research centers


Search results: Found 40

Listing 1 - 10 of 40 << page
of 4
>>
Sort by

Article
Organic Vapors Sensor Based on Dangling Bonds of Porous Silicon
متحسس الأبخرة العضوية بالاعتماد على الأواصر المتدلية للسليكون المسامي

Author: Alwan M. Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: 8 Pages: 1023-1027
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, a porous silicon (PS) layer is investigated as a sensing materialto detect the organic vapors with low concentration. The structure of theprepared sensor consists of thin Au /PS/n-Si/Au thick where the PS is etchedphoto -chemically. The current response of the sensor is governed by thepartial depletion of silicon located between two adjacent (porousregions).This depletion is due to the charges trapped on dangling bondsassociated with the silicon – porous silicon interface .

في هذا البحث أجريت دراسة على خصائص طبقة السيليكون المسامي التي تعملthin Au /PS/n-Si/Au كمتحسس للأبخرة العضوية. تم تحضير تركيب شرائحي يتكون منوتم تحضير طبقة السيليكون المسامي بطريقة التنميش الضوء كيمياوي. إن أستجابة .thickالمتحسس للتيار الكهربائي يتم السيطرة عليها بواسطة منطقة السيليكون البلوري المستنفذةجزئياً والواقعة بين مناطق السيليكون المسامي المتجاورة، هذا الاستنزاف سببه عملياتإقتناص حاملات الشحن بواسطة الأواصر المتدلية المرافقة للحد الفاصل بين السيليكونوالسيليكون المسامي.

Keywords

gas sensor --- porous silicon


Article
Bulk heterojunction blend (NiPcTs:PEDOT:PSS)in gas sensing
المزيج الهجين من نيكل فثالوسايلين تتراسولفنك و بوليمر PEDOT:PSS كمتحسس غازي

Authors: Morooj A. Abood مروج علي عبود --- Izzat M. AI-Essa عزت محمود العيسى
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2017 Volume: 15 Issue: 32 Pages: 31-42
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of bulk heterojunction blend Ni-PhthalocyanineTetrasulfonic acid tetrasodium salt and dpoly(3,4-ethylenedioxythiophene) poly(styrenesulfonate) (NiPcTs:PEDOT:PSS) with different (PEDOT:PSS) concentrations(0.5,1, 2)are prepared using spin coating technique with thickness 100 nm on glass and Si substrate. The X-Ray diffraction pattern of NiPcTs powder was studied and compared with NiPc powder, the pattern showed that the structure is a polycrystalline with monoclinic phase.XRD analysis of as-deposited (NiPcTs/PEDOT:PSS) thin films blends in dicated that the film appeared at(100),(102) in concentrations (0.5,1) and (100) in concentration (2).The grain size is increased with increasing (PEDOT:PSS) concentrations. FTIR measurements for these bulk heterojunction blend thin films also carried out in this work and gave good information about the bonds and their locations. Sensor measurements of Si/NiPcTS:PEDOT:PSS bulk heterojunctions blend thin films show a good sensitivity for NO2 gas Compared to NH3gas. The NiPcTS/PEDOT:PSS gas sensor device work at room temperature than high temperature for NO2 gas but good sensitivity at100ºC for NH3 gas and sensor work more effectively in 0.5 concentration for both gases.

حضرت أغشيه رقيقه من المزيج المتغاير نيكل فثايوسايلين تترا سولفينك والبوليمر الموصلPEDOT:PSS بتركيز (0.5,1,2) بطريقة الطلاء ألبرمي بسمك 100نانومتر على الزجاج وشرائح السليكون. تم دراسة نمط حيود الأشعة السينية لمسحوق NiPcTs ومقارنتها مع مسحوق NiPc وقد تبين ان التركيب متعدد التبلور احادي الوجة. تحليل حيود الأشعة السينية للمزيج (NiPcTs:PEDOT:PSS) يبين أن الاغشيه المحضرة عند التركيز (0.5 ,1) تظهر قمم عند (100),(102) و(100) عند التركيز 2. الحجم الحبيبي يزداد مع زيادة تركيز(PEDOT:PSS). فحوصات FTIR أعطتنا معلومات جيده عن الأواصر ومواقعها.فحوصات التحسس الغازي للمزيج المتغاير المرسب على السيلكون Si/NiPcTs:PEDOT:PSS)) أظهرت تحسسية عالية لغاز اوكسيد النيتروجين مقارنة بغاز الامونيا. المتحسس الغازي لغاز اوكسيد النيتروجين يعمل بصوره افصل في درجة حرارة الغرفة مقارنة بالدرجات الحرارية الأعلى ولكن برجة 100ºC بالنسبة لغاز الامونيا ويعمل بصورة أكفأ عند التركيز 0.5 لكلا الغازين.


