research centers


Search results: Found 15

Listing 1 - 10 of 15 << page
of 2
>>
Sort by

Article
I-V and C-V Characteristics of Porous Silicon Nanostructures by Electrochemical Etching
خصائص (تيار- فولتية) و (سعة - فولتية) للسليكون المسامي نانوي التركيب بالتنميش الكهروكيمياوي

Authors: Fatima I. Sultan --- Amna A. Slman --- Uday M. Nayef
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 3 Part (B) Scientific Pages: 332-338
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon (PS) layers has been prepared in this work by electrochemical etching (ECE) technique of a p-type silicon wafer with resistivity (1.5-4 Ω.cm) in hydrofluoric (HF) acid of 20% concentration. Various affecting studied etching time (10, 30, and 45 min) and current density (15 mA/cm2). We have study the morphological properties (AFM) and the electrical properties (I-V and C-V).The atomic force microscopy investigation shows the rough silicon surface, with increasing etching process (etching time) porous structure nucleates which leads to an increase in the depth and width (diameter) of surface pits. Consequently, the surface roughness also increases.The electrical properties of prepared PS; namely current density-voltage characteristics under dark, show that the pass current through the PS layer decreased by increasing the etching time, due to increase the resistivity of PS layer. The PS layer shows a rectifying behaviour with different rectification ratio. C-V measurements shows that the increase of the etching time decreases the capacitance of the PS layer. This behavior was attributed to the increasing in the depletion region width which leading to the increasing of built-in potential.

في هذا البحث، تم تحضير السليكون المسامي بتقنية التنميش الكهروكيميائي لشريحة سليكون من النوع (p) بمقاومية (1.5-4 أوم.سم)، باستخدام حامض الهيدروفلوريك بتركيز 20%. جرى دراسة تاثير ازمان تنميش مختلفة (10، 30 و 45 دقيقة) وكثافة تيار (15 ملي امبير/سم2). تم دراسة الخصائص الطبوغرافية (AFM) والكهربائية (I-V) و (C-V) لطبقة السليكون المسامي .أظهرت فحوصات مجهر القوى الذري على سطح سليكون خشن ، مع زيادة عملية التنميش (زمن التنميش) نوى البنية المسامية الذي تؤدي إلى زيادة في عمق وعرض (القطر) من حفر السطح. وبالتالي فإن الزيادة بخشونة السطح أيضا تزداد.الخصائص الكهربائية لطبقة السليكون المسامي المحضرة؛ اي خصائص تيار - جهد تحت الظلام٬ أظهرت ان التيار المار خلال طبقة السليكون المسامي يقل بزيادة زمن التنميش٬ نتيجةً لزيادة مقاومية طبقة السليكون المسامي. أوضحت طبقة السليكون المسامي سلوكاً تقويمياً مع نسب تقويم مختلفة. أظهرت قياسات سعة - جهد ان بزيادة زمن التنميش تقل سعة طبقة السليكون المسامي. هذا السلوك يعزى الى الزيادة في عرض منطقة الاستنزاف التي تؤدي الى زيادة في جهد البناء الداخلي.


Article
Studying the Effect of Annealing Temperature on some Physical Properties of In2O3 Thin Films

Authors: Duaa A. Mohammed --- Muslim F. Jawad
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2018 Volume: 36 Issue: 2 Part (B) Engineering Pages: 124-127
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this study, In2O3 thin films were deposited on quartz substrates bypulsed laser deposition technique at room temperature and followed bythermally annealing at 300℃, 400℃ and 500℃ for 1 hour. The optical bandgap was found to increase with the annealing temperature from 3.5 to 3.85 eVand the transmittance was observed above 90%. XRD results show that the filmsare polycrystalline in nature and crystallizes with preferred orientation (222).SEM images show that the films are high homogenous and they containeduniformly distributed small grains.


Article
Preparation and Characterization of Porous Silicon Prepared by Electrochemical Etching
تحضير ودراسة خصائص السليكون المسامي المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائية

Authors: Adawiya J .Haider --- Jassim M. Abass --- Omar abdulkreem
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 4 Part (B) Scientific Pages: 623-628
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon (PS) layers were formed on p-type silicon (Si) wafers by using electrochemical etching method. The influence of varying etching time in the anodizing solution ,on structural and optical properties of porous silicon has been investigated. Additionally , the thickness and porosity of the layers were measured using the gravimetric method. The surface morphology was studied by Scanning Electron Microscope (SEM). Finally, the optical properties of porous silicon on silicon substrates were investigated by employing photoluminescence (PL).

