research centers


Search results: Found 68

Listing 1 - 10 of 68 << page
of 7
>>
Sort by

Article
Effect of photo chemical etching and electro chemical etching on the topography of porous silicon wafers surfaces
تأثير التنميش الكيميائي الضوئي والتنميش الكهروكيميائي على طبوغرافية سطوح شرائح السليكون المسامي

Author: Amjad Hussein Jassem امجد حسين جاسم
Journal: Tikrit Journal of Pure Science مجلة تكريت للعلوم الصرفة ISSN: 18131662 Year: 2019 Volume: 24 Issue: 4 Pages: 52-56
Publisher: Tikrit University جامعة تكريت

Loading...
Loading...
Abstract

In This research we study the effect of photo chemical etching and electrochemical etching on topography of porous silicon surfaces, the results showed that photo chemical etching produced roughness silicon layer which can have thickness be less of porous silicon layer which is produced by electro chemical etching When all the wafers have same etching time and hydrofluoric solution (HF) concentration, the wafers have same resistance (10 Ω.cm).Also the results showed the roughness of porous silicon layers produced by electro chemical method which is bigger than the roughness of porous silicon layers produced by photo chemical method and the results of roughness of porous silicon layers, Pore diameter and porous layer thickness were produced by electro chemical method (1.55(µm) ((0.99(µm)) and ((1.21(µm) respectively), the results of roughness of porous silicon layers, Pore diameter and porous layer thickness were produced by photo chemical method 0.63)) nm -1.55)) (µm) ),so the (84.9 (nm)- and (3.94(nm) respectively .This is reinforces because of using the electro chemical to etching the wafer surf ace of bulk silicon and changing it to roughness silicon surface be share in success of many practicalities.

تم في هذا البحث دراسة تأثير التنميش الكيميائي الضوئي والتنميش الكهروكيميائي على طبوغرافية سطوح السليكون المسامي، اذ اظهرت النتائج ان التنميش الكيميائي الضوئي انتج طبقة سطحية ذات خشونة اقل سمكا مما انتجه التنميش بالطريقة الكهروكيميائية وعند ظروف التصنيع نفسها من تركزHF و زمن تنميش ومقاوميه نفسها (.cm Ω 10).كما تبين ان الخشونة كانت اكبر لسطوح شرائح السليكون المسامي المنتجة بالطريقة الكهروكيميائية مما هي عليه سطوح السليكون المسامي المنتجة بالطريقة الكيميائية الضوئية اذ اظهرت النتائج ان قيم الخشونة وقطر المسام وسمك الطبقة المسامية للسطوح السليكونية المنتجة بالطريقة الكهروكيميائية كانت (1.55(µm) و(mµ)(0.99) و(mµ)(1.21) على التوالي، بينما اظهرت النتائج ان قيم الخشونة وقطر المسام وسمك الطبقة المسامية للسطوح السليكونية المنتجة بالطريقة الفوتوكيميائية كانت nm) (0.63) و ( (nm)(84.9) و(nm)(3.94) على التوالي.وهذا يعزز من امكانية استعمال الطريقة الكهرو كيميائية الضوئية لحفر سطوح شرائح السليكون الكتلي وتحويلها الى شرائح سليكون ذات سطوح خشنة تسهم في انجاح عدة تطبيقات عملية.


Article
Clinical assessment of stainless steel brackets failure rate after reduction of phosphoric acid concentration and etching time

Author: Ali R AL-KHATIB
Journal: Al-Rafidain Dental Journal مجلة الرافدين لطب الأسنان ISSN: 18121217 Year: 2001 Volume: 1 Issue: 3 Pages: S353-S362
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

The purpose of this study was to evaluate clinically the effect of reduction of phosphoric acid concentration and etching time during bonding procedure of stainless steel brackets. As (240) metal mesh-backed brackets were bonded by using no-mix adhesive orthodontic composite, they were divided into (3) equal groups, each of (80) bracket (10 patients), the labial and buccal Surfaces of the first group was conditioned with (37%) phosphoric acid for (45) seconds, the second with (20%) for (10) seconds, and the third group was conditioned with (5%) for (15) seconds, all patients were received the orthodontic treatment by the same operator, the study period was (1) year of, the results indicate that the percentage of failure rate for the second and third groups did not significantly differ from the first group, this was calculated by using the Z-test of two proportions at (p<0.05). However, the evaluation of the adhesive remnant index (ARI) after bracket failure, revealed that the application of (37%) acid for (45) second resulted in higher amount residual adhesive left on the teeth The present study demonstrated that phosphoric acid concentration of (5%) for (15) seconds could be sufficient for bracket bonding on anterior or premolar teeth.


