research centers


Search results: Found 5

Listing 1 - 5 of 5
Sort by

Article
The effect of the etching time on the electrical properties of nano structure silicon
تأثير زمن الحفر على الخواص الكهربائية للبناء النانوي للسيليكون

Loading...
Loading...
Abstract

This work presents the study of the dark current density and the capacitance for porous silicon prepared by photo-electrochemical etching for n-type silicon with laser power density of 10mw/cm2 and wavelength (650nm) under different anodization time (30,40,50,60) minute. The results obtained from this study shows different chara that different characteristic of porous diffecteristics for the different porous Silicon layers.

تمت دراسة كثافة التيار الكهربائي في غياب الاستضاءة والسعة الكهربائية لنماذج من السليكون المسامي المحضر بواسطة الحفر الضوئي الكهربائي الكيميائي للسليكون نوع n-type باستخدام كثافة قدرة ليزرية cm2 /mW10 وبطول موجي 650 نانوميتروبأزمان أنودة مختلفة (30,40,50,60) دقيقة والتي ستعطينا مميزات مختلفة لطبقات مسامية مختلفة.


Article
Preparation of Silicon Nano-Structure by Laser-Induced Etching Process
تحضير السيلكون النانوي التركيب باستخدام عملية القشط المحتثة بالليزر

Author: Oday A. Abbass عدي اركان عباس
Journal: Journal of Kufa - physics مجلة الكوفة للفيزياء ISSN: 20775830 Year: 2009 Volume: 1 Issue: 1 English Pages: 54-60
Publisher: University of Kufa جامعة الكوفة

Loading...
Loading...
Abstract

Silicon nano-structure has been prepared in this work via Laser-induced etching process (LIE) on n-type silicon wafer (3 Ω.cm resistivity) in hydrofluoric acid (HF) (24.5 % concentration) at different etching times (5 – 25 min.). The irradiation has been achieved using laser beam of 2W power and 810 nm wavelength. The morphological and photoluminescence characteristics of these material such as porosity, surface morphology and nanocrystallite size have been investigated using scanning electron microscope (SEM), photoluminescence (PL) measurements, and the gravimetric method.

تم في هذا البحث تحضير مادة السليكون النانوي الت ا ركيب بواسطة عملية القشط المحتث بالليزر لش ا رئح سليكون من نوعn- ذي مقاوميه كهربائية نوعية مقدارها (3 Ω.cm) باستخدام حامض الهايدروفلوريك (HF) )بتركيز 24.5 % ( عندأزمنة قشط ) 5 - 25 دقيقة( التشعيع أنجز باستخدام شعاع ليزر ذو قدرة 2 W و طول موجي .810 nm تم د ا رسةالخصائص الطوبوغ ا رفية وكذلك التلألؤية لطبقات السليكون المسامي المحضرة مثل المسامية, طوبوغ ا رفية السطح وحجمالبلو ا رت النانوية باستخدام قياسات المجهر الالكتروني الماسح والتلألؤية وكذلك الطريقة الوزنية.


Article
Preparation of NanostructureTiO2 at Different Temperatures by Pulsed Laser Deposition as Solar Cell
تحضير تراكيب نانوية لثنائي اوكسيد التيتانيوم عند درجات حرارة مختلفة بطريقة الترسيب بالليزر النبضي كخلية شمسية

Authors: Amin Daway Thamir --- Adawiya J. Haider --- Ghalib A.Ali
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2016 Volume: 34 Issue: 2 Part (A) Engineering Pages: 193-204
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Deposition of the Titanium oxide (TiO2) particles on glass and the Si substrates was materialized for a wide range of temperatures (100-400)°C; using PLD technique at constant laser energy 800 mJ of frequency doubled Nd: YAG laser wavelength of 532nm running at 10 Hz rate and 10ns duration pulses. UV-Vis spectroscopy, Fourier Transform Infrared Spectroscopy (FTIR), X-ray diffraction (XRD), X-ray fluorescence (XRF), Scanning Electron Microscopy (SEM), Atomic Force Microscope(AFM), electrical conductivity (σdc), Hall coefficient (RH) and (I-V) and (C-V) measurements were employed to examine optical, morphological and electrical properties of the deposited films. 85% film transparency was accomplished with optical band gap of (3.25 – 3.64) eV.(I-V) characteristics showedan enhanced TiO2 p-n junction thin film solar cell efficiency by 1.6% at 400°C.

