research centers


Search results: Found 4

Listing 1 - 4 of 4
Sort by

Article
Light-Induced Etching of Silicon
القشط المحتث بالضوء للسليكون

Authors: Alwan. M. Alwan --- A.M. Ahmed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: suppl.of No.3 Pages: 467-474
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, an ordinary light is used for photo-chemical etching of n-typesilicon wafer in HF solution. Scanning electron microscopy is used to monitorchanges in surface morphology produced during the etching process. Uniformporous layer has been observed for various irradiation time. Our techniqueoffers a great controlling parameter on the porous layer uniformity comparedwith the porous layer achieved by using a laser beam. Electrical propertiesand porous layer thickness of the photo produced layer have been studied.

في هذا العمل تم إستخدام الضوء الاعتيادي في عملية القشط الضوء -الكيمياوي للسليكون فيحامض الهيدروفلوريك . تم إستخدام المجهر الالكتروني الماسح لمراقبة التغيراتالطوبوغرافية الناتجة على سطح السليكون . تم الحصول على طبقة سليكون مسامي منتظمبإستخدام الضوء الاعتيادي بالمقارنة مع الليزر المستخدم في بحوث أخرى.


Article
Properties of Porous Silicon Under Some Experimental Parameters on the

Author: Adawiya J.H.
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2013 Volume: 9 Issue: 2 Pages: 37-40
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

The influence of halogen lamp illumination intensity and HF acid concentrations on the properties of n-type porous silicon samples during the light-induced etching process were investigated. The photoluminescence (PL) spectra were recorded for porous silicon samples prepared at high illumination intensity. The peak and the shape of PL spectra are function to illumination intensities. The etching rates and porosities increases with increasing light beam intensity and go through maximum with increasing HF acid concentration.


Article
The Effect of Some Experimental Parameters on the Properties of Porous Silicon

Author: Adawiya J. Haider
Journal: Iraqi Journal of Applied Physics المجلة العراقية للفيزياء التطبيقية ISSN: 18132065 23091673 Year: 2016 Volume: 12 Issue: 2 Pages: 37-40
Publisher: iraqi society for alternative and renewable energy sources and techniques الجمعية العراقية لمصادر وتقنيات الطاقة البديلة والمستجدة

Loading...
Loading...
Abstract

The influence of halogen lamp illumination intensity and HF acidconcentrations on the properties of n-type porous silicon samplesduring the light-induced etching process were investigated. Thephotoluminescence (PL) spectra were recorded for porous siliconsamples prepared at high illumination intensity. The peak and theshape of PL spectra are function to illumination intensities. Theetching rates and porosities increases with increasing light beamintensity and go through maximum with increasing HF acidconcentration.


Article
Structural and morphological study of nanostructured n-type silicon
دراسة الخصائص التركيبية النانوية للسيليكون المسامي من النوع المانح

Loading...
Loading...
Abstract

In this study, investigations of structural properties of n-type porous silicon prepared by laser assisted-electrochemical etching were demonstrated. The Photo- electrochemical Etching technique, (PEC) was used to produce porous silicon for n-type with orientation of (111). X-ray diffraction studies showed distinct variations between the fresh silicon surface and the synthesized porous silicon surfaces. Atomic force microscopy (AFM) analysis was used to study the morphology of porous silicon layer. AFM results showed that root mean square (RMS) of roughness and the grain size of porous silicon decreased as etching current density increased. The chemical bonding and structure were investigated by using fourier transformation infrared spectroscopy (FTIR). Porosity of the porous silicon layer and thickness were determined gravimetrically. Increasing the etching current density led to increase the surface porosity and thickness. Porosity between77% and 82% were observed for current densities between 24 mA/cm2 and 116 mA/cm2.

لقد تم في هذا البحث دراسة الخصائص التركيبية لطبقة السيليكون المسامي على القواعد السيليكونية من النوع المانح المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي بمساعدة اشعة الليزر .لقد اوضحت نتائج حيود الاشعة السينية XRD ان طيف التركيب المسامي يختلف عن نظيره البلوري. تم استخدام تقنية مجهر القوة الذرية(AFM) لدراسة طبوغرافية السليكون المسامي . لقد اوضحت النتائج العملية ان مقدار الجذر التربيعي لمعدل خشونه سطح السليكون قد ازداد مع زيادة كثافة تيار التنميش. ان التركيب والتأصر الكميائي للسليكون المسامي تم فحصه بواسطة تقنية FTIR . ان النسبة المئوية للمسامية وسمك الطبقة المسامية تم تحديدها بالطريقة الوزنية . لقد وجد ان كل من سمك الطبقة المسامية والنسبة المئوية للمسامية قد ازدادت مع زيادة كثافة تيار التنميش. ان قيم المسامية للطبقة المقاسة بالطريقة الوزنية تزداد من 77% الى 82% عندما يكون كثافة تيار التنميش مابين 24mA/cm2 و 116mA/cm2 .

Listing 1 - 4 of 4
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (4)


Language

English (4)


Year
From To Submit

2016 (1)

2013 (1)

2012 (1)

2007 (1)