Article
Effect of HF Concentration on the PS Structures Prepared by Photoelectrochemical Etching
تاثير تركيز حامض الهيدروفلوريد على طبقة السليكون المسامي المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي الضوئي

Authors: Yasmeen Z. Dawood --- Bassam G. Rasheed --- Ali H. AL-Hamdani
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 11 Pages: 2143-2150
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon was fabricated at p-n junction wafer byphotoelectrochemical (PEC) etching. Silicon wafer with various electrolytecontaining different HF concentrations was used to explain PS formation by thereaction at the Si/ electrolyte interface. An investigation of the dependence on HFconcentration to formed PS layer was made. The surface morphology of PS layerwas study as a function of HF concentration. Pillar like structures are formed atlow HF concentration and pores structures are obtained a at higher HFconcentration (40%). The etching rate increases with increasing HF concentrationcausing faster silicon dissolution. Thus the total pillar volume would increase byincreasing the HF concentration.

تم انتاج طبقة من السلیكون المسامي بطریقة التنمیش الكھروكیمیائي الضوئي باستخدامقواعد سلیكونیة ثنائي الوصلة. ودراسة تاثیر تركیز حامض الھیدروفلورید على تكوین طبقةالسلیكون المسامي من خلال التفاعل الحاصل بین الحامض وسطح السلیكون. نلاحظ ان التركیب السطحي لطبقة السلیكون المساميدالة لتركیز الحامض المستخدم. طبیعة السطح ذات تركیب اشبھ بالاعمدة عند التراكیز القلیلة بینماعند استخدام تراكیز عالیة (% 40 ) یكون التركیب السطحي على شكل حفر. كما تم ملاحظة زیادةفي معدل التنمیش بزیادة تركیز الحامض نتیجة لزیادة في عملیة التفاعل والذي سیاثر على عددالاعمدة (التركیب السطحي) والذي یزداد بزیادة تركیز الحامض.


Article
Bond strength to etched and Re-etched enamel, dentin and dentino-enamel junction

Authors: Dr. Maha Adnan Habeeb. د.مها عدنان --- Dr. Angham Ghiyath Al-Hashimi B.D.S, M.Sc. د. انغام غياث
Journal: MUSTANSIRIA DENTAL JOURNAL مجلة المستنصرية لطب الاسنان ISSN: 18138500 Year: 2011 Volume: 8 Issue: 2 Pages: 100-105
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

Etching and re-etching are frequently done technique to alter the tooth surface andmakes it more receptive to adhesion. This study was done to assess the effect of reetchingtechnique on bond strength to enamel, dentin and dentino-enamel junction.60 extracted human upper premolars teeth were collected cleaned, sectioned at thelevel of cervical line, embedded in acrylic block exposing certain grounded flatsurface of the crown and divided into 2 groups:Group A (30 etched specimens) etched with total etch (37% phosphoric acid)for 15 sec.Group B (30 re-etched specimens) etched and re-etched with total etch(37% phosphoric acid).Both groups were subdivided into:Subgroup 1 10 enamel specimensSubgroup 2 10 dentin specimensSubgroup 3 10 dentino-enamel junction specimensA standardized cylinders of light cure composite resin were bonded, and thespecimens were stored in deionized distilled water for 24 h. and testing was done withzwick test machine and statistically analyzed using analysis of variance test(ANOVA) and student t-test.The results showed non significant difference between all subgroups in groupA(etching group) and between all subgroups in group A Vs. group B subgroup 2(reetchedE), and showed a significant difference between all subgroups in group A Vsgroup B subgroup 3 (re- etched EDJ) and between group B sub1&2 (re-etched E & D)Vs group B sub 3 ( re-etched DEJ) ,furthermore there were a highly significantdifferences between all subgroups in group A Vs group B sub 2(re-etched D) andbetween group B sub 2(re-etched E) Vs groupB sub 2(re-etched D).Re-etching the enamel didn’t decrease the shear bond while re-etching dentinmarkedly decreased the bond strength. Further more re-etching the dentino-enameljunction lies in between.


