research centers


Search results: Found 176

Listing 1 - 10 of 176 << page
of 18
>>
Sort by

Article
Effect on Rapid Thermal Oxidation process on Electrical Properties of Porous Silicon
تاثير عملية الاكسدة الحرارية السريعة على الخصائص الكهربائية للسيليكون المسامي

Authors: Maysaa A.Mohamed --- Amany A. Awaad --- Khawla S. Khashan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 4 Pages: 663-674
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, the porous silicon was prepared by using stain etching in HF-HNO3 atdifferent etching times. Then Rapid Thermal Oxidation (RTO) processes were used forsurface treatment at different temperature and oxidation time to enhancement sampleproperties. Fourier Transforms infrared (FTIR) spectrum exhibit the formation of SiHx(x=1, 2) and Si-O bonds which indicate the present of porous structure and formation ofoxidation porous layer. The Capacitance – Voltage characteristics reveal that effectivecarrier density is 36*1015 cm-3 for sample etching time at 2min, while there was achange from (37.8*1015 to 45.7*1015) cm-3 for sample oxidation at different oxidationtemperature (373 – 973)K and from (38.2*1015 to 40*1015) cm-3 for sample oxidation atdifferent oxidation time (0.5 – 3.5)min. Also the porosity was (45.56%) for PS/p-Sietching at 2min while reduce from (45% to 35.4%) with oxidation temperature, and from(44.2% to 40.5%) with oxidation time. From photocurrent characterized, that thephotosensitivity for PS/p-Si structure is better where etching time at 2min, and its 0.2545A/W at 370nm, and it increased after Rapid Thermal Oxidation (RTO) from (0.34 to0.44) A/W with different oxidation temperature, and changed from (0.35 to 0.34) A/Wwith different oxidation time, so that sandwich hetrojunction exhibit good efficiencyphotodiode.

في هذا البحث تم تحضير السليكون المسامي بواسطة الطريقة الكيميائية في خليط من حامضالهيدروفلوريك وحامض النتريك عند أزمان قشط مختلفة . ثم معالجة السطح بواسطة عملية الأكسدةFTIR الحرارية السريعة عند درجات حرارة وأزمان أكسدة مختلفة لتحسين خصائص النموذج . أطيافالتي تشير إلى تكون الطبقة المسامية للسليكون وتكون طبقة Si-O و SiHx (x= تبدي الأواصر ( 1,236 للعينة *1015 cm- الاوكسيد على السليكون المسامي. خصائص سعة-فولتية تعطي كثافة الحاملات 345.7 ) لنماذج موكسدة عند *1015 cm- 37.8 الى 3 *1015 cm- 2, بينما تتغير من ( 3 min عند زمن قشط40 ) لنماذج *1015 cm- 38.2 الى 3 *1015 cm- 973 ) , وتتغير من ( 3 – 373) K درجات حرارة مختلفة3.5 ). أيضا المسامية تكون ( 45.56 %) للسليكون – 0.5)min موكسدة عند أزمان أكسدة مختلفة2 بينما تقل من(% 45 ) الى (% 35.4 ) مع تغير درجات حرارة min المسامي عند زمن قشطالأكسدة,وتتغير من(% 44.2 ) الى (% 40.5 ) مع تغير أزمان الأكسدة. من خصائص التيار الضوئي ,370 , وزادت nm 0.2545 عند A/W 2 كانت min أفضل استجابية للسليكون المسامي عند زمن قشط0.44 ) مع درجات أكسدة مختلفة , وتغيرت من A/W 0.34 الى Aِ/W) بعد الاكسدة الحرارية السريعةمن0.34 ) مع أزمان أكسدة مختلفة , لذا فالتركيب يبدي كفاءة جيدة للدايودات A/W 0.35 إلى A/W)الضوئية.


Article
Etching Rate Enhancement of Porous Silicon Produced by Lasers
تحسین معدل القشط للسلیكون المسامي المنتج باللیزر

Author: Mohammed A. Ibrahem
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 4 Pages: 628-633
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Two laser systems work with different operational modes have been used toproduce silicon nanostructure surfaces. Pulsed Nd:YAG laser has been employed toproduce silicon textured surface which containing nano/microstructures. Effects oflaser energies (80 – 200) mj were examined to produce surface of different structures.While Diode laser (532 nm) of fixed power (50 mW) was used in the second stage tomodify the porous structure over the textured surface. The effect of different surfacemorphology on the laser induced etching process was studied using atomic forcemicroscope (AFM) and an image processing program to sketch the surface plot to thesamples depending on the optical microscope photos. The photoluminescence spectrahave been utilized to study the nanocrystallite size distribution in porous silicon, itshows high peak position lies in (2 - 2.1) eV.