تم ترسيب اغشية ثاني اوكسيد التيتانيوم النقية على قواعد من الزجاج والسليكون عند مدى من درجاتالحرارة(100-400) ◦ C وعند طاقة ليزر (800) m Jوبأستخدام تقنيةالترسيب بالليزر النبضي ذو الطول الموجيnm (532) ويعمل بتقنية عامل النوعية بمعدل تكرارية (6Hz) وامد نبضة (10ns) وتم دراسة الخصائص البصرية بواسطة مطيافيةالاشعة الفوق البنفسجية - المرئية وتحويلات فورير لمطيافية المنطقة تحت الحمراء (FTIR). كذلك تم دراسة الخواص التركيبية لثناني اوكسيد التيتانيوم النقي من خلال استخدام حيود الاشعة السينية (XRD) ومجهر القوى الذرية (AFM) لدراسة الاطوار والحجم الحبيبي للجسيمات النانوية وتم دراسة طبوغرافية السطح بأستخدام المجهر الالكتروني الماسح (SEM) وايضاً تم دراسة الخصائص الكهربائية ومنها التوصيلية الكهربائية (σdc) ومعامل هول (RH) وسعة –جهد (I-V) وقياس سعة - جهد (C-V).اذ اظهرت النتائج وصول النفاذية البصرية الى حوالي(85%) وبلغت فجوة الطاقة البصرية eV (3.25 - 3.64). وأظهرت نتائج الخصائص الكهربائية للاغشية المحضرة عند درجة حرارة (400◦C) زيادة في كفاءة الخلية الشمسية بمقدار (1.62 %) .


Article
Structural and optical properties of different thicknesses nano-crystalline Pb0.2Cd0.8S prepared by chemical bath deposition

Authors: Raad S. Sabray --- Wisam J. Aziz --- L. A. Latif --- Huda J. Ali
Journal: Journal of College of Education مجلة كلية التربية ISSN: 18120380 Year: 2015 Issue: 3 Pages: 159-170
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

In this study, nanostructure thick films of Pb0.2Cd0.8S were prepared by the chemical bath deposition technique on glass slides at 343 K with different thicknesses ( 2.65 , 3 and 3.58)μm.The surface morphology of films which characterized by AFM and SEM revealed the formation started in low thickness with small islands to reach the final structure formation in 3.58μm with nano sheets (Like- stars) and homogenous for whole area of top surface and the spherical crystallite size of the films is found to range from 50 nm to 100 nm. The optical absorption and transmission properties of films were determined by UV spectrophotometry.The energy band gap values were increased with thickness increased as 2.65 μm (2eV), 3 μm (2.2 eV) and 3.85 μm (2.23 eV) according to the principle of thickness relation with energy band gap.


Article
Frequency Dependent Capacitance –Voltage and Current Density Characteristic of Al/PS/p-Si Heterojunction
إعتماد التردد على خصائص السعة – فولتية وكثافة التيار للمفرق الهجين Al/PS/p-Si

Authors: Hassan Juma Abd حسن عبد الصاحب هادي --- Hasan Abdulsaheb Hadi حسن جمعه عبد
Journal: Iraqi Journal of Science and Technology المجلة العراقية للعلوم والتكنولوجيا ISSN: 18136893 Year: 2014 Volume: 5 Issue: 1 Pages: 89-96
Publisher: Ministry of science and technology وزارة العلوم والتكنولوجيا

Loading...
Loading...
Abstract

In this paper, formation of microstructures porous silicon layer (PS) on c-Si substrate p-type with resistivity’s10 Ω.cm which was prepared by the electrochemical etching (ECE) is presented. The etching current densities (40 and 50 mA.cm-2) were used in the electrochemical etching procedure leading to the formation of 1.08 µm and 1.34µm thick porous layers respectively at constant etching time 300sec. From the current – voltage characteristics of the PS/p-Si, the potential barrier were determined and found to be (0.54 and 0.53 eV) respectively. C-V measurements performed on metal/porous silicon/crystalline silicon structures with different etching current densities and frequency depended

في هذا البحث تم تشكيل التركيب المايكروي لطبقة السيليكون المسامي(PS) على القاعدة السيليكونية من النوع الموجب ذي المقاومية 10 Ω.cm المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائية . ان قيم كثافات تيار التنميش في الطريقة المستخدمة للحصول على سمكي طبقة السيليكون المسامي 1.08 µm و 1.34µm هي على التوالي (40 mA.cm-2 و 50 mA.cm-2) بثبات زمن التنميش عند القيمة 300 ثانية. من خصائص تيار –فولتية للتركيب PS/p-Si تم حساب قيمة حاجز الجهد والذين هما 0.54 ev و 0.53 ev لكلا التركيبين على التوالي. دراسة خصائص السعة – فولتية لتركيب المعدن/ السيليكون المسامي/السيليكون البلوري والتي اعتمدت على كل من كثافة تيار التنميش والتردد

Listing 1 - 5 of 5
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (5)


Language

English (5)


Year
From To Submit

2016 (1)

2015 (1)

2014 (1)

2012 (1)

2009 (1)