research centers


Search results: Found 4

Listing 1 - 4 of 4
Sort by

Article
Influence of Substrate Temperature on Structure and Optical Properties of CdO Thin Films Prepared By Pulsed Laser Deposition
تأثیر درجة حرارة القاعدة على الخصائص التركیبیة والبصریة لأغشیة أوكسید الكادمیوم المحضرة بطریقة الترسیب باللیزر النبضي

Authors: Muhanad Adel --- Khaled Z.Yahya
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 3 Pages: 416-425
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Nanocrystallites of cadmium oxide (CdO) thin films were deposited by pulsed laserdeposition technique on glass substrates using Nd:YAG laser at 532nm wave length.X-ray diffraction (XRD) patterns confirmed the nanocrystalline cubic CdO phaseformation. The intensity of XRD peaks increases with the increase in substratetemperature and better crystallinity takes place at higher temperature. Themorphology of deposited films were characterized by scanning electron microscope(SEM) and atomic force microscope (AFM); with increasing substrate temperature,both the grain size and surface roughness increase .The grain size value (12,18,47nm) and rms roughness values were 63.3, 98.8 and 138.4 nm for thin films depositedat 100 , 200 and 300ºC respectively. UV–Vis spectrophotometric measurementshowed high transparency (nearly 88 % in the wavelength range 500–900 nm) of theCdO thin film with a direct allowed band gap value lying in the range 2.81–3.7eV

بطریق ة الترس یب (CdO) ف ي ھ ذا البح ث ت م تحض یر اغش یة رقیق ة نانوی ة م ن اوكس ید الك ادمیومباللیزر النبضي عل ى قواع د م ن ( الزج اج ) باس تخ دام لی زر الأن دیاك النبض ي ذو الط ول الم وجي 532اذ أظھرت النتائج تك ون الط ور (XRD) نانومتر. حدد التركیب البلوري باستخدام حیود الأشعة السینیةالمكعب لأغشیة اوكسید الكادمیوم البلوریة. ازدادت شدة قمم حیود الاشعة الس ینیة بزی ادة درج ة ح رارةالقاعدة بمعنى ازدیاد تبلور الغشاء عند درج ات الح رارة العالی ة . ح ددت خص ائص طبوغرافی ة الس طحمن خلال قیاس المجھر الالكتروني الماسح و مجھر الق وى الذری ة , حی ث بزی ادة درج ة ح رارة القاع دةازداد كل من الحجم الحبیبي وخشونة السطح . بلغت قیمة الحجم الحبیب ي ( 12,18,47 ) ن انومتر و قیم ة63.3 ن انومتر للأغش یة المحض رة ب درجات ح رارة قاع دة , 98.8 , خش ونة الس طح 138.4100,200,300 ) على التوالي. اظھرت نت ائج قیاس ات مطی اف الاش عة المرئی ة والف وق البنفس جیة ) °C- امتلاك غشاء اوكسید الكادمیوم نفاذیة عالیة تصل تقریبا" إلى % 88 عند مدى الطول الموجي( 9002.81 ) الكت رون - 500 ) نانومتر مع قیمة فج وة طاق ة الانتق ال المباش ر المس موح تق ع عن د الم دى ( 3.7فولت.


Article
Study the Effect of Rapid Thermal Annealing on Thin Films Prepared By Pulse Laser Deposition Method
دراسة تاثير التلدين الحراري السريع على الاغشية الرقيقة المحضرة بطريقة الترسيب بالليزر النبضي

Author: Heba Salam Tareq
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 3 Part (B) Scientific Pages: 444-452
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, the synthesis of nanocrystalline Nickel oxide (NiO) thin films on quartz substrates using a pulsed 532 nm Q-Switched Nd: YAG laser is presented, the annealing temperature was varied from (200 - 400 ˚C). The X-ray diffraction (XRD) results show that the deposited films are crystalline in nature. Furthermore, a higher annealing temperature resulted in a thicker NiO film, which was attributed to an increased grain size. The morphology of deposited films were characterized by scanning electron microscope (SEM) and atomic force microscope (AFM);with increasing annealing temperature, the grain size increase .The grain size value (10,23 and 40 nm) for thin films annealing at 200 ,300 and 400˚C respectively., and with increasing annealing temperature, surface roughness decrease. RMS roughness values were (13.5, 7.8 and 5.5 nm) for thin films annealing at 200, 300 and 400˚C respectively. UV–Vis spectrophotometric measurement showed high transparency (nearly 92 % in the wavelength range 400–900 nm) of the NiO thin film with a direct allowed band gap value lying in the range 3.51–3.6 eV.