تم في بحثنا هذا استخدام ليزرات تعمل بانماط تشغيل مختلفة في تحضير تراكيب نانويةومايكروية على سطح مادة السليكون. عملية تحضير العينات تمت بمرحلتين، الاولى باستخدام ليزرالنيديميوم-ياك النبضي لتكوين اسطح ذات تراكيب مختلفة الاحجام بالاعتماد على اختلاف طاقات200 ) ملي جول. المرحلة الثانية تم فيها استخدام ليزر الدايود بطول موجي 532 - الليزر ( 80نانومتر وقدرة ( 50 ملي واط) ذات نمط التشغيل المستمر لحث التفاعل الكيمياوي واحداث عمليةالتنميش على اسطح مادة السليكون المشععة بالمرحلة الاولى. تمت دراسة تاثير طبوغرافية السطحكذلك تمت دراسة .AFM على كفائة عملية التنميش بالاعتماد على صور المجهر الضوئي وصورخاصية الاستضائة لعينات السليكون المسامي والتي دلت على وجود علاقة لعملية التنميش بطبيعة(2.1- السطح. حيث وجد بان معدل قيمة فجوة الطاقة لتراكيب السليكون النانوية تراوحت بين ( 2الكترون-فولت.


Article
Modeling and Analysis of Homojunction Silicon Solar Cell
نمذجة وتحليل خلية شمسية سليكونية أحادية المفرق

Author: Ghada G. Younise غادة غانم يونس
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2011 Volume: 22 Issue: 1E Pages: 72-79
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

The analysis of solar cell performance in terms of material and microscopic device parameters is the key to understanding device performance and efficiency. The purpose of this paper is to study and analysis the (n+ p) homojunction silicon solar cell, and study for regions of solar cell which the base, depletion and emitter region after determent the parameters such a sample. And finding the quantum efficiency for this cell, and studying the effect of the recombination velocity of minority carriers and different diffusion lengths on the performance of the solar cell.

تحليل أداء الخلية الشمسية بدلالة المتغيرات المادية والمايكروسكوبية هو المفتاح لفهم أداء النبيطة وكفاءتها. لذا تناول هذا البحث عمل نموذج تحليلي لخلية شمسية سليكونية أحادية المفرق من نوع ((n+p، ودراسة أجزاء الخلية وهي منطقة القاعدة، الاستنزاف والباعث بعد تحديد مواصفاتها كنموذج. وإيجاد الكفاءة الكمية، ودراسة تأثير سرعة إعادة اتحاد حاملات الأقلية وتأثير أطوال انتشار مختلفة على أداء الخلية الشمسية .


Article
Phase Transformations of Hadfield Manganese Steels
دراسة التحولات الطورية لفولاذ هادفيلد المنغنيزي

Authors: Akeel D. Subhi --- Omar A. Abdulrazaq
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: 6 Pages: 808-814
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, the effect of different silicon percentages that wereadded to Hadfield manganese steel on the microstructure, phases and hardnessare investigated. The results show that silicon has the crucial role in changing thehardness and Fe3C phase morphology from acicular to chunky through differentstages. X-ray diffraction line profile analysis shows that two phases are presentedin the matrix of Hadfield manganese steels; these phases are austenite and Fe3C.

يهدف هذا البحث الى دراسة تاثير اضافة نسب مختلفة من السليكون على البنية المجهريةوالصلادة والاطوار لفولاذ هادفيلد المنغنيزي. اوضحت النتائج ان اضافة السليكون له دور حاسم فيمن الشكل (Fe3C) تغيير صلادة فولاذ هادفيلد المنغنيزي اضافة لتغييره شكل طور كاربيد الحديداوضح .(Chunky morphology) الى الشكل الكتلي (Acicular morphology) الابريوجود طورين رئيسين يظهران في (X-ray diffraction pattern) فحص حيود الاشعة السينية.(Fe3C) ارضية فولاذ هادفيلد المنغنيزي واللتان تتمثلان بطور الاوستنايت وطور كاربيد الحديد


Article
Organic Vapors Sensor Based on Dangling Bonds of Porous Silicon
متحسس الأبخرة العضوية بالاعتماد على الأواصر المتدلية للسليكون المسامي

Author: Alwan M. Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: 8 Pages: 1023-1027
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, a porous silicon (PS) layer is investigated as a sensing materialto detect the organic vapors with low concentration. The structure of theprepared sensor consists of thin Au /PS/n-Si/Au thick where the PS is etchedphoto -chemically. The current response of the sensor is governed by thepartial depletion of silicon located between two adjacent (porousregions).This depletion is due to the charges trapped on dangling bondsassociated with the silicon – porous silicon interface .

