research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
THE ELECTROCHROMIC PROPERTY OF WO3 THIN FILM PREPARING BY MAGNETRON SPUTTERING UNDER VARIOUS CRYSTAL STRUCTURES
المحضر WO3 الخواص الالكتروكروميكية لتراكيب بلورية مختلفة للغشاء الرقيق بطريقة الترسيب الماغنترون

Author: Haider A. Shukur حيدر علي شكر
Journal: KUFA JOURNAL OF ENGINEERING مجلة الكوفة الهندسية ISSN: 25230018 Year: 2017 Volume: 8 Issue: 3 Pages: 46-54
Publisher: University of Kufa جامعة الكوفة

Loading...
Loading...
Abstract

Tungsten Trioxide (WO3) thin films with a various crystal structure have been fabricated by a magnetron sputtering method. The effect of changing of crystal structure on the Electrochromic (EC) property was investigated. Atomic force microscopy (AFM) and X-ray diffraction (XRD) have been employed to investigate morphology and structure. For EC measurement, 0.1M LiClO4 aqueous solution was used as electrolyte, and Pt and Ag/AgCl were used for counter and reference electrodes respectively. WO3 thin film with a various structure has been obtained by changing reactive gas (Ar) gas and O2 flow rates. Fabricated WO3 thin films with 002 and 112 crystal structures have a high Electrochromic (EC) response.

قد تم تكوين غشاء رقيق لاوكسيد التانغستن بتراكيب بلورية مختلفة بواسطة طريقة الترسيب الماكنترونيه وتم دراسة تاثير اختلاف التركيب البلوري للغشاء المصنع على الخاصية الاكتروكروميكية لكل غشاء. شكل السطح الغشاء و مقدار خشونتةتم ( ) و التركيب البلوري للاغشية بطريقة حيود الاشعة السينيةAFM قياسه بواسط جهاز مجهر القوة الذري( . اختبار XRD) كمصدر و PT كقطب و 0.1M LICLO4 الخاصية الاكتروكروميكية تم بواسطة جعل المحلول المائي المتوازن كقطب ثاني. التحكم بالتركيب البلوري لاوكسيد التانغستن تم عن طريق تغيير نسب سريان غازي الاوكسجين AG/AGCL و الاركون داخل غرفة صناعة الاغشية .النتائج بينت ان التركيب البلوري له تأثير كبير على الخاصية الاكتروكروميكية كان بمواصفات الاكتروكروميكية 112 و 002بحيث ان الغشاء الذي صنع بتركيب بلوري على الوجوه عالية.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2017 (1)