research centers


Search results: Found 41

Listing 1 - 10 of 41 << page
of 5
>>
Sort by

Article
Junction Characteristics of Wide-Emitter (p)CdS-(n)Si-(p)Si Heterojunction Transistor

Authors: R.A. Ismail --- J.T. Jabbar --- O.A.S. Abdulrazaq
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2006 Volume: 2 Issue: 1-2 Pages: 3-5
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

Fabrication and characterization of feasible heterojunction bipolartransistor (HBT) made by depositing of p-type CdS film on monocrystallinesilicon homojunction were demonstrated. The ideality factors (n) of emitterbaseand base-collector abrupt junctions were 1.6 and 1.8 respectively. Thetransistor exhibited current gain dc as high as 360.


Article
Fabrication and Characterization of Cu2S /Si Heterojunction Photodetector Based on Spray Pyrolysis of Cu2S on Si
تصنيع ودراسة خصائص كاشف المفرق الهجين Cu2S/Si بطريقة الرش الكيميائي الحراري

Authors: Khaled Z. Yahiya --- Yasmeen, Z. Daood --- Saria D. Ahmed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: 2 Pages: 176-182
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work fabrication and characterization of Cu2S/Siheterojunction photodiodes made by spray pyrolysis method using aqueoussolution of CuCl2.2H2O onto n-type silicon substrates made. The externalquantum efficiency of heterojunction was ٣7% at wavelength of 850nm. Theexperimental results show peak relative responsivity around 100mA/w , andmaximum value of detectivity D* (2*1011cm.Hz1/2.w-1).

المصنع Cu2S/Si في هذا البحث جرى تصنيع ودراسة خصائص كاشف المفرق الهجينبطريقة الرش الكيميائي الحراري , وبكفاءة كمية قصوى تصل إلى ٣٧ % عند الطول الموجي850 . تم دراسة الاستجابة الطيفية كدالة للطول الموجي عند درجة حرارة الغر فة . لقد nm850 والتي تصل إلى nm أوضحت النتائج إن قمة الاستجابة الطيفية كانت عند الطول الموجي.(D*=2*1011cm.Hz1/2.w- 100 وأعلى قيمة للكشفية حوالي ( 1 mA/w


Article
Synthesis and Characterization of TiO2 Nanoparticles by Laser Ablation in Liquid
تحضير وتوصيف الجسيمات النانويه لTiO2 بطريقه الازاله الليزريه في السائل

Author: Amenah A. Salman
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2016 Volume: 34 Issue: 1 Part (B) Scientific Pages: 100-106
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

The laser ablation techniques was employed to prepare TiO2 nanoparticles by pulsed laser ablation of titanium target immersed in the double distilled deionized water using wavelength of 532nm and 1064nm of Nd:YAG laser with energy 500mJ. The as prepared products werecharacterized by X-Ray diffraction (XRD), Atomic Force Microscope (AFM) andUV-Vis spectrophotometer. The results indicate that the Tio2 nanoparticles are synthesized at room temperature and the average diameter is about (84.78, 95.96) nm to the wavelength (1064nm, 532nm) respectively. The optical study shows the nanoparticles possesses direct optical transition with band gab (3.82,3.65)to the wavelength(1064nm,532nm) respectively.Aheterojunctionphotodetectorfabricatedby drop cast film of colloidal TiO2NPs(nanoparticles) onto p-type single crystalsilicon wafer.I-V characteristics of Tio2NPs/Si heterojunction under darkand illumination conditions have been studied.