في هذا البحث أجريت دراسة على خصائص طبقة السيليكون المسامي التي تعملthin Au /PS/n-Si/Au كمتحسس للأبخرة العضوية. تم تحضير تركيب شرائحي يتكون منوتم تحضير طبقة السيليكون المسامي بطريقة التنميش الضوء كيمياوي. إن أستجابة .thickالمتحسس للتيار الكهربائي يتم السيطرة عليها بواسطة منطقة السيليكون البلوري المستنفذةجزئياً والواقعة بين مناطق السيليكون المسامي المتجاورة، هذا الاستنزاف سببه عملياتإقتناص حاملات الشحن بواسطة الأواصر المتدلية المرافقة للحد الفاصل بين السيليكونوالسيليكون المسامي.

Keywords

gas sensor --- porous silicon


Article
Two dimensional grating and efficiency enhancement of Si photovoltaic cells by surface texturing using UV femtosecond laser pulses
تشكيل المحزز الثنائي الابعاد و تعزيز كفاءة الخلايا الفوتوفولتائية بتركيب السطح باستخدام نبضات الأشعة الليزرية فائقة القصر للمنطقة فوق البنفسجية

Authors: S. Liang --- S.F. Abdalah سرى فهمي عبدالله --- B. T. Chiad بهاء طعمة جياد --- P.J. Scully --- et al.
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2011 Volume: 9 Issue: 15 Pages: 1-7
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

A fast laser texturing technique has been utilized to produce micro/nano surface textures in Silicon by means of UV femtosecond laser. We have prepared good absorber surface for photovoltaic cells. The textured Silicon surface absorbs the incident light greater than the non-textured surface. The results show a photovoltaic current increase about 21.3% for photovoltaic cell with two-dimensional pattern as compared to the same cell without texturing.

استخدمت تقتية التركيب لانتاج تشكيلات سطحية بأبعاد المايكرو/النانومترية وذلك بتشعيع السلبكون بنبضات ليزية فائقة القصر (فيمتوثانية) وبطول موجي قصير يقع ضمن المنطقة فوق البنفسجية. وقد تم اعداد سطوح ممتصة جيدة لخلايا فوتوفولتائية. السطوح المركبة لخلايا السيليكون تمتص الضوء الساقط اكثر من السطوح الغير مركبة. واظهرت النتائج ان هناك زيادة بقيمة التيار الفوتوفولتائي بحوالي 21.3% للسطوح المركبة بأبعاد ثنائية عنها بالسطوح الغير مركبة

Keywords

Texturing --- femtosecond --- Silicon


Article
Junction Characteristics of Wide-Emitter (p)CdS-(n)Si-(p)Si Heterojunction Transistor

Authors: R.A. Ismail --- J.T. Jabbar --- O.A.S. Abdulrazaq
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2006 Volume: 2 Issue: 1-2 Pages: 3-5
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

Fabrication and characterization of feasible heterojunction bipolartransistor (HBT) made by depositing of p-type CdS film on monocrystallinesilicon homojunction were demonstrated. The ideality factors (n) of emitterbaseand base-collector abrupt junctions were 1.6 and 1.8 respectively. Thetransistor exhibited current gain dc as high as 360.


Article
Illumination and Dark Current-Voltage Characteristics of Polymer-Silicon Heterojunction Solar Cells

Author: H.M. Mikhlif
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics Letters الرسائل العراقية في الفيزياء التطبيقية ISSN: 1999656X Year: 2009 Volume: 2 Issue: 1 Pages: 15-18
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, polymer-on-silicon solar cells were fabricated by coating different silicon substrates with conductive polyaniline layers. Different substrates with different resistivities were used to control the diffusion length of such configurations. Electrical measurements were performed in both illumination and dark conditions to study the characteristics of photogenerated carriers in the polymer layer contributing to the output of such solar cells. They show good agreement with the “hole mobility only” model for intensities ranging from 1% of AM1.5 up to AM1.5. In addition to low cost fabrication and less-complex technology, such design interestingly compete the conventional and advanced configurations of solar cells.