Article
An experimental cross-section measurement of 10B(n,α)7Li reaction on counting alpha particles track density
حساب المقطع العرضي للتفاعل النووي 10B(n,α)7Li تجريبيا من عد كثافة اثار جسيمات الفا

Authors: Jassim M. Najim جاسم محمد نجم --- Saadi M. D. Al-Nuzal سعدي محمد ظاهر --- Khalid R. Flyah خالد روكان فليح
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2018 Volume: 16 Issue: 37 Pages: 108-117
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The present work determines the particle size based only on the number of tracks detected in a cluster created by a hot particle on the CR-39 solid state nuclear track detector and depending on the exposure time. The mathematical model of the cross section developed here gives the relationship between alpha particle emitting from the (n, α) reaction and the number of tracks created and distribution of tracks created on the surface of the track detector. In an experiment performed during this work, disc of boron compound (boric acid or sodium tetraborate) of different weights were prepared and exposed to thermal neutron from the source. Chemical etching is processes of path formation in the detector, during which a suitable etching solution attacks the detector at a sufficient speed and the damaged regions along the ion trails (latent track) are preferentially dissolved, removed and get transformed into a hollow channel. The most common etching for plastics is the aqueous solutions of NaOH and temperatures in between 50˚C - 80˚C.The program (CR-39) processing counting and calculations only take place depending on the number of tracks.

يستند عمل البحث على اظهار عدد جسيمات الفا الناتجة من تفاعل (n, α)الساقطة على الكاشف الصلب CR-39 بالاعتماد على وقت التعرض. الانموذج الرياضي المستخدم لحساب المقطع العرضي يعطي العلاقة بين جسيمة الفا الناتجة من تفاعل تيترون-الفا التي تمثل عدد المسارات المتولدة على سطح الكاشف. تم تحضير قرص من مركب حامض البوريك او تترات الصوديوم باوزان مختلفة بتعريضه للنيوترون الحراري من المصدر النيوتروني. المعالجة الكيميائية المتمثلة بعمليات القشط بمحلول هيدروكسيد الصوديوم NaOH ذو العيارية N 6.25 بدرجة حرارة من˚C 50-80. يقوم البرنامج الحاسوبي بلغة الماتلاب باجراء عمليات المعالجة الصورية لاثار جسيمات الفا الساقطة على مادة الكاشف. وذلك من خلال استخدام كاميرة رقمية متصلة بمجهر. يقوم البرنامج بقياس اقطار الاثار كل على حده وتسجيل قيمة كل قطر على الصورة الرقمية وحساب معدل الاقطار و انحرافاتها المعيارية ضمن المشهد الواحد.


Article
Light-Induced Etching of Silicon
القشط المحتث بالضوء للسليكون

Authors: Alwan. M. Alwan --- A.M. Ahmed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: suppl.of No.3 Pages: 467-474
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, an ordinary light is used for photo-chemical etching of n-typesilicon wafer in HF solution. Scanning electron microscopy is used to monitorchanges in surface morphology produced during the etching process. Uniformporous layer has been observed for various irradiation time. Our techniqueoffers a great controlling parameter on the porous layer uniformity comparedwith the porous layer achieved by using a laser beam. Electrical propertiesand porous layer thickness of the photo produced layer have been studied.

في هذا العمل تم إستخدام الضوء الاعتيادي في عملية القشط الضوء -الكيمياوي للسليكون فيحامض الهيدروفلوريك . تم إستخدام المجهر الالكتروني الماسح لمراقبة التغيراتالطوبوغرافية الناتجة على سطح السليكون . تم الحصول على طبقة سليكون مسامي منتظمبإستخدام الضوء الاعتيادي بالمقارنة مع الليزر المستخدم في بحوث أخرى.