Article
Enhancement of vanadium oxide doped Eu+3 for gas sensorapplication
تحسين اوكسيد الفناديوم المشوب بمادة Eu+3 كمتحسس غاز

Authors: Issam M.Ibrahim عصام محمد ابراهيم --- Hassan M. Odhaib حسن مطشر عذيب
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2017 Volume: 15 Issue: 33 Pages: 17-27
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Thin films of vanadium oxide nanoparticles doped with different concentrations of europium oxide (2, 4, 6, and 8) wt % are deposited on glass and Si substrates with orientation (111) utilizing by pulsed laser deposition technique using Nd:YAG laser that has a wavelength of 1064 nm, average frequency of 6 Hz and pulse duration of 10 ns. The films were annealed in air at 300 °C for two hours, then the structural, morphological and optical properties are characterized using x-ray diffraction (XRD),Field emission scanning electron microscopy (FESEM) and UV-Vis spectroscopy respectively. The X-ray diffraction results of V2O5:Eu2O3 exhibit that the film has apolycrystalline monoclinic V2O5 and triclinic V4O7 phases. The FESEM image shows a homogeneous pattern and confirms the formation of uniform nanostructures on the glasssubstrate. The type of the particle foundnanoparticles with different doping concentrations of Eu2O3. The optical energy gap increases with the increase of doping concentration and it varies from 2.67 eV to 2.71 eV. The prepared thin films are used to fabricate sensor against nitrogen dioxide gas. The dependence of sensitivity and response time on doping ratio and operation temperature of gas sensors has been studied, the maximum sensitivity was about 100%, the response time is equal to 24s and recovery time 16s for V2O5 doped 2% Eu2O3 at 50 °C.

تم في هذا البحث استخدام طريقة الترسيب بالليزر النبضي بواسطة ليزر Nd:YAG ذي الطول الموجي nm1064λ= وبمعدل تكرار Hz6 وفترة نبضة ns10 لترسيب أغشية رقيقة بنوعية عالية لاوكسيد الفناديوم النقية و المشوبه بأوكسيد اليوربيوم وبنسب مختلفة (0, 2, 4, 6, 8) wt. % على قواعد زجاجية ورقائق السليكون من النوع (111) وتم تلدين الغشاء بدرجة حرارة 300 درجة مئوية لمدة ساعتين. تم دراسة الخصائص التركيبية باستخدام حيود الاشعة السينية والمجهر الالكتروني والطوبوغرافية للسطح والخصائص البصرية باستخدام طيف الامتصاص للكيف المرئي والفق البنفسجية. بينت دراسة طيف حيود الاشعة السينية لأغشية V2O5 ذات التركيب النانوي وبتراكيزEu2O3مختلفة (0% -8 %) والتي تم تحضيرها باستخدام الترسيب بالليزر النبضي ان جميع الاغشيه المحضره كانت ذات تركيب متعدد التبلور وتبين أيضا ان الطور الذي ظهر في غشاءEu2O3كان أحادي الميل مع ظهور طور ثانوي و انقلاب في الطور الى V4O7. بينت صور المجهر الالكتروني ا شكال نانوية منتظمة الترسيب مع تغير النوع مع تغير نسبة التشويب. فجوة الطاقة البصريةتزداد بزيادة نسبة التشويب من 2.67 الى 2.71 الكترون فولت. تم استخدام الاغشية المحضرة لتصنيع متحسس لغاز اوكسيد النتروجين. تم دراسة تاثير تغيير النسبة ودرجة الحرارة على كل من التحسسية وزمن التحسس و زمن الرجوع. وجد ان اعظم تحسسية 100% وزمن تحسس 24 ثانية وزمن الرجوع 16 ثانية للعينة بنسبة 2% Eu2O3 وبدرجة حرارة 50 درجة مئوية.


