research centers


Search results: Found 5

Listing 1 - 5 of 5
Sort by

Article
Junction Characteristics of Wide-Emitter (p)CdS-(n)Si-(p)Si Heterojunction Transistor

Authors: R.A. Ismail --- J.T. Jabbar --- O.A.S. Abdulrazaq
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2006 Volume: 2 Issue: 1-2 Pages: 3-5
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

Fabrication and characterization of feasible heterojunction bipolartransistor (HBT) made by depositing of p-type CdS film on monocrystallinesilicon homojunction were demonstrated. The ideality factors (n) of emitterbaseand base-collector abrupt junctions were 1.6 and 1.8 respectively. Thetransistor exhibited current gain dc as high as 360.


Article
Study on Temperature and Etching Effects on Silicon Oxide Formation Using Laser Ellipsometric Method
دراسة تأثير درجة الحرارة والتنميش في تكوين أوكسيد السيليكون بأستخدام طريقة تدوير مستوى استقطاب الليزر

Authors: Khalid Z. Yahiya --- Ammar M. Al-Baldawi --- Ammar H. Jraiz
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: 6 Pages: 797-807
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, a laser ellipsometric method is implemented to study theformation of oxide films on silicon substrate at room temperature in air. Twolasers, He-Ne and semiconductor diode, as well as a tungsten halogen lamp,were used as a light source in this method to show the importance ofcoherency for accurate results. The thickness of oxide layer was measured andthe results is compared with that calculated for a monolayer of oxide.Behavior of thermally formed oxides was studied using ellipsometry todetermine polarizer angle as a function of etching time.

في هذا البحث استخدمت طريقة تدوير مستوى استقطاب شعاع الليزر لدراسة تكوين أغشيةالاوكسيد على قاعدة سيليكونية في الهواء عند درجة حرارة الغرفة اس تخدم نوعان منالليزرات الأول ليزر الهليوم–نيون والثاني ليزر أشباه الموصلات كما استخدم مصباح التنكستنكمصادر ضوئية في هذه الطريقة لبيان أهمية التشاكه على دقة النتائج.جرت قياس سمك طبقة الاوكسيد ومقارنتها بالنتائج المحسوبة لطبقة أحادية من الاوكسيد .جرى در اسة سلوك الاكاسيد المتكونة حراريا باستخدام تقنية تدوير مستوى الاستقطاب لتحديدزاوية الاستقطاب كدالة لزمن التنميش.


Article
Gain Characteristics of Silicon Transistor Treated by Laser

Author: Rana O. Mahdi
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: 7 Pages: 890-896
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, profiles of laser-induced diffusion of arsenic in silicon arepresented. These profiles are considered to attempt increasing of the currentgain of silicon transistors. The current gain is well enhanced. Thisenhancement is attributed to the increase achieved in the diffusion lengthwithin a certain layer of emitter region. Laser-induced diffusion is a perfecttechnique for improving the characteristics of electronic devices since it isflexible, contactless, clean and well controlled.

في هذا البحث، جرى تقديم أنماط الانتشار المحتث بالليزر لشوائب الزرنيخ في السيليكون.تم اعتماد هذه الأنماط في محاولة لزيادة ربح التيار للترانزستورات المصنعة من السيليكون،وقد جرى تحسين ربح التيار بشكل جيد. يعزى هذا التحسن في ربح التيار إلى الزيادة المتحققةفي طول الانتشار خلال طبقة محددة من منطقة الباعث. تعد تقنية الانتشار المحتث بالليزرمثالية لتحسين خصائص النبائط الإلكترونية إذ أنها تتم بشكل مرن وبدون تماس ما بين الآلةوالعينة كما أنها نظيفة من حيث مخلفات العمل ويمكن التحكم بها بشكل جيد.


Article
Illumination and Dark Current-Voltage Characteristics of Polymer-Silicon Heterojunction Solar Cells

Author: H.M. Mikhlif
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics Letters الرسائل العراقية في الفيزياء التطبيقية ISSN: 1999656X Year: 2009 Volume: 2 Issue: 1 Pages: 15-18
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, polymer-on-silicon solar cells were fabricated by coating different silicon substrates with conductive polyaniline layers. Different substrates with different resistivities were used to control the diffusion length of such configurations. Electrical measurements were performed in both illumination and dark conditions to study the characteristics of photogenerated carriers in the polymer layer contributing to the output of such solar cells. They show good agreement with the “hole mobility only” model for intensities ranging from 1% of AM1.5 up to AM1.5. In addition to low cost fabrication and less-complex technology, such design interestingly compete the conventional and advanced configurations of solar cells.


Article
Power Reduction in Flexible Silicon Thin Film Digital Circuits

Authors: T.J. Alward --- K.R. Wissmiller --- J.E. Knudsen
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2009 Volume: 5 Issue: 2 Pages: 19-23
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

Amorphous silicon (a-Si) thin-film circuits promise robust, lightweight, flexible displays and digital computation. Here, several methods for reducing standby-power while retaining logic state are investigated for such circuits. Lacking a PMOS load transistor, the conventional approach for retaining state is to dynamically shift values through memory elements. We investigate other methods and demonstrate 36x power savings by introducing a non-shifting, refresh based operating mode.

Listing 1 - 5 of 5
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (5)


Language

English (5)


Year
From To Submit

2009 (2)

2007 (2)

2006 (1)