research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Temperature Dependence of AC Conductivity and Complex Dielectric Constant of Cd2Si1-xGexO4 Compound
اعتماد التوصيلية المتناوبة وثابت العزل المركب على درجة الحرارة لمركب Cd2Si1-xGexO4

Author: Salma M. Shaban سلمى مهدي شعبان
Journal: Iraqi Journal of Science المجلة العراقية للعلوم ISSN: 00672904/23121637 Year: 2015 Volume: 56 Issue: 2B Pages: 1409-1415
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, samples of Cd2Si1-xGexO4 prepared by powder technology for (x = 0, 0.3, 0.6) were studied. The effect of (Ge) additives at different ratio of Ge (x=0, 0.3, 0.6) on the behavior of dielectric constant, dielectric loss and a,c conductivity were measured as a function of temperature at a selected frequencies (0.01 – 10) MHz in the temperature range 298 K to 473 K. The dielectric constant and dielectric loss obtained different behavior with the additives of (Ge). The activation energy for the electrical conduction process was studied.

في هذا العمل , درست نماذج Cd2Si1-xGexO4 المحضرة بتكنولوجيا المساحيق للنسب (x = 0, 0.3, 0.6) . درس تاثير اضافة Ge لنسب مختلفة من Ge (x = 0, 0.3, 0.6). على ثابت العزل , فقد العازل والتوصيلية المتناوبة كدالة لدرجة الحرارة ولترددات مختارة (0.01 – 10) MHz في مدى درحات الحرارة 298 كلفن الى 473 كلفن. اكتسب ثابت العزل وفقد العازل سلوك مختلف باضافة Ge . تم دراسة طاقة التنشيط لعملية التوصيل الكهربائي.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2015 (1)