Article
Study the effective of annealing on the structural and sensitivity properties for SnO2 thin films to CO2 Gas
دراسة تأثير التلدين على الخواص التركيبية والتحسسية لأغشيةSnO2 لغازCO2

Loading...
Loading...
Abstract

تم في هذا البحث تحضير أغشية رقيقة لشبه الموصل SnO2 بطريقة الرش الكيمياوي على قواعد زجاجية الحراري ذات درجة حرارة(723K) باستخدام محلول مائي لكلوريدات القصدير المائية وبتركيز(0.125M) بسمك (300nm) .أجريت عملية التلدين للأغشية المحضرة عند درجة حرارة(823K). تم دراسة الخواص التركيبية والتحسسية للأغشية المحضرة لغاز CO2 قبل و بعد التلدين بالاضافة الى ذلك درس تأثير التلدين على الحجم الحبيبي لتلك الأغشية.

In this research thin films from SnO2 semiconductor have been prepared by using chemical pyrolysis spray method from solution SnCl2.2H2O at 0.125M concentration on glass at substrate temperature (723K ).Annealing was preformed for prepared thin film at (823K) temperature. The structural and sensing properties of SnO2 thin films for CO2 gas was studied before and after annealing ,as well as we studied the effect temperature annealing on grain size for prepared thin films .

Keywords

thin film --- SnO2 --- CO2 gas sensor


Article
Physical Properties of Indium Tin Oxide (ITO) Nanopartical Thin Films Used as Gas Sensor
الخصائص الفيزياوية لاوكسيد الانديوم المشوب ذات الجسيمات النانوية واستخدامه كمتحسس غازي

Authors: Saryia D.M AL-Algawi --- Selma M.H Al-Jawad --- Noor M. Saadoon
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 1 Part (B) Scientific Pages: 141-151
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

ITO/ Si gas sensor was fabricated by an efficient and size – controlled by using DC-Sputtering technique suitable for large deposition area and high quality thin films. Structural, optical and electrical properties of ITO thin films were investigated and analyzed extensively under different doping concentration. Structure and surface morphology of ITO thin films were characterized by X-ray diffraction, Atomic Force Microscope. XRD technique that showed these films is polycrystalline structure with a preferred orientation of (222),( 440),(400) the best orientation plain is (222) It was found that crystalline size decreases with increasing doping concentration. The optical properties of ITO thin films were studied such as transmissions, energy gap The transmittance was measured in the wavelength range from(300nm to 900 nm) for all the films it was highly transparent (greater than 85%). The optical energy band gap was increased with doping concentration in range from (3.9 to 4.15) eV. The electrical properties for ITO thin films include D.C electrical conductivity and Hall effect which shows that the type of films is (n- type), and the film has two activation energies in the rang (305-355)K, and the resistivity increases with doping concentration at 8wt%. The sensitivity toward NH3, NO2 gas has been measured.In2O3 doped with (Sn) has higher sensitivity to NH3, The sensitivity toward, NO2 gas has been measured, where In2O3 doped with (Sn) has higher sensitivity to NO2than to NH3.

في هذا المشروع تم تصنيع متحسس غازي بطريقة تمتاز بكفاءتها وإمكانية السيطرة على الحجم الحبيبي للغشاء المحضر بطريقة الترذيذ بالتيار المستمر والتي تعتبر طريقة غير مكلفة ومناسبة لترسيب اغشية ذات كفاءة ونقاوة عاليـة وتجانس تام للغشاء المرسب. , تبين من خلال دراسة حيود الاشعة السينية بان الاغشية ذات طبيعة متعددة التبلور وباتجاهية سائده (222,440,400) واتجاهية مفضلة (222), لوحظ تناقص بالحجم الحبيبي بازدياد نسبة التشويب.اظهرت دراسة الخصائص البصرية للأغشية بوساطة قياس طيف النفاذية وفجوة الطاقة ان النفاذية قيست عند طول موجي يتراوح من ( 300 nmالى 900 nm) لجميع الاغشية وان جميع الاغشية الرقيقة هي شفافة للغاية بنسبة اكثر من (85%) . بينما تدرجت فجوة الطاقة بزيادة تركيز الاشابة في مدى منeV ( 3.9 الى (4.15. الخصائص الكهربائية لأغشية اوكسيد الانديوم المشوب تضمنت التوصيلية المستمرة وتأثير هول حيث ان النتائج بينت ان الغشاء من نوع,(n-type) يمتلك طاقتي تنشيط ضمن المدى الحراري(305-335)K , زيادة في المقاومية عند نسبة تشويب 8wt% تم حساب تحسسيه الاغشية المشوبة لغاز NH3وغاز NO2 , امتلكت الاغشية تحسسيه عالية لغاز NO2 من تلك التي تحسست غاز الامونيا.

