research centers


Search results: Found 11

Listing 1 - 10 of 11 << page
of 2
>>
Sort by

Article
Morphological Aspects of Oxidized Porous Silicon Prepared by Photo Electrochemical Etching
جوانب طوبغرافية للسليكون المسامي المؤكسد المحضر بطريقة (التنميش الفوتو-كهروكيميائي)

Authors: Ali A. A. --- Zahr'aa S. Ahmed --- Alwan M. Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 2 Pages: 314-321
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

This paper reports morphological properties of porous silicon and oxidizedporous silicon, prepared by photo electrochemical etching from n-type silicon wafers asa function of experimental parameters. Scanning electron microscopic (SEM)Observations of porous silicon layers were obtained before and after rapid thermaloxidation process under different preparation and oxidation conditions .The surfacemorphology, Pore diameter, wall thickness, pore shape and porosity values were,studied based on microstructure analyses of (SEM) images.

في هذا البحث تم دراسة الخصائص الطوبغرافية لنماذج من السليكون المسامي والسليكونالمسامي المؤكسد المحضرة من السليكون المانح بطريفة الفوتو- كهروكيميائي كدالة للعوامل التجريبيةبالاعتماد على صور المجهر الالكتروني الماسح لطبقات عينات السليكون المسامي قبل وبعد عمليةالاكسدة الحرارية السريعة تحت ظروف أكسدة مختلفة . ولقد تم دراسة المتغيرات التالية(طوبغرافيةالسطح ، قطر المسامه، شكل المسامه، سمك الجدار بين مسامتين، وقيم المساميه بالاعتماد على تحليلصور المجهر الالكتروني الماسح.


Article
THE INFLUENCE OF HEATING TREATMENT ON PHYSICALPROPERTIES OF POROUS SILICON

Authors: Narges Z.Abd alzahra --- Alwan M.Alwan
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2009 Volume: 12 Issue: 2 Pages: 76-81
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In this work we studying the effect of thermal treatment on the electrical and conduction properties of metal /porous silica /n-si /metal prepared by photo electro chemical etching for etching time (15 min. Oxidation occur in oxidation time (15-150)sec at 750Ċ.After investigated current–voltage (J-V)measurement we found increase in rectification ratio ,barrier height increase with oxidation time, the rectification ration was 5 before oxidation will be 21 after 30 s oxidation time, barrier height value was (0.756eV) will be( 0.85eV) at oxidation time 30 s ,the ideality factor after oxidation was 15 will be 2.75 at 30 sec of oxidation time mean that the device approach from the ideality characteristics.

في هذا البحث تم دراسة تأثير المعالجة الحرارية السريعة على الخصائص الكهربائية وميكانيكية التوصيل للسليكون المسامي المحضر بطريقة تشعيع الليزر أثناء عملية القشط الكهروكيميائي بزمن ( 15 دقيقة ) عملية الأكسدة جرت بزمن ( 15-150 ثانية ) عند درجة حرارة (Ċ750) من خلال دراسة الخصائص الكهربائية أن نسبة التقويم و حاجز الجهد تزداد بزيادة زمن الأكسدة الحرارية الأكسدة الحرارية . قيمة حاجز الجهد كانت eV) 0.756 ( أصبحت eV) 0.85 (عند زمن أكسدة 30 ثانية,عامل المثالية وجد انه قبل عملية الأكسدة 15اصبحت قيمته 2.75 عند زمن الأكسدة 30 ثانية مما يعني اقتراب الجهاز من الخصائص المثالية.


Article
Study Optoelectronic Properties of Ag2O Heterojunction Prepered by Thermal Oxidation Technique

Author: Khalid Z. Yahia
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 5 Pages: 570-578
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Highly (101)-oriented p-Ag2O thin film with high electrical resistivilywas grown by thermal oxidation (TO) on clean monocrystalline p-type Siwithout any post- deposition annealing. From optical transmittance andabsorptance data, the direct optical band gap was found to be 1.4eV. Theelectrical and photovoltaic properties of Ag2O/Si isotope heterojunctionwere examined in the absence of any buffer layer. Ideality factor ofheterojunction was found to be 3.9. Photoresponse result revealed that thereare two peaks located at. 750 nm and 900nm .