طريقه التشظيه الليزريه هي الطريقه التي استخدمت للحصول على الجسيمات النانويه لاوكسيد التيتانيوم من خلال وضع قطعه من التيتانيوم عالي النقاوة 99.9% في 2 مل من الماء الثنائي التقطير اللاايوني .اسخدم ليزر النيدميوم ياك Nd:YAG وللطولين الموجيين (1064و532 نانومتر) وبطاقه 500 ملي جول . درست خواص المحلول الناتج بواسطه جهاز حيود الاشعه السينيه XRD)) ,مجهر القوى الذريه (AFM) وجهاز مطياف الامتصاصيه (UV-Vis) .من خلال نتائج الفحوصات التي اجريت للجسيمات النانويه لاوكسيد التيتانيوم وجد ان معدل قطر الجسيمات يتراوح بين (84.78نانومتر ,95.96نانومتر) للطولين الموجيين (1064نانومتر,532نانومتر) على التوالي.الدراسه البصريه قد بينت ان قيمه فجوة الطاقه هي (3.82, 3.65)للطولين الموجيين (1064نانومتر,532نانومتر) على التوالي .للحصول على كاشف ضوئي ثنائي الوصله من المحلول المحضر تم تقطير المحلول بطريقه(drop casting) على سليكون من النوع القابل p-type وقياس التيار –فولتيه لثنائي الوصله في الظلام والاضاءة.


Article
Current–voltage and capacitance-voltage characteristics of Se/Si heterojunction prepared by DC planar magnetron sputtering technique
خصائص التيار- فولتية والفولتية – السعة للمفرق الهجيني Se/Siالمحضربتقنية الترذيذ المغناطيسي المستمر

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, the effect of annealing temperature on the electrical properties are studied of p-Se/ n-Si solar cell, which p-Se are deposit by DC planar magnetron sputtering technique on crystal silicon. The chamber was pumped down to 2×10&#8722;5 mbar before admitting the gas in. The gas was Ar. The sputtering pressure varied within the range of 4x10-1 - 8x10-2mbar by adjusting the pumping speed through the opening control of throttle valve. The electrical properties are included the C-V and I-V measurements. From C-V measurements, the Vbi are calculated while from I-V measurements, the efficiency of solar cell is calculated.

في هذا العمل تم دراسة تاثير درجة حرارة التلدين على الخصائص الكهربائية لخلية الشمسية p-Se/n-Si حيث رسب سيلينيوم بتقنية ترذيذ المغناطيسي المستمر على قواعد من السليكون حيث وصل تفريغ منظومة التفريغ الى ضغط بحدود 2x10-5mbar قبل ضخ غاز الاركون وبعد وصل الضغط الى mbar(4x10-1 – 8x10-2) من خلال صمام لتحكم بدخول غاز الاركون وبعد ذلك تتولد لدينا بلازما.الخصائص الكهربائية التي تتضمن C-V و I-V تم قياسها ومن قياسات السعةو الفولتية تم حساب Vbi وكذلك تم حساب كفاءة الخلية الشمسية.


Article
FABRICATION AND CHARACTERIZATION OF HIGH EFFICIENTCd O/SI PHOTOVOLTAIC SOLAR CELLS

Author: Khalid Z. Yahiya
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2008 Volume: 11 Issue: 1 Pages: 56-58
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, CdO/Si heterojunction solar cell has been made by vacuum evaporation of CdO thin film onto monocrystalline silicon substrate. XRD was investigated, the transmission was determined in range (400-1000)nm and the direct band gap energy is 2.5 eV, I-V characterization of the cell under illumination was investigated , the cell shows an open circuit voltage (VOC) of 0.4 V, a short circuit current density (JSC) of 40 mA/cm2, a fill factor (FF) of 0.34, and a conversion efficiency (η) of 5.5%.

في هذا البحث ، تم تصنيع خلايا شمسية هجينة نوع CdO/Si وذلك بتبخير أغشية CdO الرقيقة على قواعد سليكونية أحادية البلورة . تم دراسة البناء البلوري للغشاء بواسطة حيود الأشعة السينية وتم دراسة النفاذية للمدى (400-1000)nm تم حساب فجوة الطاقة المباشرة وتساوي (2.5)eV وتم دراسة القياسات تيار-جهد في حالة الإضاءة أبدت الخلية أداء فولطائي جيد حيث أن تيار دائرة القصر (40)mA/cm2 وان فولتية الدائرة المفتوحة (0.4)V وبكفاءة تحويل 5.5% وعامل ملئ 0.34 .