تم تشكيل طبقات السيلكون المسامي على شرائح السيلكون نوع pبأستخدام طريقة القشط الكهروكيميائيه . فحص تأثير أختلاف زمن القشط على الخصائص التركيبية والبصريه للسيلكون المسامي . بالأضافة الى ذلك فأنه تم أحتساب السمك و مسامية الطبقات بأستخدام الطريقة الوزنيه. درست طبوغرافية السطح بأستخدام المجهر الماسح الألكترونيSEM أخيراً لقد تمت دراسة الخصائص البصريه للسيلكون المسامي بأستخدام طيف اللمعان الضوئي PL .


Article
Preparation and Characterization Study of ZnS Thin Films with Different Substrate Temperatures
تحضير وتشخيص دراسة اختلاف درجات حرارة قاعدة الاساس على اغشية كبريتيد الزنك الرقيقة

Author: Kadhim Abid Hubeatir
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2016 Volume: 34 Issue: 1 Part (A) Engineering Pages: 178-185
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Zinc sulfide (ZnS) thin films were deposited on a glass and n-type Silicon wafer substrates attemperature range from 50 - 200 Co using pulsed laser deposition (PLD) technique. Thestructural, morphological, optical and electrical properties of the films have been investigated.The XRD analyses indicate that ZnS films have zinc blende structures with plane (111)preferential orientation, whereas the diffraction patterns sharpen with the increase in substratetemperatures. The Atomic Force Microscopy (AFM) Images shows the particle size and surfaceroughness of the deposited ZnS thin film at substrate temperature 50 and 150 Co were about62.90nm, 74.68nm respectively. Also we noticed that the surface roughness is increased atsubstrate temperature 150 Co compared with temperature 50 Co. At 200 Co the formed filmsexhibit a good optical property with 80% transmittance in the visible region. The electricalproperties confirmed that they depend strongly on the bias voltage and the amount of currentproduced by a photovoltaic device which is directly related to the number of photons absorbed.C-V results demonstrated that the fabricated heterojunction is of abrupt type.

الرقيقة على قواعد من الزجاج وشرائح سليكونية من نوع ZnS تم ترسيب أغشية مادة كبريتيد الخارصينالتغير في درجات الحرارة كان ضمن المدى .(PLD) بإستخدام تقنية الترسيب بالليزر النبضي n-type200- م 0) الخواص التركيبية وتركيب السطح والبصرية وكذلك الكھربائية تم دراستھا والتحقق منھا مع تغير 50)تبين ان ھذه الاغشية تمتلك تراكيب من خليط الزنك ذات توجه عالي عند (XRD) درجات الحرارة. من تحليلات(AFM)ِ المستوى ( 111 ) وذات انماط حيود حادة تزداد مع زيادة درجة الحرارة. اما صور تركيب السطحكانت o و 150 م o عند درجة حرارة 50 م (PLD) المرسبة بطريقة ZnS الموضحة فقد بينت ان حجم الجسيم لأغشيةالأغشية المرسبة عند .o 62.9 نانومترو 74.6 نانومتر على التوالي. وخشونة السطح كانت اكبر منه عند درجة 50 مكانت ذات خصائص بصرية جيدة مع نفاذية عالية نسبيا 80 % ضمن المنطقة المرئية. لوحظ ان الخواص o 200 مالكھربائية للأغشية المتكونة تعتمد بشدة على فولتية الانحياز وكمية التيار الناتج الذي يرتبط مباشرة بعدد الفوتوناتاثبتت ان الاغشية من النوع الحاد. (C-V) الممتصة. نتائج


Article
Morphology and electrical properties of Cu XZn1-XOthin films prepared by PLD technique
الخصائص التركيبية و الكهربائية للاغشية الرقيقة Cu XZn1-XO المحضرة بتقنية (PLD)

Loading...
Loading...
Abstract

Cu XZn1-XO films with different x content have been prepared by pulse laser deposition technique at room temperatures (RT) and differentannealing temperatures (373 and 473) K.The effect of x content of Cu (0,0.2,0.4, 0.6, 0.8) wt.% on morphology and electricalproperties of CuXZn1-XO thin films have been studied. AFM measurements showed that the average grain size values for CuXZn1-xO thin films at RT and different annealing temperatures (373,473)K decreases,while the average Roughness values increase with increasing x content. The D.C conductivity for all films increases as the x content increase and decreases with increasing the annealing temperatures. Hall measurements showed that there are two types of conductance (n- type and p-type charge carriers). Also the variation of drift velocity (vd), carrier life time (), and free mean path (l)with different x content and annealing temperatures were measured.

