research centers


Search results: Found 4

Listing 1 - 4 of 4
Sort by

Article
Effect of HF Concentration on the PS Structures Prepared by Photoelectrochemical Etching
تاثير تركيز حامض الهيدروفلوريد على طبقة السليكون المسامي المحضر بطريقة التنميش الكهروكيميائي الضوئي

Authors: Yasmeen Z. Dawood --- Bassam G. Rasheed --- Ali H. AL-Hamdani
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2010 Volume: 28 Issue: 11 Pages: 2143-2150
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon was fabricated at p-n junction wafer byphotoelectrochemical (PEC) etching. Silicon wafer with various electrolytecontaining different HF concentrations was used to explain PS formation by thereaction at the Si/ electrolyte interface. An investigation of the dependence on HFconcentration to formed PS layer was made. The surface morphology of PS layerwas study as a function of HF concentration. Pillar like structures are formed atlow HF concentration and pores structures are obtained a at higher HFconcentration (40%). The etching rate increases with increasing HF concentrationcausing faster silicon dissolution. Thus the total pillar volume would increase byincreasing the HF concentration.

تم انتاج طبقة من السلیكون المسامي بطریقة التنمیش الكھروكیمیائي الضوئي باستخدامقواعد سلیكونیة ثنائي الوصلة. ودراسة تاثیر تركیز حامض الھیدروفلورید على تكوین طبقةالسلیكون المسامي من خلال التفاعل الحاصل بین الحامض وسطح السلیكون. نلاحظ ان التركیب السطحي لطبقة السلیكون المساميدالة لتركیز الحامض المستخدم. طبیعة السطح ذات تركیب اشبھ بالاعمدة عند التراكیز القلیلة بینماعند استخدام تراكیز عالیة (% 40 ) یكون التركیب السطحي على شكل حفر. كما تم ملاحظة زیادةفي معدل التنمیش بزیادة تركیز الحامض نتیجة لزیادة في عملیة التفاعل والذي سیاثر على عددالاعمدة (التركیب السطحي) والذي یزداد بزیادة تركیز الحامض.


Article
The Photoluminescence Characteristics of Partially and Fully (P-N) Porous Silicon
خصائص التلؤلؤ الضوئي لطبقة (p-n) السيليكون المسامي جزئياً وكامل الاختراق.

Authors: Alwan M. Alwan --- Muna. S. M. Jawad
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 3 Part (B) Scientific Pages: 391-399
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, we present results of photoluminescence (PL) properties of fully (p-n) porous silicon device. Porous silicon layer has been prepared by Photo-electrochemical etching under different etching time of abrupt (p-n) silicon junction. The photoluminescence spectra, it is found that the formation of fully penetrate porous silicon layer can lead to decrease in the photoluminescence intensity. The reduction of the PL intensity is referred to the increase of non- radiative recombination process between the electron and hole. The obtained fully porous silicon layer in high etching time regime and this layer cannot be used for perpetration of light emitting devices, while the partially (p-n) porous silicon layer in the PL intensity has a higher value and good characteristics, this layer is suitable for (LED).

في هذا البحث تم دراسة خصائص التلؤلؤ الضوئي لطبقة سيليكون جزئية وكاملة المسامية. تم تحضير طبقة السيليكون المسامي باستخدام مفرق ((p-n بطريقة التنميش الكهروكيميائي-الضوئي (PEC) باستخدام ازمنة تنميش مختلفة لمفرق ((p-n سيليكوني حاد. اظهرت نتائج اطياف التلؤلؤ الضوئي تكون طبقة سيليكون مسامي كاملة الاختراق للمفرق (p-n) وهذا ادى الى انخفاض شدة التلؤلؤ الضوئي. الانخفاض في شدة التلؤلؤ الضوئي يشير الى زيادة عمليات اعادة الاتحاد الغير اشعاعي بين الالكترون-الفجوة. وان طبقة السيليكون المسامي كاملة الاختراق تتكون عند ازمان التنميش العالية وفي هذه الحالة لاتصلح لتحضير النبائط الباعثة للضوء، اما طبقة السيليكون المسامي (p-n) الجزئية الاختراق المتولدة لازمنة تنميش صغيرة للمفرق تعطي شدة PL عالية ولذلك تكون ملائمة لصنع الثنائي الباعث للضوء.


