research centers


Search results: Found 4

Listing 1 - 4 of 4
Sort by

Article
Surface Area of Porous Silicon
المساحة السطحية للسيلكون المسامي

Authors: Mayasa AbdulWahid Shanon --- Mayada.H.Mouhsen --- Bassam.G.Rasheed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 9 Pages: 1728-1734
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

The surface area of porous silicon layers produced by different methods hasbeen measured in this work. It is found that the surface area of the porous siliconis optimum when high laser power density is used to etch n –type silicon wafer viathe laser induced etching process compared with that for porous silicon producedby lower laser power density or by electrochemical etching process. A scanningelectron microscope (SEM) micrographs were used to estimate the surface area.The surface area of the porous layer is strongly dependent on the porous layergeometry and its depth.

تم قياس المساحة السطحية للسيلكون المسامي المنتج بطريقتين مختلفتين, حيث وجد بأنالمساحة السطحية لطبقة السيلكون المسامي المنتج بعملية القشط المحتث بالليزر وقدرة ليزريةعالية تكون اكبر مما هي عليه من استخدام كثافة قدرة ليزرية واطئة أو عند أنتاج السيلكونلطبقة (SEM) المسامي بعملية القشط الكهروكيمياوية . تم اعتماد صور لجهاز المسح الالكترونيالسطح الطبقة المسامي وذلك لقياس المساحة السطحية . وقد وجد أن المساحة السطحية للسيلكونالمسامي تعتمد على الشكل الهندسي وسمك هذه الطبقة .


Article
Etching Rate Enhancement of Porous Silicon Produced by Lasers
تحسین معدل القشط للسلیكون المسامي المنتج باللیزر

Author: Mohammed A. Ibrahem
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 4 Pages: 628-633
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Two laser systems work with different operational modes have been used toproduce silicon nanostructure surfaces. Pulsed Nd:YAG laser has been employed toproduce silicon textured surface which containing nano/microstructures. Effects oflaser energies (80 – 200) mj were examined to produce surface of different structures.While Diode laser (532 nm) of fixed power (50 mW) was used in the second stage tomodify the porous structure over the textured surface. The effect of different surfacemorphology on the laser induced etching process was studied using atomic forcemicroscope (AFM) and an image processing program to sketch the surface plot to thesamples depending on the optical microscope photos. The photoluminescence spectrahave been utilized to study the nanocrystallite size distribution in porous silicon, itshows high peak position lies in (2 - 2.1) eV.

تم في بحثنا هذا استخدام ليزرات تعمل بانماط تشغيل مختلفة في تحضير تراكيب نانويةومايكروية على سطح مادة السليكون. عملية تحضير العينات تمت بمرحلتين، الاولى باستخدام ليزرالنيديميوم-ياك النبضي لتكوين اسطح ذات تراكيب مختلفة الاحجام بالاعتماد على اختلاف طاقات200 ) ملي جول. المرحلة الثانية تم فيها استخدام ليزر الدايود بطول موجي 532 - الليزر ( 80نانومتر وقدرة ( 50 ملي واط) ذات نمط التشغيل المستمر لحث التفاعل الكيمياوي واحداث عمليةالتنميش على اسطح مادة السليكون المشععة بالمرحلة الاولى. تمت دراسة تاثير طبوغرافية السطحكذلك تمت دراسة .AFM على كفائة عملية التنميش بالاعتماد على صور المجهر الضوئي وصورخاصية الاستضائة لعينات السليكون المسامي والتي دلت على وجود علاقة لعملية التنميش بطبيعة(2.1- السطح. حيث وجد بان معدل قيمة فجوة الطاقة لتراكيب السليكون النانوية تراوحت بين ( 2الكترون-فولت.


Article
Preparation of Silicon Nano-Structure by Laser-Induced Etching Process
تحضير السيلكون النانوي التركيب باستخدام عملية القشط المحتثة بالليزر

Author: Oday A. Abbass عدي اركان عباس
Journal: Journal of Kufa - physics مجلة الكوفة للفيزياء ISSN: 20775830 Year: 2009 Volume: 1 Issue: 1 English Pages: 54-60
Publisher: University of Kufa جامعة الكوفة

Loading...
Loading...
Abstract

Silicon nano-structure has been prepared in this work via Laser-induced etching process (LIE) on n-type silicon wafer (3 Ω.cm resistivity) in hydrofluoric acid (HF) (24.5 % concentration) at different etching times (5 – 25 min.). The irradiation has been achieved using laser beam of 2W power and 810 nm wavelength. The morphological and photoluminescence characteristics of these material such as porosity, surface morphology and nanocrystallite size have been investigated using scanning electron microscope (SEM), photoluminescence (PL) measurements, and the gravimetric method.

تم في هذا البحث تحضير مادة السليكون النانوي الت ا ركيب بواسطة عملية القشط المحتث بالليزر لش ا رئح سليكون من نوعn- ذي مقاوميه كهربائية نوعية مقدارها (3 Ω.cm) باستخدام حامض الهايدروفلوريك (HF) )بتركيز 24.5 % ( عندأزمنة قشط ) 5 - 25 دقيقة( التشعيع أنجز باستخدام شعاع ليزر ذو قدرة 2 W و طول موجي .810 nm تم د ا رسةالخصائص الطوبوغ ا رفية وكذلك التلألؤية لطبقات السليكون المسامي المحضرة مثل المسامية, طوبوغ ا رفية السطح وحجمالبلو ا رت النانوية باستخدام قياسات المجهر الالكتروني الماسح والتلألؤية وكذلك الطريقة الوزنية.


Article
Laser-Controlled Photoluminescence Characteristics of Silicon Nanocrystallites Produced by Laser-Induced Etching

Author: B.G. Rasheed
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2005 Volume: 1 Issue: 1 Pages: 15-19
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

In2O3 thin films have been deposited on silicon substrate by chemical spray pyrolysis. These films show high transparency in the visible and near-IR regions. Photoresponse of In2O3/c-Si isotype heterophotodiode without post-deposition heat treatment has been investigated in the visible and infrared regions. Peak response situated at 600nm was observed. External quantum efficiency was 32% at peak response. C-V measurements revealed that the junction was abrupt type and built-in potential around 1eV has been obtained.

Listing 1 - 4 of 4
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (4)


Language

English (4)


Year
From To Submit

2012 (1)

2010 (1)

2009 (1)

2005 (1)