Article
Surface Area of Porous Silicon
المساحة السطحية للسيلكون المسامي

Authors: Mayasa AbdulWahid Shanon --- Mayada.H.Mouhsen --- Bassam.G.Rasheed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 9 Pages: 1728-1734
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

The surface area of porous silicon layers produced by different methods hasbeen measured in this work. It is found that the surface area of the porous siliconis optimum when high laser power density is used to etch n –type silicon wafer viathe laser induced etching process compared with that for porous silicon producedby lower laser power density or by electrochemical etching process. A scanningelectron microscope (SEM) micrographs were used to estimate the surface area.The surface area of the porous layer is strongly dependent on the porous layergeometry and its depth.

تم قياس المساحة السطحية للسيلكون المسامي المنتج بطريقتين مختلفتين, حيث وجد بأنالمساحة السطحية لطبقة السيلكون المسامي المنتج بعملية القشط المحتث بالليزر وقدرة ليزريةعالية تكون اكبر مما هي عليه من استخدام كثافة قدرة ليزرية واطئة أو عند أنتاج السيلكونلطبقة (SEM) المسامي بعملية القشط الكهروكيمياوية . تم اعتماد صور لجهاز المسح الالكترونيالسطح الطبقة المسامي وذلك لقياس المساحة السطحية . وقد وجد أن المساحة السطحية للسيلكونالمسامي تعتمد على الشكل الهندسي وسمك هذه الطبقة .


Article
The effect of the etching time on the electrical properties of nano structure silicon
تأثير زمن الحفر على الخواص الكهربائية للبناء النانوي للسيليكون

Loading...
Loading...
Abstract

This work presents the study of the dark current density and the capacitance for porous silicon prepared by photo-electrochemical etching for n-type silicon with laser power density of 10mw/cm2 and wavelength (650nm) under different anodization time (30,40,50,60) minute. The results obtained from this study shows different chara that different characteristic of porous diffecteristics for the different porous Silicon layers.

تمت دراسة كثافة التيار الكهربائي في غياب الاستضاءة والسعة الكهربائية لنماذج من السليكون المسامي المحضر بواسطة الحفر الضوئي الكهربائي الكيميائي للسليكون نوع n-type باستخدام كثافة قدرة ليزرية cm2 /mW10 وبطول موجي 650 نانوميتروبأزمان أنودة مختلفة (30,40,50,60) دقيقة والتي ستعطينا مميزات مختلفة لطبقات مسامية مختلفة.


Article
Preparation and Characterization of PSi/Si Electrochemically Formed as Photodetectors

Author: Doaa S. Jbaier
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2016 Volume: 19 Issue: 4 Pages: 103-112
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon were constructed electrochemically with various form ationtimes (5, 10, 15 and 20) min with current density 20mA/cm2 on p-type silicon. The influence of formation time on the structural and morphological properties have been presented by using SEM and optical microscopy. The SEM analysis was showed that the porous silicon layer has a uniform structure and this structure varied with increasing the etching time. The optical microscope was carried out to study the thickness, the pore diameter and etching rate of porous silicon layer, we have found the porous silicon thicknessis accretion with excess the formation time and pores diameter increased also. The etching rate was found to increase from 1.25 to 1.53 μm/min. The electrical properties of PSi samples which represented by I-V characterization under dark show that when the etching time increased the current which pass through the layer of porous silicon decreased because of increasing the resistivity of PSi surface. From I-V charecteristics PSi layer show a good rectification and high responsivity for visible and near IR region.

