research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Electrochemical deposition of CuInS2 thin films
الترسيب الكهروكيميائي لأغشية CuInS2 الرقيقة

Authors: Muhammad O. Salman محمد عودة سلمان --- Salma M.Shaban سلمى مهدي شعبان --- Mahdi H.Suhail مهدي حسن سهيل
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2011 Volume: 9 Issue: 15 Pages: 24-30
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Chalcopyrite thin films were one-step potentiostatically deposited onto stainless steel plates from aqueous solution containing CuSO4, In2(SO4)3 and Na2S2O3.The ratio of (In3+:Cu2+) which involved in the solution and The effect of cathodic potentials on the structural had been studied. X-ray diffraction (XRD) patterns for deposited films showed that the suitable ratio of (In3+:Cu2+) =6:1, and suitable voltage is -0.90 V versus (Ag/AgCl) reference electrode.

تم في هذا البحث تحضير غشاء رقيق من CuInS2 بواسطة الترسيب الكهربائي على صفائح من الستيلس ستيل من محلول مائي يحتوي على المواد التالية CuSO4, In2(SO4)3 , Na2S2O3. تم دراسة نسبة الايونين(In3+/Cu2+) المناسبة الموضوعة في المحلول وكذلك الجهود المسلطة وتاثيرها على تركيب الغشاء المترسب. حيود الاشعة السينية للاغشية المترسبة اظهرت ان النسبة(In3+:Cu2+) المناسبة =6:1 وان الفولتية المناسبة هي 0.9– V عن قطب (Ag/AgCl) القياسي.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2011 (1)