Keywords

D.C Sputtering --- ITO --- Gas sensor


Article
Study on the Effect of Annealing on Structural and SensingProperties of CdO Thin Films for (CO2 ,H2S) Gases
دراسة تأثیر التلدین على الخصائص التركیبیة والتحسسیة لأغشیة CdO للغازات (CO2 ,H2S )

Authors: Hayder Mohammed Ajeel --- Shatha Shammon Batros --- Ashwaq Abdul Hussin Jabor --- Karamh Abd Ali
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 19 Pages: 3410-3420
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Cadmium oxide (CdO) thin films have been deposited by Successive IonicLayer Adsorption and Reaction (SILAR) method by using cadmium acetate atconcentration 0.03 M and based solution from ammonium hydroxide on glasssubstrate. The structural and sensing properties of the as -deposited and annealedfilms are studied in details. The XRD and AFM analysis for its structuralcharacteristic has been preformed .The average grain size of deposited film areincreased after annealing . The sensing properties also are calculated and it isfound that the sensitivity are increasing after annealing, and for CO2 gas arebetter than the sensitivity for H2S gas . The I-V properties are calculated for thefilms before and after annealing for the two gases.

باس تخدام طریق ة الطبق ة CdO تم في ھذا البحث ترسیب أغشیة رقیق ة م ن اوكس ید الك ادمیومعلى قواعد زجاجیة باس تخدام خ لات الك ادمیوم وبمولاری ة (SILAR) الأیونیة المتعاقبة التكتفیة0.03 م ولاري م ع محل ول م ن ھیدروكس ید الامونی وم .الخص ائص التركیبی ة والتحسس یة للاغش یةAFM وفحص مجھر القوى الذریة XRD المرسبھ والملدنة تم دراستھا . حیود الاشعة السینیةت م تشخیص ھا ، مع دل الحج م الحبیب ي للاغش یة ازداد بع د التل دین . الخص ائص التحسس یة ایض احسبت وقد وجد ان التحسسیة تزداد بعد التلدین لغاز ثاني اوكسید الكاربون اكثر من تحسسیة غ ازكبریتید الھیدروجین . خصائص الفولتیة –تیار حسبت للاغشیة قبل وبعد التلدین للغازین.


Article
Study of Some Properties of SnO2 Thin Film
دراسة بعض الخواص لغشاء Sno2 الرقيق

Author: Alaa A. Abdul-Hamead
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 12 Part (A) Engineering Pages: 2292-2298
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper thin films of Tin oxide SnO2 was prepared by spray pyrolyess methodon glass and pure silicon substrates at deposition temperature(300,400,500) Cᵒ, from Tinchloride at concentration(0.1 M) .The films thickness were about 0.1 ±0.02 μm and Atomization rate was about(1 nm/s).The test was done on prepared film by XRD and optical microscopy addition tosensitivity to nitrous oxide gas at different test temperature (25, 50, 75,100) Cᵒ.Result shows that the crystallization increased by increasing deposing temperatureand the sensitivity increased by rising the gas concentration or temperature.

