديثة والمبنية على المفرق المتباين CdS/CdTe . ان النبيطة هي قطبية وتتحول من حالة الفتح إلى حالة الغلق (الكتابة) أو من حالة الغلق إلى حالة الفتح (مسح) بواسطة أشارة فولتية متعاكسة القطبية. وفولتية العتبة لعملية الكتابة تتراوح بين (V 4-3) وهذه تعتمد على النبيطة . أما فولتية العتبة لعملية المسح فهي بحدود (-2V). ان مقاومة النبيطة في حالة (OFF)هي بحدود (40MΩ) بينما تكون مقاومة النبيطة بحدود (1.5kΩ)في حالة (ON). أن نبيطة الذاكرة هذة تظهر سرعة لابأس بها عند التحول (100µsec) للحالتين ; الكتابة والمسح.


Article
Criteria for Plasma Domains in Gunn Diode Fabricated from GaAs and InP
معيار مجالات البلازما في ثنائي "Gunn" المصنوع من الكاليوم – آرسنايد و الأنديوم- فوسفات

Author: Hayder A. Ahmed حيدر عبدالرحيم أحمد
Journal: Journal of Basrah Researches (Sciences) مجلة ابحاث البصرة ( العلميات) ISSN: 18172695 Year: 2008 Volume: 34 Issue: 3A Pages: 1-8
Publisher: Basrah University جامعة البصرة

Loading...
Loading...
Abstract

Various parameters are proposed relevant to criteria for physical domains in solid-state plasmas. Strongly-and Weakly-coupled classical plasmas are divided according to the plasma parameter Γ. Classical and quantum domains are separated according to the quantum degeneracy parameter Λ .The weakly-coupled degenerate plasma is described in terms of the quantum compression parameter rs. In this paper, the application is made to Gunn diode, one of the long lasting Transferred Electron Devices (TED’s), fabricated from GaAs and InP, and suggested a new study to analyze the modes of operation of both devices in terms of these parameters by varying the charge-carrier concentration along the device layers (Substrate and active layer region) at 300K. Incorporating novel empirical relations have been done for the first time, for microwave operating frequency, which lead to other new relations for the device length and charge-carrier concentration, in terms of plasma domains. The four principal domains discussed are: strongly – and weakly – coupled classical plasmas, degenerate plasmas and weakly – coupled degenerate plasmas.

أقترحت معاملات مختلفة ذات صلة في معيارالمجالات الفيزيائية لبلازما الحالة الصلبة حيث ان الأقتران الشديد والضعيف للبلازما الكلاسيكيه يكون مقسماً وفقاً لمعامل البلازما ، أما المجالات الكلاسيكية والكمية تكون مفصولة وفقا لمعامل الأنحلال الكمي وان يمثل معامل الضغط الكمي ويقوم بوصف البلازما المنحلة ذات الأقتران الضعيف. تم في هذا البحث دراسة التطبيقات على ثنائي "Gunn"، وهو احد نبائط الألكترون المنتقل TED ، المصنوع من الكاليوم –آرسنايد و الأنديوم-فوسفات. وكذلك تم اقتراح طريقة تحليل جديدة لأنماط تشغيل هذه النبائط بدلالة المعاملات اعلاه وبواسطة تغيير تركيز حاملات الشحنات على طول طبقات هذه النبائط (منطقة طبقة القاعدة ومنطقة الطبقة الفعالة النشطة) عند درجة حرارة 300K . تم الحصول على علاقات تجريبية تصف تشغيل/عمل الترددات المايكروويفية داخل هذه النبائط والتي قادت بدورها الى الحصول على علاقات جديدة اخرى تصف طول النبيطة وكذلك علاقات تركيز حاملات الشحنات بدلالة مجالات البلازما. المجالات الأربعة الرئيسية التي تمت مناقشتها هي: البلازما الكلاسيكية ذات الأقتران الشديد، البلازما الكلاسيكية ذات الأقتران الضعيف، البلازما المنحلة و البلازما المنحلة ذات الأقتران الضعيف.


Article
Extraction of Doping Profile in Substrate of MNOS capacitor Using Fast Voltage Ramp Deep Depletion C-V method

Author: A.K. Faiq
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2010 Volume: 6 Issue: 1 Pages: 35-40
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

Two MNOS C-V profiling methods are presented; the conventional C-V profiling, and deep depletion (DD) C-V, the former shows a lack of information at the onset of inversion mode, while the latter can be achieved by the application of high speed voltage ramp of sweep rate equals 1MV/s on the MNOS gate, meanwhile monitoring the current response of the time varying voltage, the entire DD C-V curve is traced on CRO screen with suitable DC voltage bias. The results show that doping profile can be extended 1 micron deeper inside the silicon, i.e., ten times of Debye's length, hence more accurate results can be achieved. Interface states densities have small effect on final doping profile, and doping reaches approximately a constant value deep inside the silicon compatible with experimental part.

Listing 1 - 4 of 4
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (4)


Language

English (4)


Year
From To Submit

2011 (1)

2010 (2)

2008 (1)