تم ترسيب غشاء رقيق من اوكسيد الفضة باتجاهية ( 101 ) ومقاومة كهربائية عاليةعلى طبقة من السليكون احادية البلورة من النوع مانح بطريقة التأكسد الحراري بدونأي تلدين مسبق. من النتائج النفاذية البصرية والامتصاصية وجد ان فجوة الطاقة للانتقالالهجين Ag2O/Si 1.4 اما الخواص الكهربائية والفولتائية وجد ان المفرق eV المباشر كانتله عامل المثالية 3.9 اما نتائج الاستجابية الطيفية فوجد قمتان تقع عند الطو لين900nm,750nm الموجيين


Article
Study Optoelectronic Properties of Ag2O Heterojunction Prepered by Thermal Oxidation Technique
تحضير ودراسة الخواص الكهروبصرية للمفرق الهجين أوكسيد الفضة- سيلكون

Author: Khalid Z. Yahia
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 10 Pages: 1201-1209
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Highly (101)-oriented p-Ag2O thin film with high electrical resistivily was grown bythermal oxidation (TO) on clean monocrystalline p-type Si without any post- depositionannealing. From optical transmittance and absorptance data, the direct optical band gapwas found to be 1.4eV. The electrical and photovoltaic properties of Ag2O/Si isotopeheterojunction were examined in the absence of any buffer layer. Ideality factor ofheterojunction was found to be 3.9. Photoresponse result revealed that there are two peakslocated at. 750 nm and 900nm .

تم ترسيب غشاء رقيق من اوكسيد الفضة باتجاهية ( 101 ) ومقاومة كهربائية عالية علىطبقة من السليكون احادية البلورة من النوع مانح بطريقة التأكسد الحراري بدون أي تلدينمسبق. من النتائج النفاذية البصرية والامتصاصية وجد ان فجوة الطاقة للانتقال المباشر كانتالهجين له عامل المثالية 3,9 Ag2O/Si 1.4 اما الخواص الكهربائية والفولتائية وجد ان المفرق eV.900 nm750nm, اما نتائج الاستجابية الطيفية فوجد قمتان تقع عند الطولين الموجيين


Article
Physical Properties of MOS Porous Silicon Detector Fabricated under RTO Method
الخصائصا لفیزیائیة لكاشف السلیكون المسامي MOS المحضر بطریقة الأكسدة الحراریة السریعة

Authors: Narges Z. Abdulzahra --- Wafaa K. Khalaf --- Alwan M. Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 11 Pages: 2286-2291
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this research we studying the sensitivity of a porous silicon photo detector, wefound it improved through rapid thermal oxidation processes. Under our optimumpreparation conditions, photocurrent can reach about 3408 μA (under power density 100mW/cm2 tungsten lamp illumination) and dark current is about 300μA(at reverse bias of 5V).


Article
Photovoltaic Properties of CdO/Porous Si Heterojunction Photodetector.

Authors: Nadir F. Habubi --- Raid A. Ismail --- Abdullah M. Ali
Journal: Journal of College of Education مجلة كلية التربية ISSN: 18120380 Year: 2012 Issue: 3 Pages: 11-31
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

CdO/porous Si heterojunction photodetector have been fabricated by rapid thermal oxidation (RTO) of Cd on porous has been presented. The electrical and photovoltaic properties of this structure have been studied. The electrochemical etching process has been used as a technique to control the porosity of silicon wafer by controlling the time of etching in the range (600s-2400s). The results revealed that all our detector parameters are highly dependant on etching time. The minimum value of ideality factor was 1.28 for the detectors prepared with etching current density of 40mA/cm2 for 600s. The results of quantum efficiency showed that these detectors had two depletion regions, the first one between CdO film and porous silicon layer, the second between the latter and the crystalline silicon. The first peak of quantum efficiency curve was 77% at wavelength 550nm while the second one was 88% at 700nm. The maximum specific detectivity was at wavelength 550nm for the detectors fabricated with etching current density 40mA/cm2 and etching time 2400s. All the detectors are working on the spectrum region 400-700nm. The maximum Isc and Voc were 19A, 0.28mV respectively for the detectors fabricated with etching current density 40mA/cm2 and etching time 1200s.