Keywords

SnO2 --- thin film --- gas sensor --- spray pyrolyess --- NO2 gas --- XRD


Article
Enhancement of gas response of annealed ZnO film for hydrogen gas detection
تعزيز استجابة غشاء اوكسيد الخارصين الملدن للكشف عن غاز الهيدروجين

Author: Thamir A.A. Hassan ثامر عبد الامير حسن
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2014 Volume: 12 Issue: 23 Pages: 73-79
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The mechanism of hydrogen (H2) gas sensor in the range of 50-200 ppm of RF-sputtered annealed zinc oxide (ZnO) and without annealing was studied. The X-ray Diffraction( XRD) results showed that the Zn metal was completely converted to ZnO with a polycrystalline structure. The I–V characteristics of the device (PT/ZnO/Pt) measured at room temperature before and after annealing at 450 oC for4h, from which a linear relationship has been observed. The sensors had a maximum response to H2 at 350 oC for annealing ZnO and showed stable behavior for detecting H2 gases in the range of 50 to 200 ppm. The annealed film exhibited higher response than the film without annealing.. The sensing mechanism was modeled according to the oxygen–vacancy model.

درست في هذا البحث ميكانيكية تحسس متحسسات الهيدرجين من تركيز 50 الى 200 جزء بالمليون لاغشية ZnO الملدنة بدرجة 450 درجة مئوية لمدة اربعة ساعات وللاغشية غير الملدنة والمحضرات بطريقة RF-sputtering. واظهرت نتائج فحوصات الاشعة السينية تكون غشاء اوكسيد الخارصين متعدد التبلور, وكما اظهرت قياسات تيار – فولتية للمتحسس بلاتين/اوكسيد الخارصين/بلاتين قبل التلدين وبعده وجود علاقة خطية للغشاء الملدن. واظهرت نتائج استجابة الغشاء الملدن كانت اقصاها في درجة حرارة 350 درجة مئوية. كما واظهرت النتائج ان سلوك مستقر في استجابة المتحسسات لتراكيز الهيدروجين من50-200 جزء بالمليون واستجابة اعلى للاغشية الملدنة. واعتمد على نموذج اوكسجين- فراغ في تفسير ميكانيكية التحسس.


Article
Fabrication and Characterization of ZnO Gas Sensor
تصنيع و توصيف كاشف غازي ZnO

Authors: Alaa A. Abdul-Hamead --- Farhad M. Osman --- Alaa S. Taeeh
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 9 Part (A) Engineering Pages: 2303-2312
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper thin films of zinc oxide ZnO was prepared by spray pyrolyess method with thickness were about ( 0.1 ±0.05 µm) on n-type silicon substrates at different deposition temperature (300,400,500) C°, from zinc chloride at concentrations (0.05,0.1) M as a sensor for pollutant gases like CO2 , NO2, and H2S related with oil manufacture .The crystallinity and morphology of the films were characterized by XRD, and optical microscopy was done on prepared films , addition to sensitivity to polluting gases previously mentioned at different test temperature (10-50) C°. Result shows that the crystallization increased by increasing deposition temperature(substrate temperature), and the sensitivity increased by rising both of the gas concentration or temperature.

تم في هذا البحث تحضير أغشية من اوكسيد الزنك ZnO بطريقة الرش الكيميائي الحراري و بسمك حوالي (0.1 ± 0.05 µm) على قواعد من السليكون نوع السالب , و بدرجات حرارة ترسيب مختلفة بلغت(300,400,500) C° لمادة كلوريد الزنك و بتراكيز (0.05,0.1) M ككاشف للغازات الملوثة مثل(CO2 ,NO2 و H2S ) المرتبطة مع الصناعة النفطية. تم تشخيص التبلور و تشكل سطح الأغشية المحضرة (مورفولوجية ) بواسطة حيود الأشعة السينية XRD و المجهر الضوئي لها ,بالإضافة إلى الحساسية لغازات الملوثة المذكورة عند درجات حرارية اختباريه مختلفة .(10-50 Cᵒ) أظهرت النتائج زيادة في التبلور مع زيادة درجة حرارة الترسيب (درجة حرارة القواعد )علاوة على زيادة الحساسية مع زيادة كل من تركيز الغاز و درجة الحرارة.