تم تحضير اغشية Cu XZn1-XO لنسب مختلفة من المحتوى x بدرجة حرارة الغرفة و بدرجات التلدين المختلفة ( 373و (473كلفن. بتقنية الترسيب بالليزر النبضي. وقد تم دراسة تأثير نسب مختلفة من المحتوى x(0,0.2,0.4, 0.6, 0.8) على الخصائص التركيبية والكهربائية للاغشية Cu XZn1-XO. قياسات AFMاظهرت ان حجم الحبيبة للاغشية CuXZn1-xO عند درجة حرارة الغرفة و درجات التلدين المختلفة(373,473) كلفن تقل بينما قيم معدل الخشونة تزداد بزيادة المحتوى x. التوصيلية الكهربائية للاغشية اظهرت ان هناك نوعين من حاملات الشحنة ((n- type و (p- type) كذلك تم حساب التركيز للحاملات و سرعة الانجراف (vd) و زمن عمر الحاملات () و معدل المسار الحر(l) لنسب المحتوى x المختلفة و درجات التلدين المختلفة.


Article
Study the effect of thermal annealing on some physical properties of thin Cu2SiO3 films prepared by pulsed laser deposition
دراسة تأثير التلدين الحراري على بعض الخصائص الفيزيائية لأغشية Cu2SiO3 الرقيقة المرسبة بالليزر النبضي

Authors: Iqbal S. Naji اقبال سهام ناجي --- Najim A. Khalifa نجم عبد الله خليفة --- Huda M. Khalaf هدى محمد خلف
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2017 Volume: 15 Issue: 35 Pages: 148-157
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The Cu2SiO3 composite has been prepared from the binary compounds (Cu2O, and SiO2) with high purity by solid state reaction. The Cu2SiO3 ¬thin films were deposited at room temperature on glass and Si substrates with thickness 400 nm by pulsed laser deposition method. X-ray analysis showed that the powder of Cu2SiO3 has a polycrystalline structure with monoclinic phase and preferred orientation along (111) direction at 2θ around 38.670o which related to CuO phase. While as deposited and annealed Cu2SiO3 films have amorphous structure. The morphological study revealed that the grains have granular and elliptical shape, with average diameter of 163.63 nm. The electrical properties which represent Hall effect were investigated. Hall coefficient is negative which means that the films are n-type, and the electrical conductivity decreases with heat treatment.The sensing properties of the Cu2SiO3 sensors for NO2 gas have been studied, and the result revealed that the Cu2SiO3 films have low sensitivity at room temperature, and it's improve with increasing the operation temperature. The response time increase while the recovery time decrease with increasing operation temperature.

تم تحضير متراكب Cu2SiO3 من المركبات الثنائية (SiO2,Cu2O) وبنقاوة عالية بطريقة تفاعل الحالة الصلبة. إن أغشية Cu2SiO3 رسبت عند درجة حرارة الغرفة على أساسات من الزجاج و Si وبسمك 400 نانومتر بطريقة الترسيب بالليزر النبضي. أوضحت تحليلات الأشعة السينية بان المسحوق يمتلك تركيب متعدد البلورات وبطور أحادي الميل وباتجاه مفضل (111) عند θ2 حوالي 38.670o والتي تعود الى طور اوكسيد النحاس. بينما الأغشية المرسب والملدنة تمتلك تركيب عشوائي. أظهرت دراسة السطح بان الحبيبات تمتلك شكل حبيبي واهليجي، مع معدل قطر 163.63 نانومتر. الخصائص الكهربائية والمتمثلة بتأثير هول تم بحثها وكانت.إشارة معامل هول سالبه وهذا يعني إن الاغشيه من النوع الواهب، وان التوصيلية الكهربائية قلت مع المعاملة الحرارية. تم دراسة الخصائص التحسسية لمتحسس لغاز ثنائي اوكسيد النتروجين وان النتائج أوضحت إن أغشية تمتلك تحسسيه منخفضة عند درجة حرارة الغرفة وتتحسن مع زيادة درجة حرارة التشغيل. زمن الاستجابة يزداد بينما زمن التغطية يقل مع زيادة درجة حرارة التشغيل.


