Inverted coplanar type field effect transistor has been fabricated using (SPT) .The electrical characteristic of the device which is investigated at room temperature and in the dark, show the characteristics increased in the source – drain current due to doping the CDS layer with indium. The electrical characteristics were investigated through measuring output and transfer characteristics.The result shows that device with low threshold voltage was corresponding to indium doped with concentration 0.05.The incremental of source-drain current due to IN general Indium dopant was found to to improve the electrical characteristics of the device compare with undoped one.

الهدف من هذا البحث هو تصنيع ودراسة الخصائص الكهربائية لترانزستور تأثير المجال نوع Inverter Coplanar المشوب بالانديوم بطريقة الرش الكيميائي الحراري . تم قياس الخصائص الانتقالية والإخراج لهذا النوع من ترانزستور تأثير المجال في درجة حرارة الغرفة وفي الظلام .ومن دراسة هذه الخصائص تبين إن تيار المنبع – المصرف يزداد بزيادة النسبة الوزنية للانديوم المشوب لغشاء شبه الموصل CdS ومن قياس جهد العتبة تبين أن التشويب بالانديوم بالنسبة الوزنية 0.05 يعطي أوطأ جهد عتبة للترانزستور. نتج عن هذا البحث أن التشويب بالانديوم يحسن في أداء الخصائص الكهربائية لهذا النوع من ترانزستور تأثير المجال مقارنة بأخر غير مشوب .

Electrical --- Inverted Coplanar FETs --- Spray Pyrolsis Technique --- SPT .