research centers


Search results: Found 4

Listing 1 - 4 of 4
Sort by

Article
A study of electrical properties of Culn (Sex Te1-x )2 thin flims
دراسة الخواص الكهربائية للأغشيةالرقيقة Culn (Sex Te1-x )2

Authors: jasim muhamad mansur جاسم محمد منصور --- Sabah anwer salman صباح انور سلمان
Journal: Journal of Research Diyala humanity مجلة ديالى للبحوث الانسانية ISSN: 1998104x Year: 2008 Issue: 31 Pages: 106-116
Publisher: Diyala University جامعة ديالى

Loading...
Loading...
Abstract

It had been measure the resistivity for Culn (Sex Te1-x )2 thin flims which preparation in vacuum thermal evaporation at thickness (250±25 nm) between (293K) to (423K) for deposited sample and for the sample after annealing in temperature (273K) and (423K) for one hour in vacuum ( 10-6 torr ) . It had been measure the activation energy for these flims before and after annealing .

اجريت قياسات المقاومية الكهربائية ( Resistivity) لآغشية (Sex Te1-x)2 Culn الرقيقة والمحضرة بطريقة التبخير الحراري في الفراغ (Vacuum thermal evaporation) بسمك قدره (250 ± 25 nm) ضمن مدى حراري من ( 293 K ) الى ( 423K ) للعينات كما تم ترسيبها وللعينات التي خضعت الى عملية التلدين ( Annealing) عند درجات الحرارة (K373)و(423K) لمدة ساعة بوجود الفراغ((10-6 تور. وحسبت طاقات التنشيط لهذه الاغشية قبل التلدين وبعده .


Article
Properties of Inclined Silicon Carbide Thin Films Deposited By Vacuum Thermal Evaporation
خواص أغشية كاربيد السليكون الرقيقة المرسبة بشكل مائل باستخدام التبخير الحراري في الفراغ

Authors: Khalid Z. Yahiya --- Ammar H. Jraiz --- Najem Abdu Al-Kazem
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 8 Pages: 938-943
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, thermal evaporation system was employed to deposit thin films of SiC onglass substrates in order to determine the parameters of them. Measurements includedtransmission, absorption, Seebak effect, resistivity and conductivity, absorption coefficient,type of energy band-gap, extinction coefficient as functions of photon energy and the effectof increasing film thickness on transmittance. Results explained that SiC thin film is an ntypesemiconductor of indirect energy and-gap of ~3eV,cut-off wavelength of 448 nm,absorption coefficient of 3.4395x104cm-1 and extinction coefficient of 0.154. Theexperimental measured values are in good agreement with the typical values of SiC thinfilms prepared by other advanced deposition techniques.

هذا البحث ، استخدمت منظومة التبخير الحراري لترسيب أغشية رقيقة من كاربيد السليكون علىقواعد زجاجية من اجل تحديد معاملات هذه الأغشية . تضمنت القياسات التي تم أجراؤه ا قياس طيفالنفاذية والامتصاص وتأثير سيباك والمقاومية والتوصيلة ومعامل الامتصاص ونوع فجوة الطاقة ومعاملالتخميد كدالة لطاقة الفوتون الساقط وكذلك تأثير زيادة سمك الغشاء على نفاذية العينات . أظهرت النتائجالتي تم الحصول عليها أن أغشية كاربيد السليكون الرقيقة هي مادة من النوع المانح ذات فجوة طاقة غير(3.439x104 cm- 448 ) ومعامل الامتصاص nm) 3) وكانت قيم الطول الموجي القاطع eV) مباشرة مقداره1 ومعامل التخميد ( 0.154 ) . تبدو القيم المستحصلة عمليا متفقة بشكل جيد مع القيم النموذجية لأغشية )كاربيد السليكون الرقيقة المحضرة باستخدام تقنيات متقدمة للترسيب .


Article
Post Thermal Oxidation of Tin Thin Film on Silicon Substrate for MIS Hetrojunction Prepared by Thermal Evaporation

Author: Halah H. Rashed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2016 Volume: 34 Issue: 4 Part (B) Scientific Pages: 499-511
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, preparation of high quality conductive oxide SnO2 thin film by post-thermal trearment of deposited tin by vacuum thermal evaporation on glass and p -type silicon substratesfor preparation of metal-insulator-semiconductor hetrojunction.The opticalabsorption, electrical, structural and surface morphology of the SnO2 thin film on glass substrate were characterized byUV-VIS-NIR spectrophotometer, electrical conductivity, X-ray diffraction spectrum andatomic force microscope respectively.The X-Ray Diffraction pattern show that the SnO2 thin film is polycrystalline with and tetragonal rutile, Atomic Force Microscope show that the grains size of the thin film varies from 50 to 150 nm .The optical properties show that SnO2 thin film is high absorbance in Ultra-violet region, whereas it's transparent in the visible and near infrared regions and have direct optical band gap of 3.6 eV, and last the electrical conductivity results show that the resistivity is decrease with increase the temperature and activation energy is approximately to the 0.107eV.The electrical properties of n SnO2/SiO2/p Sihetrojunctionwere studied by I–V measurement under dark and illumination conditions, in the dark condition, I–V measurement reveals that the heterojunction have rectifying behavior, the ideality factor and the reverse saturation current of this diode are 5.18 and 1.5×10–6 A respectively. Under illumination condition, I–V measurement reveals that the photocurrent is larger than the dark current, and a linear relation between ISC and VOC with the incident light intensity to reach a maximum value beyond tends to saturated and become constant. These electrical properties of prepared device can its work as a detector or solar cell.


Article
دراسة تأثير التشعيع على الثوابت البصرية لأغشية CuIn(SexTe1-x)2 المحضرة بطريقة التبخير الحراري في الفراغ

Authors: محمد حميد عبد الله --- عمار عايش حبيب --- صباح أنور سلمان
Journal: Diyala Journal For Pure Science مجلة ديالى للعلوم الصرفة ISSN: 83732222 25189255 Year: 2010 Volume: 6 Issue: 1 Pages: 345-357
Publisher: Diyala University جامعة ديالى

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of CuIn(SexTe1-x)2 have been deposited on glass substrates by vacuum thermal evaporation of thickness (250nm) , the study of the effect of irradiation by gamma rays from ) Cs137(source on the following optical constants : Absorptions, Reflectance , Extinction Coefficient , Refractive Index , Real and Imaginary Parts of the Dielectric Constant, It was found the all these parameters were affected by irradiation.

حضرت أغشية CuIn(SexTe1-x)2 الرقيقة على قواعد من الزجاج بأستخدام تقنية التبخير الحراري في الفراغ بسمك(250nm)، تم دراسة تأثير التشعيع بأشعة كاما من المصدر المشع (Cs137) على الثوابت البصرية الآتية : الامتصاصية ، الانعكاسية ، معامل الخمود ، معامل الانكسار، و ثابت العزل الكهربائي بجزأيه الحقيقي والخيالي ، لقد وجد بان كافة هذه العوامل قد تأثرت بعملية التشعيع.

Listing 1 - 4 of 4
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (4)


Language

English (3)

Arabic (1)


Year
From To Submit

2016 (1)

2010 (1)

2008 (2)