Article
Synthesis and characterization of nanocrystalline copper sulfide powders
تحضير و خصائص مساحيق كبريتيد النحاس النانويه

Authors: Ulla M. Sleman علا مظفر سليمان --- Iqbal S. Naji إقبال سهام ناجي
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2018 Volume: 16 Issue: 38 Pages: 124-131
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Nanocrystalline copper sulphide (Cu2-xS) powders were synthesized by chemical precipitation from their aqueous solutions composed of different molar ratio of copper sulfate dehydrate (CuSO4.5H2O) and thiorea (NH2)2CS as source of Cu+2, S-2 ions respectively, and sodium ethylene diamine tetra acetic acid dehydrate (EDTA) as a complex agent. The compositions, morphological and structural properties of the nanopowders were characterized by energy dispersive spectroscopy (EDS), scanning electron microscope (SEM), and X-ray diffraction (XRD), respectively. The compositional results showed that the copper content was high and the Sulfur content was low for both CuS and Cu2S nanopowders. SEM images shows that all products consist of aggregate of fine nanospheres with uniform distribution and the size of the particles formed are in nanometer range. XRD results revealed that the obtained powders contains a mixture of copper sulfide phases specially the intermediate phases and the rough estimate of the average crystallite size using the Scherrer formula gives a range of values (4.1-36.9) nm.

تم تحضير مساحيق كبريتيد النحاس النانويه بطريقة الراسب الكيميائي من المحاليل المائية والتي تحتوي على نسب مولارية مختلفة من كبريتات النحاس والثايوريا كمصدر لايونات النحاس والكبريت على التوالي، واستخدم EDTA كعامل معقد للتفاعل. تم دراسة المكونات والخصائص السطحية والتركيبية للمساحيق النانويه باستخدام مطياف تفريق الطاقة، المجهر الالكتروني الماسح و حيود الأشعة السينية على التوالي. أظهرت نتائج المكونات بان هناك محتوى عالي من النحاس ومحتوى منخفض من الكبريت ولكلا المسحوقين CuSو Cu2S. اما صور المجهر الالكتروني الماسح فقد أظهرت بان كل المساحيق الناتجة تحتوي على تجمعات من الكرات النانويه الدقيقة مع توزيع متجانس وان حجم الجسيمات المتكونة في مدى الإبعاد النانويه. اظهرت نتائج الأشعة السينية بان المساحيق المستحصلة تتكون من خليط من أطوار كبريتيد النحاس وخاصة الاطوار الوسطية وان تقدير معدل حجم البلورات باستخدام صيغة شيرر تعطي معدل من القيم تتراوح بين 4.10 الى 036.9 نانومتر.


Article
FEEECT OF DIFFERENT IRRIGATION METHODS IN SOME MORPHOLOGICAL AND PHYSICAL PROPERTIES OF AN GYPSIFEROUS SOIL AT AL-THIRTHAR AREA
تأثير طرائق ري مختلفة في بعض الصفات المورفولوجية والخصائص الفيزيائية لتربة جبسية في منطقة الثرثار

Loading...
Loading...
Abstract

Abstract: This study was conducted at fields of Al-Majd agricultural company which located between falluga and thirthar at al saqlawia / Al-Anbar government, to study the effect of using different irrigation methods (flood - drip - sprinkler) irrigation to using its gypsiferous soils with irrigation water class C3S1, to know the effect of this irrigation methods in some soil morphological and physical properties . After semi detail survey, four positions were pointed that were different in agricultural using nature for three years as following:P1 virgin soil (B), P2 land which used for cereals with flood irrigation method (FW3), P3 land which used for cereals with sprinkler irrigation method (SW3) and P4 land which used for vegetable with drip irrigation method (DV3).These four pedons were described morphologically then soil samples were taken from each horizon to analysis some physical properties. The results showed that following:1.The thickness of surface horizons for cultivated site increased in comparison with uncultivated soil from 18cm to 25 cm.2.The soil structure grade was weak in all pedon’s , especially at soil which was under the flood irrigation3.There is no significant effect for irrigation method on particle density at all horizons, this property data was showed decreasing in its value with increasing soil content of gypsum, but the bulk density was effected by irrigation practice significantly, it was increased 5.4%, 10.0% and 13.9%as mean for treatments DV3, SW3 and FW3 respectively.4.There is significant effect for irrigation method on studied soil water properties (field capacity, wilting point and available water).Using of drip irrigation method was showed higher increasing in these properties in comparison with other irrigation methods.5.Soil penetration resistance was decreased 3.9% in farming lands without significant different in comparison with virgin land, and lower value was pointed at Ap horizon for DV3 treatment reached 2.6 kg.cm-2 while the same horizon for SW3 treatment was showed the higher value 3.1 kg.cm-2.