تم تصنيع كاشف ألمفرق ألهجين نوع (CdO/Porous Si/Si/Al) بطريقة ألأكسدة ألحرارية ألسريعة(Rapid Thermal Oxidation) وذلك من خلال ترسيب أغشية CdO على ألسليكون ألمسامي نوع p- بالطريقة ألمذكورة آنفاً.تم دراسة ألخصائص ألكهربائية وألفولطائية ألضؤئية للكاشف ألمحضر على قواعد سليكونية مسامية. استخدمت عملية ألتنميش ألكهروكيميائية للتحكم بمسامية الشرائح السليكونية من خلال السيطرة على زمن التنميش ضمن المدى الزمني .(600s-2400s) أوضحت ألنتائج أن جميع معلمات ألكواشف ألمصنعة تعتمد بشكل كبير على مقدار زمن ألتنميش (Etching time) للقواعد ألسليكونية ضمن المدى المستخدم. أن أقل عامل مثالية كان 1.28للكواشف ألمصنعة بكثافة تيار تنميش40mA/cm2 وزمن تنميش 600s . لقد أظهرت نتائج ألكفاءة ألكمية أن الكواشف ألمصنعة تمتلك منطقتي نضوب الاولى ما بين غشاء CdO والسليكون ألمسامي والثانية ما بين طبقة السليكون المسامي والسليكون البلوري حيث أن القمة الاولى تقع عند الطول الموجي(550nm ) والثانية عند الطول الموجي (700 nm) حيث مقدار الكفاءة الكمية للقمة الاولى كان ) (88% ومقدارها للقمة الثانية كان ) .(77% أعلى قيمة للكشفية كانت عند الطول الموجي(550nm) . وكان مقدارها 87للكاشف المصنع بكثافة تيار 40mA/cm2 وزمن تنميش 2400s . أوضحت النتائج أن الكواشف المصنعة تعمل للمنطقة الطيفية (400-700nm). جرى قياس كل من تيار دائرة ألقصر وفولتية دائرة ألفتح ووجد بأن أكبر قيمة لهما كانتا 19A و0.28mV على ألتتالي للكاشف ألمصنع بكثافة تيار تنميش40mA/cm2 وزمن تنميش 1200s . أجريت دراسة ألخصائص ألكهربائية والفولتائية ألضوئية والتركيبية لهذا ألكاشف بدرجة حرارة ألمختبر وتبين من خلال خواص (تيار-جهد) بأن ألكاشف غيرمتماثل ألسلوك، وأوجدنا قيمة ألمقاومة ألسطحية RS للكاشف،عامل ألخطية وتم ألحصول على كفاءة كمية بمدى (88%-66%) وبكشفية 76x1011 cm. Hz1/2 W-1 عند ألطول ألموجي nm) 550(.


Article
Preparation and the study optical and electrical properties of thin films for optoelectronic applications

Authors: Khalid Z. Yahiya --- Ammar H. Jraiz --- Uday M. Nayef
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 7 Pages: 824-828
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Conductive transparent In2O3 thin films with (222) preferred orientation wereprepared by thermal oxidation (TO) in static air of indium thin films at condition(250°C/25 min). Detailed structural, electrical, and optical characteristics of thefilm are presented. The data are interpreted to give a direct band gap of(3.6) eV and indirect band gap of (2.5) eV. The In2O3 film has sheet resistance aslow as (20)Ω/□ . in absence of any post-deposition annealing conditions. Themobility of these films was estimated to be (31) cm2. V-1. s-1.

بطريقة الأكسدة الحرارية In2O تم تحضير غشاء رقيق موصل كهربائيا شفاف من 3250° ) تم دراسة خواص البناء الداخلي C/25min) في الهواء لغشاء الانديوم تحت حالة3.6 ) في )eV. والكهربائية والبصرية للغشاء ووجد أن فجوة الطاقة للانتقال المباشر كانت20Ω/□ 2.5 ) ومقاومة سطحية واطئة )eV حين كانت فجوة الطاقة للانتقال غير المباشر.(31) cm2.V-1s- بدون أي تلدين مسبق . أما حركية نواقل الشحنة لهذا الغشاء فكانت


Article
Influence of Rrapid Cooling of Copper Oxide Nanostructures Synthesized Via Thermal Oxidation of Copper Foil

Authors: Abdulqader D. Faisal --- Wafaa Khalid Khalef --- Haitham Talib Hussein
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2016 Volume: 34 Issue: 6 Part (B) Scientific Pages: 797-807
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

The influence of rapid cooling on the morphology and structures of CuO nanostructures synthesized via oxidation process was investigated. Two suggested approaches were used in this study. First and second oxidation approaches of Cu foil were conducted with single zone tube furnace and muffle furnace respectively. The copper oxide product was characterized with X-ray diffraction (XRD), scanning electron microscope (SEM), Fourier transform –infrared spectrometer (FTIR), ultra violate- visible (UV-VIS) spectrophotometer. XRD patterns showed that there are two copper oxide phases of Cu2O and CuO always coexists and their intensity proportion varying with oxidation temperatures. These results were confirmed by SEM and FTIR analysis. High energy band gap about 3.6eV was calculated at different temperatures for copper oxide nanostructure.


