research centers


Search results: Found 5

Listing 1 - 5 of 5
Sort by

Article
Oxygen Effect on Nanostructure Sno2 Films and Morphology by Pulsed Laser Deposition
تاثيرضغط الاوكسجين على التراكيب النانويه والمورفوليجيه لاغشيه ثنائي اوكسيد القصدير بطريقه الترسيب بلليزرالنبضي

Authors: Suaad .S.Shaker --- Adawiya J. Haider
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 2 Part (B) Scientific Pages: 232-238
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

This work includes the deposition of SnO2 as a thin film on Si (111) by using the pulsed laser deposition method. The influences of oxygen pressure on the structural properties of Tin dioxide films were investigated. The X-ray diffraction results show that the structure of the films change from high polycrystalline to worse polycrystalline at an oxygen pressure of 10mbar. The surface morphology of the deposits materials was also studied by using a scanning electron microscope (SEM) and atomic force microscope (AFM). The results show that, the grain sizes of the nano particles observed at the surface depends on the oxygen pressure. As the pressure of the O2 gas increases the densities of the particles increases too. An oxygen pressure of 5×10-1 mbar was found the best pressure for the growth process. While the RMS roughness was seen to increase with increasing oxygen pressure. It was equal to (11.3 nm) for thin films deposited at (300)ºC.

يتضمن هذا البحث ترسيب ثاني اوكسيد القصدير كأغشيه رقيقه على السليكون باستخدام طريقه الترسيب بلليزر النبضي. وقد تم منا قشة تاثيرضغط الاوكسجين على الخصائص التركيبيه لاغشيه ثنائي اوكسيد القصدير . و بينت نتائج حيود الاشعه السينيه ان تركيب الاغشية قد تغير من تبلور عالي الى تبلور قليل عند ضغط الاوكسيجين 10ملي بار . اما مورفولوجا السطح للماده المترسبه فقد تم دراسته ايضا باستخدام المجهر الماسح الالكتروني ومجهر القوى الذريه. وقد بينت النتائج ان الحجم الحبيبي للجسيمات النانويه عند السطح يعتمد على ضغط الاوكسجين. عند زياده ضغط الاوكسجين فان كثافه الجسيمات تزداد ايضا. حيث وجد ان ضغط اوكسجين ( 5× 1-10) ملي بار كان افضل ضغط خلال عمليه النمو. بينما لوحظ بان الخشونه انها تزداد مع زياده ضغط الاوكسجين. و كانت تساوي ( 11.3)نانو للاغشيه المرسبه عند درجه حراره 300 سيليزي.


Article
Influence of Deposition Temperature on Structure and Morphology of Nanostructured Sno2 Films Synthesized By Pulsed Laser Deposition (PLD)
ثاثير درجه حرارة الترسيب على بنية ومورفولوجي التراكيب النانويه لأغشيه ثنائي اوكسيد القصدير المحضرة بطريقه الترسيب بلليزر النبضي

Authors: Suaad .S.Shaker --- Adawiya J. Haider
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 3 Part (B) Scientific Pages: 453-460
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Nanostructured Tin oxide thin films were deposited on the Si (111) substrate using pulsed laser deposition technique at different substrate temperatures (200, 300,400 and 500 °C) in an oxygen pressure (5*10-1 mbar). The structure and morphology of the as-deposited films indicate that the film crystallinity and surface topography are influenced by the deposition temperature by changing from an almost amorphous to crystalline nanostructure and rougher topography at a higher substrate temperature. Hall Effect has been studied to estimate the type of carriers, from the result we deduced that the SnO2 thin films are n-type.

التراكيب النانويه لثنائي اوكسيد القصدير المرسبة على قواعد من السليكون(111) باستعمال تقنيه الترسيب بالليزر النبضي وبمختلف درجه حرارة الترسيب (200°C,300°C,400°C,500°C) في ضغط أوكسجين 5*10-1 mbar) ). بينت التراكيب ومورفو لجيه الاغشيه المرسبة ان تبلور الغشاءو الطوبوغرافيا الأسطح قد تتاثر بدرجه حرارة الترسيب بواسطة التغير من عديم التبلور الى تراكيب نانويه متبلورة ومع أسطح خشنه عند درجه الحرارة العالية .وتم دراسة تاثير هول وبينت النتائج ان اغشيه ثنائي اوكسيد القصدير هي من النوع السالب .