Article
FABRICATION AND STUDY OF SnO2/INP HETEROJUNCTION SOLARCELL BY SPRAY PYROLYSIS

Author: Jehan E. Simon
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2008 Volume: 11 Issue: 1 Pages: 64-67
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

SnO2/InP heterojunction solar cells have been prepared by spray pyrolysis low-cost technique with an open circuit voltage of 500 mV, a short circuit current density of 28 mA/cm2, fill factor of 0.28, and conversion efficiency of 4%. Halogen lamp was used as a simulated AM 1 condition. Electrical properties of this heterojunction have been examined.

تم تحضير الخلايا الشمسية ذات المفرق الهجين SnO2/InP بطريقة الرش الكيميائي الحراري ذات الكلفة المنخفضة من دراسة الخصائص الكهروبصرية وجد ان فولتية الدائرة المفتوحة 500 mV وكثافة تيار دائرة القصر 28mA/cm2 وبعامل ملئ 0.28 وكفاءة تحويل 4% باستخدام مصباح هالوجين عند حالة AM1 وتم دراسة الخصائص الكهربائية للمفرق.


Article
Optoelectronic properties of ZnO/PS/n-Si Heterojunctions

Author: Khawla S. Khashan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 4 Pages: 442-448
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work a colloid of nanocrystalline ZnO particles is prepared bychemical method, and then sprayed on porous silicon substrate which is preparedby electrochemical etching under a current density of 15mA/cm2 for 10 min. Theinitial radius of the ZnO particles is found to be (2.2 nm). FTIR spectra exhibit thepresence of Zn – O bond which indicates the formation of ZnO particles. Alsospectra reveals the formation of SiHx (x=1-2) and Si-O bond which indicates thepresence of porous layer. High performance rectifying was obtained, with highphotoresponsivety of 0.54 A/W at 400 nm. The corresponding quantum efficiencywas 166.7%.The results show that ZnO on porous silicon (PS) structures will act asgood candidates for making highly efficient photodiodes.

في ھذا البحث تم تحضیر عالق البلورة الدقیقھ لجزیئة اوكسید الخارصینالكیمیائیة ، وبعد ذلك تم رشھ على سیلكون مسامي محض ر بطریق ھ وج ود الاظھارالكھروكیمی ائيZnO 10 . وج د ان نص ف القط ر الاول ي لجزیئ ات min 10 ل زمن mA/cm تح ت كثاف ة تی ار 2وایضا ان . ZnO والتي تشیر لتكوین جزیئة Zn-O اصرة FTIR 2.2 . یظھر من طیف nm ھووالتي تشیر الى وجود الطبقة المسامیة Si-O واصرة SiHx(x=1- الطیف یكشف تكوین اصرة ( 20.54 ) عن د ( A/W ) .تم الحصول عل ى كف اءة تق ویم عالی ھ م ع أس تجابیھ ض وئیھ عالی ھ تص ل400 ). ھذا یقابل كفاءة كمیة (% 166.7 ) . تبین النتائج ان اوكسید الخارصین على تراكیب nmالسلیكون المسامي سیعمل كبدیل جید لصنع دایودات ضوئیة بكفاءة عالية


Article
Study Optoelectronic Properties of Ag2O Heterojunction Prepered by Thermal Oxidation Technique

Author: Khalid Z. Yahia
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 5 Pages: 570-578
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Highly (101)-oriented p-Ag2O thin film with high electrical resistivilywas grown by thermal oxidation (TO) on clean monocrystalline p-type Siwithout any post- deposition annealing. From optical transmittance andabsorptance data, the direct optical band gap was found to be 1.4eV. Theelectrical and photovoltaic properties of Ag2O/Si isotope heterojunctionwere examined in the absence of any buffer layer. Ideality factor ofheterojunction was found to be 3.9. Photoresponse result revealed that thereare two peaks located at. 750 nm and 900nm .