Article
Effect of Substrate Temperature on Nanostructure Titanium Dioxide Thin Films Prepared By PLD
دراسة تاثير درجة حرارة القاعدة على اغشية اوكسيد التيتانيوم ذات التركيب النانوي المحضرة بطريقة الترسيب بالليزر النبضي

Authors: Khaled Z.Yahya --- Adawiya J. Haider --- Heba Salam Tarek --- Raad M. S. Al-Haddad
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 3 Part (B) Scientific Pages: 434-443
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, a double frequency Q-switching Nd:YAG laser beam (λ=532nm, laser fluence 1.2 J/cm2 ,repetition rate 10 Hz and the pulse duration 7ns) has been used, to deposit TiO2 thin films pure on glass and Si (111) substrates .The structure properties of pure TiO2 were investigated by means of x-ray diffraction. As a result, it has been found that film structure and properties strongly depended on substrate temperature. X-ray diffraction (XRD) showed that at substrate temperatures higher than 300 °C the structure of the deposited thin films changed from amorphous to crystalline corresponding to the tetragonal TiO2 anatase phase.The surface morphology of the deposits materials have been studied using scanning electron (SEM) and atomic force microscopes (AFM). The grain size of the nanoparticles observed at the surface depended on the substrate temperature, where 500°C was the best temperature and partial pressure of oxygen 5×10-1 mbar was the best pressure during the growth process. RMS roughness increased with increasing substrate temperature (Ts) which are (11.2nm) for thin films deposited at (500)ºC.UV-VIS transmittance measurements have shown that our films are highly transparent in the visible wavelength region, with an average transmittance of ~90% which makes them suitable for sensor applications . The optical band gap of the films has been found to be 3.2 eV for indirect transition and 3.6 eV for direct transition at 400˚C.The sensitivity toward CO gas has been measured under 50 ppm.

في بحثنا هذا تم استعمال ليزر نيدميوم ياك النبضي ذو الطول الموجي( nm 532) ويعمل بتقنية عامل النوعية ذو معدل تكرارية (10 هرتز ) وامد نبضة 7 نانو ثانية لترسيب اغشية اوكسيد التيتانيوم النقية على قواعد من الزجاج والسليكون (111).وتم دراسة الخصائص التركيبية لاغشية اوكسيد التيتانيوم باستخدام حيود الاشعة السينية . وأثبتت نتائج الاشعة السينية الخصائص التركيبية لاوكسيد التيتانيوم النقي حيث اظهرت النتائج ان تراكيب الاغشية وخصائصها تعتمد بشدة على درجة حرارة القاعدة حيث أظهرت نتائج حيود الأشعة السينية انه عند درجة حرارة قاعدة أكثر من 300 °C يتحول تركيب الأغشية من عشوائي إلى بلوري مساوي إلى طور الأناتاس الرباعي لاوكسيد التيتانيوم. تم دراسة طبوغرافية السطح باستخدام المجهر الالكتروني الماسح) SEM) ومجهر القوى الذرية (AFM) .والحجم الحبيبي للجسيمات النانوية التي ظهرت عند السطح اعتمد على درجة حرارة القاعدة ,وكانت افضل درجة حرارة قاعدة هي 500 °Cوافضل ضغط اوكسجين عند انماء الغشاء كان 10-1) ملي بار) . كما ادت زيادة درجة حرارة القاعدة الى زيادة خشونة السطح فبلغت قيمتها (11.2 نانومتر) عند درجة حرارة قاعدة 500 °C. كذلك تم دراسة الخصائص البصرية بواسطة قياسات مطياف النفاذية للأشعة المرئية وفوق البنفسجية . كانت نتائج النفاذية البصرية أعلى من 90 % مما يجعلها ملائمة لتطبيقات التحسسية . وعند اشابة اوكسيد التيتانيوم بمعدني الفضة والبلاتين نلاحظ حدوث ازاحة بحافة الامتصاص نحو المنطقة المرئية . بلغت قيمة فجوة الطاقة البصرية الغير مباشرة(3.2 eV) و فجوة الطاقة البصرية المباشرة 3.6 eV)) عند درجة حرارة قاعدة 400 °C . تم حساب التحسسية لغاز CO تحت تركيز 50 جزء لكل مليون .

Listing 1 - 10 of 40 << page
of 4
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (40)


Language

English (29)

Arabic (6)

Arabic and English (2)


Year
From To Submit

2019 (4)

2018 (9)

2017 (6)

2016 (5)

2015 (5)

More...