research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Effect of Pb dopant On A.C mechanism of ZnS thin films
تأثير المطعم Pb على الميكانيكية المتناوبة A.C لأغشية ZnS الرقيقة

Author: Salma M. Shaban سلمى مهدي شعبان
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2014 Volume: 12 Issue: 25 Pages: 80-88
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Vacuum evaporation technique was used to prepare pure and doped ZnS:Pb thin films at10% atomic weight of Pb element onto glass substrates at room temperature for 200 nm thickness. Effect of doping on a.c electrical properties such as, a.c conductivity, real, and imaginary parts of dielectric constant within frequency range (10 KHz - 10 MHz) are measured. The frequency dependence of a.c conductivity is matched with correlated barrier hoping especially at higher frequency. Effect of doping on behavior of a.c mechanism within temperature range 298-473 K was studied.

استخدمت طريقة التبخير الفراغي لتحضير اغشية رقيقة نقية ومطعمة من ZnS:Pb ل 10% من الوزن الذري لعنصر Pb على قواعد زجاجية عند درجة حرارة الغرفة ولسمك 200 nm. درس تاثير التطعيم على الخواص الكهربائية المتناوبة مثل التوصيلية المتناوبة, ثابت العزل الحقيقي والخيالي ضمن مدى تردد (10 KHz – 10 MHz). طبق نموذج Correlated Barrier hoping لاعتماد التوصيلية المتناوبة على التردد خصوصا بالتردد العالي. درس تاثير التطعيم على سلوك ميكانيكية a.c ضمن مدى درجات حرارة 473 – 298 K.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2014 (1)