Article
Physical Properties of Nanostructure Sno2 Thin Films Growth on Al2O3 Substrate by Pulsed Laser Deposition
الخصائص الفيزياوية لاغشيةاوكسيد القصدير النانوية المنماة على قاعدة من الالومينا بطريقة الترسيب بالليزر النبضي

Author: Kasem Salman Kasem
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 5 Part (B) Scientific Pages: 957-965
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, the synthesis of nanostructure tin oxide SnO2 thin films on (0001) sapphire substrates using a pulsed 532 nm Nd: YAG laser is presented. Deposition of films is achieved at three different substrate temperatures 300,400,500ºC. The influence of substrate temperature on the structural and optical properties of tin oxide films are discussed and analyzed. We have shown the results of x-ray diffraction that all films prepared with the installation of multi crystalline (tetragonal) and directional prevalent (101) for all modds before and after annealing. These films are highly transparent (63–79%) in visible region, and transmittance of the films depends on substrate temperature. The band gap of the films varies from 3.45 eV to 3.61 eV for various temperatures. The morphology of deposited films was characterized by scanning electron microscope (SEM) and atomic force microscope (AFM), with increasing substrate temperature, both the grain size and surface roughness increase.We have also investigated the photoluminescence (PL) emission of the simples produced by PLD. The absorption of very intense PL emission for the films at temperature T= 500 ºC. The photoluminescence (PL) spectrum of the SnO2 exhibits visible light emission with a peak at 602 nm.

في هذا البحث تم استعمال ليزر نيدميوم ياك النبضي ذو الطول الموجي( nm 532) ويعمل بتقنية عامل النوعية لترسيب اغشية اوكسيد القصدير النانوية على قواعد من الالومينا (0001) وبدرجات حرارية مختلفة 300,400,500)ºC ) . تم مناقشة وتحليل تاثير درجة حرارة القاعدة على الخصائص التركيبية والبصرية لاغشية اوكسيد القصدير . اظهرت نتائج حيود الاشعة السينية ان جميع الاغشية المحضرة ذات تركيب رباعي متعدد التبلور وذات اتجاهية (101 (لكافة النماذج قبل وبعد التلدين. امتلك الغشاء نفاذية عالية بالمنطقة المرئية بحدود 63-79 % واعتمدت النفاذية على درجة الحرارة القاعدة . تراوحت قيمة فجوة الطاقة من 3.45 eV -3.61 لمختلف درجات الحرارة. تم دراسة طبوغرافية السطح باستخدام المجهر الالكتروني الماسح) SEM) ومجهر القوى الذرية (AFM)ادت زيادة درجة حرارة القاعدة الى زيادة كلا" من خشونة السطح والحجم الحبيبي للجسيمات النانوية. اظهرت نتائج شدة الاضاءة الفوتونية للاغشية المصنعة بطريقة الترسيب بالليزر النبضي شدة انبعاثية عالية عند درجة حرارة قاعدة 500 مئوي , الانبعاثية الضوئيةلاغشية اوكسيد القصدير كانت عند الطول الموجي 602 نانو متر.


Article
Characterization of (SnO2)1-x(TiO2:CuO)x films as NH3 gas sensor
خواص اغشيه (SnO2)1-x (TiO2: CuO)x كمتحسس لغاز NH3

Authors: Sara S. Mahmood ساره صادق محمود --- Bushra A. Hasan بشرى عباس حسن
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2018 Volume: 16 Issue: 39 Pages: 71-80
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Tin dioxide (SnO2) were mixed with (TiO2 and CuO) with concentration ratio (50, 60, 70, 80 and 90) wt% films deposited on single crystal Si and glass substrates at (523 K) by spray pyrolysis technique from aqueous solutions containing tin (II) dichloride Dihydrate (SnCl2, 2H2O), dehydrate copper chloride (CuCl2.2H2O) and Titanium(III) chloride (TiCl3) with molarities (0.2 M). The results of electrical properties and analysis of gas sensing properties of films are presented in this report. Hall measurement showed that films were n-type converted to p- type as titanium and copper oxide added at (50) % ratio. The D.C conductivity measurements referred that there are two mechanisms responsible about the conductivity, hence it possess two activation energies. Maximum sensitivity 16 % obtained for sample (SnO2)40(TiO2: CuO) 60 toward (NH3) gas at the operating temperature (473 K), whereas faster response time and recovery time were 20 (s) for (SnO2) and (SnO2)20(TiO2:CuO)80 respectively.