Article
Synthesis of Silicon Nanowires by Selective Etching Process

Author: A.T.S. Yee
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2008 Volume: 4 Issue: 3 Pages: 15-17
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, selective etching process is used to synthesize SiNWs. This method arises from electroless metal deposition on a silicon wafer through selective etching. The electroless plating technique has many advantages such as low temperature processing and simple process with non-expensive deposition facilities. A clean p-type silicon wafer was etched in an aqueous solution containing hydrofluoric acid (HF) and silver nitrate (AgNO3) at 60ºC for 60 minutes. This aqueous solution was prepared by mixing both HF and AgNO3 in a plastic beaker and was heated in hot water bath. Electroless silver deposition will take place on the surface of Si wafer and their growth mechanism are analyzed on the basis of a self assembled localized microscopic electrochemical cell model. The structure of SiNWs is observed by using field emission scanning electron microscope (FESEM). It has revealed the formation of SiNWs with diameter ranging from 40 nm to 200 nm with the length of about 20 µm. The unique features of SiNWs have made them potentially applicable in solar cell, chemical sensing devices and basic components for nanoelectronic and optoelectronic devices.


Article
Analytical study of the high absorption Region of the optical absorption edge of a-Si:H films using the derivative method
دراسة تحليلية لمنطقة الامتصاص العالي من حافة الامتصاص البصري لأغشية a-Si:H باستخدام طريقة المشتقة

Authors: Abdulla Abboo عبدالله عبو النعمان --- Abeer Abd salih عبير عبد صالح
Journal: Iraqi Journal of Science المجلة العراقية للعلوم ISSN: 00672904/23121637 Year: 2014 Volume: 55 Issue: 2 Pages: 425-434
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this research, optical absorption data (the imaginary part of the dielectric function Ɛ2 as a function of photon energy E) were re-analyzed for three samples of a-Si:H thin films using derivative methods trying to investigate the ambiguity that accompany the interpretation of the optical data of these film in order to obtainm the optical energy gap (Eg) and the factor (r) which in concerned with the density of state distribution near the mobility edge directly without the need for a pre- assumption for the factor r usually followed in traditional methods such as the Tauc plot. The derivative method was used for two choices for the factor q (which in connected with the dependence of the dipole matrix element on the photon energy ) for two choices q=0 and q=2. Results showed that r might take non-integer values . the result for two of the samples, those prepared by Jackson et al and Cody, showed that the derivative plot that adopt q=0 better fits the experimental data, thus Cody's model might seems closer to the experimental results than the Tauc model. While the third sample the one prepared by Ferlauto et al showed somewhat different behavior such that neither Cody nor Tauc models could be considered a better fit to experimental data for this sample

في هذا البحث تم اعادة تحليل البيانات البصرية (الجزء الخيالي من دالة العزل Ɛ2 كدالة لطاقة الفوتون E) لثلاث عينات من اغشية a-Si:H بطريقة المشتقة لمحاولة سبر الغموض الحاصل في تفسير البيانات البصرية لهذه الاغشية لايجاد فجوة الطاقة البصرية(optE) والمعامل (r) الذي يتعلق بتوزيع كثافة الحالات قرب حافة التحركية من نتائج الموائمة مع البيانات البصرية مباشرة دون الحاجة لفرضية مسبقة لهذا المعامل كالتي تتبعتها الطرق التقليدية كرسم Tauc. استخدمت طريقة المشتقة لاختيارين من قيم المعامل q الذي يتعلق بعنصر مصفوفة الانتقال وهي .(q=0,q=2)النتائج اشارت الى ان قيم المعامل r لاتساوي عددا صحيحا كالتي تفترضها نماذج Tauc وCody. وان نتائج العينات وهي المحضرة من قبل Jackson et al وCody اظهرت ان رسم المشتقة الذي يعتمد q=0 هو اقرب للتوائم مع الواقع التجريبي من الذي يعتمد q=2 لذلك انه نموذج Cody هو اقرب الى حد مقبول من الواقع التجريبي لهذه الاغشية من نموذج Tauc، اما العينة الثالثة المحضرة من قبل Ferlauto et al اظهرت اختلافا في التصرف بحيث لايمكن الحكم على ايهما اقرب للواقع التجريبي نموذج Tauc او .Cody

Listing 1 - 10 of 176 << page
of 18
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (176)


Language

English (151)

Arabic (16)

Arabic and English (6)


Year
From To Submit

2019 (7)

2018 (15)

2017 (18)

2016 (13)

2015 (9)

More...