السيليكون المسامي تم تحضيره بالطريقة الكهروكيميائيةوبأزمان تحضير ) 5 و 01 و 05 و 01 ( دقيقة وبكثافة تيار01 ملي امبير/سم 0 على السيليكون نوع P . تأثير زمنالتشعيع على الخصائص التركبيبية والطبوغ ا رفية درستباستخدام المجهر الالكتروني الماسح والمجهر الضوئي.أظهرت نتائج المجهر الالكتروني الماسح ان السيليكونالمسامي الناتج ذو شكل منتظم وطبيعة الشكل تتغير بتغيرزمن التشعيع. المجهر الضوئي تم استخدامه لد ا رسة سمكالسطح، قطر المسام بالاضافة الى معدل التاكلفي طبقةالسيليكون وجدنا أن سمك السيليكون المسامي يزداد بزيادةزمن التشعيع بالاضافة الى قطر المسام يزداد كذلك بزيادةزمن التشعيع. معدل التاكل وجد انه يزداد من 0.05 الى0.51 مايكرون/دقيقة. الخصائص الكهربائية لعيناتالسيليكون المسامي والمتمثلة بخصائص تيار جهد تحت -الظلام بينت ان عند زيادة زمن التشعيع يقل التيار المارخلال طبقة السيليكون المسامي بسبب زيادة مقاومة سطحالسيليكون المسامي. من خصائص تيار جهد لسطح –السيليكون المسامي تبين انه يظهر تقويم جيد واستجابية عاليةعند المنطقة المرئية وتحت الحم ا رء الق ريبة .


Article
Morphology and Electrical Properties Study of Nanocrystalline Silicon Surface Prepared By Electrochemical Etching
دراسة الخصائص الطبوغرافية والكهربائية لسطح السيلكون ذو التركيب النانوي المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي

Author: Jamal Fadhil Mohammad جمال فاضل محمد
Journal: Iraqi Journal of Science المجلة العراقية للعلوم ISSN: 00672904/23121637 Year: 2016 Volume: 57 Issue: 3A Pages: 1707-1714
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, nanostructure porous silicon surface was prepared using electrochemical etching method under different current densities. I have studied the surface morphology and photoluminescence (PL) of three samples prepared at current densities 20, 30 and 40 mA/cm2 at fixed etching time 10 min. The atomic force microscopy (AFM) images of porous silicon showed that the nanocrystalline silicon pillars and voids over the entire surface has irregular and randomly distributed. Photoluminescence study showed that the emission peaks centered at approximately (600 – 612nm) corresponding energies (2.06 – 2.02eV).While current-voltage characteristics shows, as the current density increase the current flow in the forward bias is decreasing, while the rectification ratio and ideality factor varied from one sample to another. Finally, as etching current density increases the built in potential (Vbi) decreases (Vbi= 0.95, 0.75 and 0.55 volt corresponding 20, 30 and 40 mA/cm2) respectively.

تم في هذا البحث تحضير سطح السيلكون ذو التراكيب النانوية بطريقة التنميش الكهروكيميائي ولكثافة تيار مختلفة. وكذلك تم دراسة طبوغرافية سطح السيلكون والاضائية (اللمعان) للعينات المحضرة بكثافة تيار 20، 30 ، 40 ملي امبير/ سم2وعند زمن تنميش ثابت مقداره 10 ثانية.أوضحت صور مجهر القوة الذرية بان سطح السليكون ذو تراكيب نانوية بهيئة اعمدة وفجوات موزعة بصورة عشوائية غير منتظمة على سطح السيلكون. دراسة الاضائية أوضحت بان قمم الانبعاث متمركزة تقريبا بين مدى الاطوال الموجية(600-612 نانومتر) والتي تقابل الطاقات (2.02-2.06 الكترون فولط). بينما اوضحت دراسة خصائص تيار-جهد، عند زيادة كثافة التيار يتناقص التيار الامامي مع تغير لكل من نسبة التقويم و عامل المثالية من عينة الى اخرى. واخيرا، عند زيادة كثافة تيار (20، 30 ، 40 ملي امبير/ سم2 ) فان جهد البناء الداخلي يتناقص (0.55, 0.75, 0.95 فولط) على الترتيب.

Listing 1 - 10 of 68 << page
of 7
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (68)


Language

English (65)

Arabic (3)


Year
From To Submit

2019 (2)

2018 (4)

2017 (3)

2016 (6)

2015 (7)

More...