تم تحضير الاغشية الرقيقة من (SnO2)1-x (TiO2: CuO)x وذلك بخلط اوكسيد القصدير مع اوكسيد التيتانيوم و اوكسيد النحاس بنسب وزنية (50, 60, 70, 80 and 90) wt% على قواعد مختلفة مثل الزجاج والسيليكون احادي التبلورباستخدام تقنية الرش الحراري الكيميائي عند درجة حرارة 250 ºCوذلك بمزج كل من كلوريدي القصدير و النحاس المائي الثنائي وكلوريد التيتانيوم الثلاثي بمولارية (0.2 M). في هذا البحث تم عرض نتائج الخواص الكهربائية وتحليل نتائج التحسس الغازي. اظهرت قياسات تاثير هول ان اغشية اوكسيد القصديركانت نوع سالب التوصيل تتحول الى النوع موجب التوصيل مع مزجها مع كل من اوكسيد التيتانيوم والنحاس عند النسبه (%50). اشارت دراسة التوصيلية المستمرة ان الاغشية لها ميكانيكتا توصيل والذي يعني ان هناك طاقتا تنشيط. اعلى قيمة للتحسسية لغاز (NH3) كانت 16 % تم الحصول عليها من الغشاء (SnO2)40(TiO2:CuO)60 عند درجة تشغيل 473 K فيما كان اسرع زمن استجابة وهبوط 20 and 32 (s) لاغشيةSnO2 و (SnO2)70(TiO2:CuO)30على التوالي.


Article
Preparation and Characterization of (Tio2-Sno2) Thin Films by Pulsed Laser Deposition
تحضير ودراسة اغشية رقيقة مكونة من خليط اوكسيد التيتانيوم واوكسيد القصديربطريقة الترسيب بالليزر النبضي

Authors: Saja H.Rashed --- Adawiya J. Haider --- Samar Younis
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 4 Part (B) Scientific Pages: 658-665
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, mixed oxide (TiO2-SnO2) thin films were grown on Si (111) and glass substrates by pulsed laser deposition (PLD) method. The influences of increasing amounts of SnO2 were investigated. The X-ray diffraction results show the peaks position of the plane was shifted towards higher angle values with increasing amounts of SnO2. The surface morphology of the deposits materials was also studied by using a scanning electron microscope(SEM) The results show that, the grain sizes decreases with increasing SnO2 content from the largest value (53.6)nm to smallest value (25.5) nm. From UV-visible spectroscopy, the distinct variations in the transmission spectra, and optical energy gap, of the thin films were also observed.

يتضمن هذا العمل ترسيب اغشية رقيقة من خليط اوكسيد التيتانيوم واوكسيد القصديرعلى السيلكون والزجاج باستخدام طريقة الترسيب بالليزر النبضي وقد تم مناقشة تاثير زيادة نسبة اوكسيد القصديرعلى خصائص خليط اوكسيد التيتانيوم والقصدير.وقد بينت نتائج حيود الاشعة السينية ان موقع القمم انحرفت باتجاه قيم الزوايا الاعلى بزيادة نسبة اوكسيد القصدير.اما مورفولوجية السطح للمادة المترسبة فقد تم دراستها بواسطة المجهر الماسح الالكتروني .وقد بينت النتائج ان الحجم الحبيبي للجسيمات النانوية قل بزيادة نسبة اوكسيد القصديرمن الحجم الحبيبي( 53.6 نانومتر) الى الحجم الحبيبي (25.5 نانومتر). وكذلك قد تم ملاحظة التغيرات الحاصلة لطيف النفاذية وكذللك فجوة الطاقةالبصرية بواسطة قياسات مطياف النفاذية للأشعة المرئية وفوق البنفسجية.

Listing 1 - 5 of 5
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (5)


Language

English (5)


Year
From To Submit

2018 (1)

2014 (3)

2013 (1)