نفذت هذه الدراسة في حقول شركة المجد الزراعية الواقعة على طريق )فلوجة – ثرثار )/ ناحية الصقلاوية- محافظة الأنبار نظراً لاستخدام طرائق الري (السيحي و التنقيط و الرش)بمياه ذات صنف C3S1 في أستغلال تربها الجبسية، لمعرفة تأثير استخدام هذه الطرائق في بعض صفات التربة المورفولوجيةوالخصائص الفيزيائية. بعد اجراء المسح شبه المفصَل لمنطقة الدراسة، حددت أربع مواقع تختلف من حيث طبيعةالاستغلال الزراعي المستخدم لمدة ثلاث سنوات وكما يأتي: P1 أرض غير مستغلة زراعياً (B) وP2 أرض مستغلة لزراعة الحبوب بطريقة الري السيحي(FW3) وP3 أرض مستغلة لزراعة الحبوب بطريقة الري بالرش (SW3) و P4 أرض مستغلة لزراعة الخضر بطريقة الري بالتنقيط (DV3). البدونات الممثلة لهذه المواقع وصفت مورفولوجياً واستحصلت عينات ترابية وحسب الآفاق المشخصة لكل بدون وأجريت عليها بعض التحاليل المختبرية لتحديد بعض خصائصها الفيزيائية. أظهرت النتائج ما يأتي:
1.حصول زيادة في سُمك الآفاق السطحية للمواقع المستغلة زراعياً مقارنة بغير المستغلة، إذ ازدادت من 18سم الى 25 سم.
2.ضعف بناء التربة في البدونات الخاضعة للدراسة خصوصا عند أستخدام طريقة الري السيحي.
3.لم تكن لطريقة الري المستخدمه تأثيراً معنوياً في قيم الكثافة الحقيقية ولجميع آفاق بدونات الدراسة، مع أنخفاض قيمها بارتفاع محتوى التربة من الجبس . اما قيم الكثافة الظاهرية فقد أزدادت معنويا بنسبة5.4% و10.0% و13.9%كمعدل للمعاملات DV3وSW3وFW3 مقارنة بالمعاملةB .
4.لوحظ وجود تأثيرا معنويا لطريقة الري في الخصائص المائية للتربة المدروسة(المحتوى الرطوبي عند الشد 33 والشد 1500 كيلوباسكال والماء الجاهز). اذ أظهرت طريقة الري بالتنقيط أعلى زيادة في هذه المؤشرات مقارنة بطرائق الري الاخرى.
5.أنخفاض قيم مقاومة التربة للاختراق في المواقع المستغلة زراعياً بنسبة 3.9% وبفروق غير معنوية عن غيرالمستغلة زراعيا ،مع ملاحظة أدنى القيم لهذه الصفة عند الأفق Ap عند المعاملةDV3 بلغت 2.6 كغم.سم-2 في حين أظهر نفس الأفق للمعاملة SW3 أعلى قيمة بلغت 3.1 كغم.سم-2 .


Article
EFFECT OF MOISTER TENSION LEVELS, MAGNESIUM AND SOIL TEXTURE ON SOME MORPHOLOGICAL PROPERTIES OF CORN. (Zea mays L .)
تأثير مستويات من الشد الرطوبي و المغنيسيوم ونسجة التربة في بعض الصفات المورفولوجية لنبات الذرة الصفراء Zea mays L.

Author: Samir S. Kh. Al-Rawi سمير سرحان خليل الراوي
Journal: IRAQI JOURNAL OF DESERT STUDIES المجلة العراقية لدراسات الصحراء ISSN: 19947801 Year: 2012 Volume: 4 Issue: 2 Pages: 21-30
Publisher: University of Anbar جامعة الانبار

Loading...
Loading...
Abstract

Abstract:A Factorial experiment has been carried out an Random Complete Block Design (RCBD) with three replicates for each treatments. Flowerpots with a capacity of (8 kg ) of soil, Corn was grown on the 15th july 2011. Irrigation processes were done depending on weight method to maintain soil moisture with the limits of moisture tension extent that represent tension rates of water ; 25%, 50% and 75%. calculate Some morphological characteristics. Below are the most important results. Moisture tension difference has significant influential all studied morphological characteristics(plant height, leaves area, Number of leaves. per plant, dry weight of the green parts and dry weight of the roots). The moisture tension rate (%25) has got excellence over the rate %50and %75 and it resulted (74.13 cm, 599.63 cm2, 12.26 leaf.plant-1, 42.73 gm and 23.76 gm), respectively. Also the increase in the level of magnesium addition has significant effects. The addition of 150kg.h-1 of magnesium got excellence over level (0, 50, 100) kg.h-1. Which was 67.33cm, 462.cm2, 11.9 leaf.plant-1, 32.8 gm 17..5 gm), respectively. Soil texture has significant effect; blend clay soil got excellence over the blend sandy