تم ترسيب غشاء رقيق من اوكسيد الفضة باتجاهية ( 101 ) ومقاومة كهربائية عاليةعلى طبقة من السليكون احادية البلورة من النوع مانح بطريقة التأكسد الحراري بدونأي تلدين مسبق. من النتائج النفاذية البصرية والامتصاصية وجد ان فجوة الطاقة للانتقالالهجين Ag2O/Si 1.4 اما الخواص الكهربائية والفولتائية وجد ان المفرق eV المباشر كانتله عامل المثالية 3.9 اما نتائج الاستجابية الطيفية فوجد قمتان تقع عند الطو لين900nm,750nm الموجيين


Article
Study Optoelectronic Properties of Ag2O Heterojunction Prepered by Thermal Oxidation Technique
تحضير ودراسة الخواص الكهروبصرية للمفرق الهجين أوكسيد الفضة- سيلكون

Author: Khalid Z. Yahia
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 10 Pages: 1201-1209
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Highly (101)-oriented p-Ag2O thin film with high electrical resistivily was grown bythermal oxidation (TO) on clean monocrystalline p-type Si without any post- depositionannealing. From optical transmittance and absorptance data, the direct optical band gapwas found to be 1.4eV. The electrical and photovoltaic properties of Ag2O/Si isotopeheterojunction were examined in the absence of any buffer layer. Ideality factor ofheterojunction was found to be 3.9. Photoresponse result revealed that there are two peakslocated at. 750 nm and 900nm .

تم ترسيب غشاء رقيق من اوكسيد الفضة باتجاهية ( 101 ) ومقاومة كهربائية عالية علىطبقة من السليكون احادية البلورة من النوع مانح بطريقة التأكسد الحراري بدون أي تلدينمسبق. من النتائج النفاذية البصرية والامتصاصية وجد ان فجوة الطاقة للانتقال المباشر كانتالهجين له عامل المثالية 3,9 Ag2O/Si 1.4 اما الخواص الكهربائية والفولتائية وجد ان المفرق eV.900 nm750nm, اما نتائج الاستجابية الطيفية فوجد قمتان تقع عند الطولين الموجيين


Article
A Study Of Photoelectrical Characteristics Of (CdS/CdTe) Heterojunction
دراسة الخواص الكهروضوئية للمفرق CdS/CdTe

Author: Bashar A.H. AL-abbasy بشار عبد النافع حسين العباسي
Journal: AL Rafdain Engineering Journal مجلة هندسة الرافدين ISSN: 18130526 Year: 2011 Volume: 19 Issue: 2 Pages: 68-76
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

Abstract: In this work, we report the photoelectrical properties of the (CdS/CdTe) structure as a function of the reverse bias voltage, light intensity and incident power wavelength. The investigated photodetection performance is located in the visible light spectrum situated at wavelength range (488-595 nm) and the maximum photocurrent at (505 nm).The photodetection parameters such as quantum efficiency, responsivity, and detectivity have been studied as a function of incident power wavelength at different reverse bias voltages. These studies gave somewhat low values of such parameters which describe the performance of any photodetector

ملخص في هذا البحث قيست الخواص الضوئية للتركيب((CdS/CdTe كدالة لفولتية الانحياز العكسي وشدة الإضاءة والطول ألموجي للقدرة الساقطة. يقع أداء الكشف الضوئي الذي تم التحري عنه ضمن الطيف المرئي وضمن مدى الطول الموجي(488-595nm) وأعظم تيارضوئي عند الطول الموجي(505nm).تم دراسة معالم الكشف الضوئي مثل كفاءة الكم والأستجابية والتحسسية كدالة للطول الموجي للأشعة الساقطة عند فولتيات مختلفة للأنحيازالعكسي.أعطت هذه الدراسة نوعا ما قيم قليلة للمعالم المذكورة والتي توصف أداء أي كاشف ضوئي.

Listing 1 - 10 of 41 << page
of 5
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (41)


Language

English (40)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2017 (2)

2016 (3)

2015 (3)

2014 (6)

2013 (2)

More...