في بحثنا هذا , تم تحضير اغشية رقيقة نانوية لاوكسيد النيكل(NiO ) على قواعد من الكوارتز باستخدام ليزر نيدميوم ياك النبضي ذو الطول الموجي( nm 532) , تغيرت درجة حرارة التلدين من (200-400) درجة مئوي . اظهرت نتائج حيود الاشعة السينية ان الاغشية المحظرة ذات طبيعة بلورية , كما ادى زيادة درجة حرارة التلدين الى زيادة بالحجم الحبيبي لاغشية اوكسيد النيكل. تم دراسة طبوغرافية السطح باستخدام المجهر الالكتروني الماسح) SEM) ومجهر القوى الذرية (AFM) . بزيادة درجة حرارة التلدين ازداد الحجم الحبيبي.حيث تراوحت قيم الحجم الحبيبي لاغشية اوكسيد النيكل (10,23 و40) نانومتر عند درجات حرارة تلدين (200 ,300 و400 ) مئوي على التوالي.ايضا" ادت زيادة درجة حرارة التلدين الى نقصان بخشونة السطح للاغشية المحضرة. حيث تراوحت قيم الخشونة لاغشية اوكسيد النيكل (13.5 , 7.8 و 5.5) نانومتر عند درجات حرارة تلدين (200 ,300 و400 ) مئوي على التوالي. كذلك تم دراسة الخصائص البصرية بواسطة مطياف النفاذية للأشعة المرئية وفوق البنفسجية .حيث اظهرت النتائج نفاذية أعلى من 92 % عند مدى الطول الموجي (400-900) نانومتر لاغشية اوكسيد النيكل الرقيقة وتراوحت قيمة فجوة الطاقة للانتقال المباشر المسموح ( 3.51 - 3.6 ) الكترون فولت.


Article
Fabrication and Characteristics Study Of CdO/Si Heterojunction
تصنيع ودراسة خواص المفرق الهجين CdO/Si

Authors: Khalid Z. Yahiya --- Ammar H. Jareeze --- Ammar M. Al-Baldawi
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 12 Pages: 1484-1491
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present paper CdO/Si heterojunction has been prepared by spray pyrolysismethod , electrical characteristics include I-V , C-V , were studied the build-inpotentialequal 1.7 eV and optoelectronic characteristics include I-V illuminationcondition, photovoltaic, responsivity , quantum efficiency were studied . theideality factor to be 2.93 and short circuit photocurrent 170μA, open circuitphotovoltge 120mV at AM1 condition and two peaks responsivity were found ,first peak at region 600±20nm this peak due to absorb of light in CdO throughband-to-band absorption while second region at 800±30nm which due to the Sibandgap.

بطريقة الرش الكيميائي الحراري تم دراسة CdO/Si في هذا البحث تم تحضير المفرق الهجين1.7 وتم دراسة eV الخواص الكهربائية المتضمنة تيار-جهد، سعة-جهد ووجد جهد البناء الداخلي يساويالخواص الكهروبصرية المتضمنة تيار-جهد في حالة إضاءة والخواص الفولتائية والاستجابية الطيفية170 وفولتية الدائرة μA والكفاءة الكمية وقد وجد ان عامل المثالية يساوي 2.93 وتيار دائرة القصر600±20 بسبب امتصاص nm ووجد قمتي استجابية الأولى عند AM 120 عند حالة 1 mV المفتوحة800±30 بسبب فجوة طاقة السليكون . nm حزمة الى حزمة في الغشاء والثانية


Article
Effect of Substrate Temperatures on the Structural and Optical Properties of Na-Doped ZnO Thin Films
تأثير درجات حرارة الأرضية على الخواص التركيبية والبصرية لأغشية ZnO الرقيقة المطعمة بـ Na

Author: Suha A. Najim سهى عبد الله نجم
Journal: Rafidain journal of science مجلة علوم الرافدين ISSN: 16089391 Year: 2018 Volume: 27 Issue: 2E Pages: 82-92
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

ZnO thin films doped with Na have been prepared by chemical vapor deposition technique on the glass substrate at different temperatures (400, 450, 500 ˚C) for 20 min. By increasing the dopant Na from 0 to 20% in ZnO thin films were found to lead to pronounced changes in their structure. From optical properties the band gap energy of the Na-doped ZnO thin films is affected by increasing substrate temperatures and Na doping. X-ray diffraction (XRD) has shown that the maximum intensity peak corresponds to the (002) predominant orientation for ZnO films. Scanning Electron Microscope (SEM) images reveal the formation of Na-doped ZnO films having better crystalline behavior by increasing the substrate temperature at 500˚C. Energy dispersive X-ray analysis (EDXA) shows that the structure of ZnO contains Zn and O elements for undoped and Na for doping state

حضرت أغشية ZnO الرقيقة المطعمة بالصوديوم (Na) بواسطة تقنية ترسيب البخار الكيميائيchemical vapor deposition (CVD) على أرضية من الزجاج عند درجات حرارة مختلفة (400, 450, 500 ˚C) لمدة 20 دقيقة. عند زيادة التطعيم منNa (0-20%) في أغشية ZnO الرقيقة وجد حصول تغييرات واضحة في التركيب البلوري. من الخواص البصرية وجد أن فجوة الطاقة لأغشية ZnO المطعمة بـ Na تتأثر بزيادة درجات حرارة الأرضية وبنسب التطعيم بـ Na. من حيود الأشعة السينية (XRD) تبين أن قمة الشدة العظمى تقابل الاتجاه (002) وهو الاتجاه السائد في أغشية ZnO. تبين صور المجهر الالكتروني الماسح (SEM) أن أغشية ZnO المطعمة بـ Naتكون ذات حالة بلورية أفضل بزيادة درجة حرارة الأرضية عند 500 ˚C. أما تقنية التحليل الطاقي (EDXA) فتوضح أن أغشية ZnO غير المطعمة تحتوي على عناصر الخارصين Zn والأوكسجين Oوبالإضافة إلى ذلك فإنها تحتوي على عناصر Na في حالة التطعيم

Listing 1 - 4 of 4
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (4)


Language

English (4)


Year
From To Submit

2018 (1)

2014 (1)

2012 (1)

2008 (1)