المستخلص: نفذت تجربة أصص ذات سعة 8 كغم تربة وحسب تصميم القطاعات العشوائية الكاملة(RCBD)وبواقع ثلاثة مكررات للمعاملة الواحدة، تمت زراعة بذور الذرة الصفراء بتاريخ 15/ 7/2011. وأجريت عمليات الري باعتماد الطريقة الوزنية للمحافظة على رطوبة التربة لحدود مديات الشـدود الرطوبية التي تمثـل نسب الاستنفاد %25و50% و75% من الماء الجاهز ولغاية15/10/2011، تم قياس الصفات المورفولوجية وكانت كما يلي:أثر اختلاف نسب الاستنفاد الرطوبي معنوياً في جميع الصفات المورفولوجية المدروسة(ارتفاع النبات و المساحة الورقية و عدد الأوراق و الوزن الجاف للمجموع الخضري والوزن الجاف للمجموع الجذري), إذ تفوقت نسبة الاستنفاد 25 على نسبتي الاستنفاد 50و 75إذ بلغت74.13سم و 599.63 سم2و 12.26 ورقة . نبات-1و 42.73 غم و 23.76غم على التوالي. كذلك أثرت زيادة مستوى إضافة المغنيسيوم معنوياً إذ تفوق مستوى إضافة مغنيسيوم 150 كغم.هـ-1على المستويات 100, 50, 0 كغم.هـ-1إذ أعطى اعلى معدل للصفات بلغ 67.33 سم, 462 سم2, 11.9 ورقة.نبات-1, 32.8 غم, 17.5غم ,على التوالي. كما أثرت نسجة التربة معنوياً في جميع الصفات المورفولوجية المدروسة إذ تفوقت التربة الطينية المزيجة على التربة الرملية المزيجة إذ بلغت 62.33)سم, 404.16 سم2, 11.17 ورقة. نبات-1, 31.41 غم, 17.39غم) على التوالي.


Article
Characteristics of Nanostructure Porous Silicon Prepared by Anodization Technique
توصيف السليكون المسامي النانوي المحضر بالتقنية الانودية

Authors: Ayoub H. Jaafar --- Uday M. Nayef
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 3 Part (B) Scientific Pages: 339-347
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon (PS) layers are prepared by anodization for different current densities. The samples are then characterized the nanocrystalline porous silicon layer by X-Ray Diffraction (XRD), Atomic Force Microscopy (AFM), Fourier Transform Infrared (FTIR), Reflectivity and Raman. PS layers were formed on a p-type Si wafer. anodized electrically with a 10 and 40 mA/cm2 current density for fixed 20 min etching times.We have estimated crystallites size from X-Ray diffraction about nanoscale for porous silicon and AFM confirms the nanometric size and therefore optical properties about nanocrystalline silicon yields a Raman spectrum showing a broadened peak shifted below 520 cm-1.

حضرت طبقات السليكون المسامي بالتقنية الانودية لكثافة تيار مختلفة. درست خصائص طبقات السليكون المسامي نانوية التركيب مثل الصفات التركيبية والمورفولوجية والكيميائية و البصرية (الانعكاسية ورامان). طبقات السليكون المسامي كونت على شرائح سليكون من النوع القابل. وكانت كثافة التيار المستخدم بتقنية الانودية هو 10 و 40 ملي امبير/سم2 وزمن تنميش ثابت 20 دقيقة.وجد ان الحجم البلوري من خلال قياسات حيود الاشعة السينية هو الحجم النانوي للسليكون المسامي و فحوصات مجهر القوة الذري اثبت ذلك وكذلك من الصفات البصرية حول التركيب النانوي للسليكون هو طيف رامان اظهر توسع وازاحة القمة عند 520 سم-1.

Listing 1 - 10 of 15 << page
of 2
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (15)


Language

English (12)

Arabic (2)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2019 (1)

2018 (3)

2017 (4)

2016 (2)

2014 (1)

More...