research centers


Search results: Found 1

Listing 1 - 1 of 1
Sort by

Article
Design Band Energy diagram of SnO2/CdS-CdTe Thin Film Heterojunction Using I-V and C-V Measurements
رسم مخطط الطاقة للمفرق الهجين للغشاء SnO2/CdS-CdTe الرقيق باستخدام قياسات تيار – جهد و سعة – جهد

Authors: Rasha A. Abdullah --- Mohammed. A. Razooqi --- Nada M. Saeed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2014 Volume: 32 Issue: 3 Part (B) Scientific Pages: 607-614
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

SnO2/CdS-CdTe heterojunction has been fabricated by thermal evaporation technique, 0.05 µm thicknesses of SnO2 nanostructure was evaporated as thin layer to be used as an antireflection and as transparent conducting oxide. The prepared cell has been annealed at 573K for 180 minutes. The general morphology of SnO2 films was imaged by using Atomic Force Microscope (AFM), the image shows that the average grain size of the prepared film is constructed from nanostructure of dimensions in order of 72 nm. There are two wide peaks were presents at the x-ray pattern which were refers to SnO2 and is in agreement with the literature of American Standard of Testing Materials (ASTM).The capacitance- voltage a measurement has studied at 102 Hz frequency, the capacitance- voltage measurements indicated that these cells are abrupt. The capacitance at zero bias, built in voltage, zero bias depletion region width and the carrier concentration have been calculated. The carrier transport mechanism for SnO2/CdS-CdTe heterojunction in dark is tunneling – recombination. The value of ideality factor is 1.56 and the reverse saturation current is 9.6×10-10A. Band energy lineup for SnO2/ n-CdS-p-CdTe heterojunction has been investigated by using I-V and C-V measurements.

تم تحضير المفرق الهجيني SnO2/CdS-CdTe بتقنية التبخير الفراغي الحراري,واستعمل غشاء من SnO2 ذو التركيب الناوي المحضر بسمك0.05 µm كطبقة شفافة ضد الانعكاسية , ثم تم تلدين المفرق المحضر بدرجة 573 مئوية ولمدة 180 دقيقة. تم فحص تركيب غشاء SnO2 باستخدام المجهر الالكتروني (AFM), وقد تبين بان الغشاء ذو تركيب نانوي بمعدل للحجم البلوري 72 نانومتر, ومن تحليل لنتائج فحوصات حيود الاشعة السينية تبين بالشكل عن وجود قمتين واسعة تشير للمادة المحضرة طبقا للمقاييس الامريكية لفحوصات المواد (ASTM) .تم دراسة قياسات سعة – جهد عند تردد 100 هرتز, و قد اشارت هذه القياسات الى ان تلك المفارق هي من النوع الحاد. و قد وجد ان قيمة السعة عند الانحياز الصفري و جهد البناء الداخلي قد تناقصا بعد عملية التلدين. بينما يزداد عرض منطقة النظوب للانحياز الصفري و تركيز الحاملات مع عملية التلدين. و كانت ميكانيكية انتقال الحاملات للمفرق الهجيني عند الظلام هي أنتفاق-اعادة اتحاد. و كانت قيمة عامل المثالية 1.56 و تيار الاشباع هي 9.6×10-10أمبير. و تم ايضا دراسة مخطط حزمة الطاقة عن طريق قياسات تيار – جهد و سعة – جهد.

Listing 1 - 1 of 1
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (1)


Language

English (1)


Year
From To Submit

2014 (1)