Article
OXIDATION INFLUENCE ON THE CHEMICAL CONTENT AND SOME RHEOLOGICALY PROPERTIES FOR NATURAL ASPHALT TO ABU ALJEER _ ALANBAR
تأثير الأكسدة على المحتوى الكيميائي للإسفلت وبعض الخواص الريولوجية للإسفلت الطبيعي لمنطقة أبو الجير- الانبار

Authors: Aws Mseer Najres أوس مسير نجرس --- Tariq Abdul-Jaleel طايق عبد الجليل
Journal: IRAQI JOURNAL OF DESERT STUDIES المجلة العراقية لدراسات الصحراء ISSN: pISSN: 19947801 / eISSN: 26649454 Year: 2012 Volume: 4 Issue: 1 Pages: 1-15
Publisher: University of Anbar جامعة الانبار

Loading...
Loading...
Abstract

Abstract: Heating of natural asphalt at high temperatures for a long time lead to oxidation of the asphalt , which starting on the surface while with continuous mixing and heating leads to oxidation to all the asphalt molecules and the texture of oxidized asphalt becomes a solid , glossy, dark black of color. The rheological properties before and after oxidation were studied , the results showed that increase of oxidation time , Lead to reduce the degree of penetration(increased stiffness) and an increment in the softening degree, also the oxidation processes load to increase in the fractional Asphaltene compared with that of maltene parts, Which have been separated and estimated by using manual column liquid –solid chromatography and extraction in parallel with a solvent and precipitant the Asphaltene index IA and Gastl index IC were also calculated, the spectra of FT-IR , U.V- visible and HNMR showed a change in the physical properties of oxidated since there was Chemo - Physical relationship between a chemical content and Rheological properties of the oxidized asphalt .

المستخلص:إن تسخين الإسفلت بدرجات حرارة عالية ولفترة زمنية طويلة تؤدي إلى اكسدتة ، فتبدأ بالسطح ومع التحريك والمزج المتواصل للاسفلت تؤدي الحرارة الى اكسدة جميع جزيئات الاسفلت فيصبح ذو لون اسود غامق لماع وصلب القوام . ( بسبب زيادة التصلب ) ،وزيادة درجة الليونة و قيم اللزوجة كما أدت عمليات الأكسدة إلى زيادة نسبة جزء الاسفلتينات ونقصان جزء المالتينات . والتي تم فصلها وتقديرها بطريقة الكروماتوغرافيا العمود السائل الصلب وطريقة الفصل بالإذابة والترسيب . وتم حساب معامل الاسفلتينIA ومعامل جستلIC وأعطت أطياف HNMR و FT-IR و uv-visible تغيراً واضحاً في مواقع حزم الامتصاص للمجاميع الفعالة مما يدل حصول تطور واضحاً في خواص الإسفلت بتأثير درجة الحرارة العالية ولفترة زمنية طويلة الامد. وأن هناك علاقة كيمو- فيزياوية بين تركيب الإسفلت والخواص الميكانيكية.


Article
High Quantum Efficiency of (Au/n-SnO2/p-PSi/c-Si/Al) solar cell after annealing of Nd:YAG laser
كفاؤة كمية عالية للخلية الشمسية (Au/n-SnO2/p-PSi/c-Si/Al) بعد التلدين

Authors: Firas Sabeeh Mohammed --- Ban Rashid Ali --- Bahaa Jawad Alwan --- Zahra Sabah Rashid
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 5 Part (B) Scientific Pages: 856-866
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Transparent and conducting SnO2 thin film has been produced on (quartz and porous silicon) substrates using rapid photothermal oxidation of pure Sn in air at 600 oC oxidation temperature and different oxidation time. The structural properties and scan electron microscope of the prepared films were studied. The photovoltage properties of a Au/n-SnO2/p-PSi/c-Si solar cell are investigated under irradiation of Nd:YAG laser pulses. The porous Si layer is synthesized on a single crystalline p-type Si using electrochemical etching in aqueous hydrofluoric acid at a current density of 25 mA/cm2 for a 30-min etching time. The structure of the porous layer is investigated using scan electron microscope. The photovoltage properties are found to be dependent on the laser fluencies.

اكاسيد شفافة موصلة SnO2 محضرة على قواعد مختلفة باستخدام تقنية الاكسدة الحرارية السريعة لمعدن القصدير بالهواء عند درجة حرارة اكسدة 600 oC وازمان اكسدة مختلفة. الخصائص التركيبية تم دراستها في هذا البحث. تم تحضير طبقة اليليكون المسامي في هذا البحث باستخدام سليكون نوع p-type Si بمحلول حامض الهايدروفلوريك عند كثافة تيار مقدارها 25 mA/cm2 لمدة 30-min. حيث تم قياس الخصائص الفولتائية للنبيطة المصنعة بعد اجراء عملية التلدين كخلية شمسية حيث اظهرت كفاؤة عالية جدا بعد التلدين.

Listing 1 - 10 of 11 << page
of 2
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (11)


Language

English (9)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2017 (1)

2016 (1)

2015 (1)

2012 (2)

2010 (1)

More...