Article
Fabrication and Investigation of Nanostructured Monolayer Porous Silicon (PSi) Based for Silicon Solar Cell Applications
التحقق من الخصائص الكهروضوئية للسلكون المسامي

Authors: Saad A. Mohammed Salih سعد عبد العزيز محمد --- Mayameen S. kadhim ميامين سلمان كاظم
Journal: AL-NAHRAIN JOURNAL FOR ENGINEERING SCIENCES مجلة النهرين للعلوم الهندسية ISSN: 25219154 / eISSN 25219162 Year: 2015 Volume: 18 Issue: 2 Pages: 309-314
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Fabrication of PSi is generated successfully depending upon photo-electrochemical etching process. The purpose is to differentiate the characterization of the PSi monolayer based on c-silicon solar cell compared to the bulk silicon alone. The surface of ordinary p-n solar cell has been reconstructed on the n-type region of (100) orientation in order to enhance the conversion efficiency. The process relied on varying the etching time with fixed current density. The other process conditions were kept constant, for instance, HF concentration, current density, temperature,etc. The role of different laser types and powers illuminated the n-region has been realized. In particular, the blue laser (473nm of two powers 50 and 100mW) appears to be the most operative wavelength to obtain the optimum efficiency and pore sizes as well as the etching rate. The samples were tested and characterized by the (I-V).Measurement and analyzed by SEM, PL and AFM tests. The obtained solar cell efficiency was in the range of 11% compared to the typical solar cell efficiency which was (3.34%).

هدف هذه الدراسة تحضير طبقة السلكون المسامي على الوجه (n) من مفرق (p-n) المكون للخلية الشمسية الذي تكون الاضاءة من متطلبات التفاعل عنده ثم التحقق من امواصفات الجديدة للخلية الشمسية بعدة وسائل مختلفة مثل : SEM و PL و AFM. استعمل في التحضير خليط من حامض الهيدروفلوريك والايثانول اضافة الى الماء بنسبة (2:3:3) وضوء الليزر باطوال موجية و قدرات مختلفة في خلية مصنعة محليا من التفلون فيما يسمى طريقة التنميش الضوئي- الكهروكيميائي وضع السلكون فيها كقطب الانود اما الكاثود فكان من البلاتينيوم. هنالك عوامل متعددة تؤثر في هذا التفاعل اخترنا اهمها وهو زمن التنميش (10,15,20,25 ) دقيقة في حين ثبتنا بقية الاعلومات. برز الليزر الازرق (nm473) كافضل انواع الليزرات المستعملة التي اعطت افضل النتائج العملية من ناحية الكفاءة و سعة الفجوات ومعدل التنميش. كانت النتائج مشجعة اذ كانت كفاءة الخلية الشمسية الجديدة اكثر من (%11) مقارنة بالخلية السلكونية الاصلية التي كانت 3.34%)).


Article
An Investigation of Electrical Properties of (p-n) Porous Silicon Layer
التحقق عن الخصائص الكهربائية لـ (p-n) من طبقة السليكون المسامي

Authors: Muna Salih Mohammed Jawad --- Alwan. M. Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2013 Volume: 31 Issue: 7 Part (B) Scientific Pages: 867-878
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this work, we studied the electrical properties of (p-n) porous silicon layer under different etching time. The (p-n) porous silicon layer prepared by photo-electrochemical etching process. The dark I-V characteristics; give us rectification ratio with wide range as a function to etching time. A high value for the rectification behavior is related for etched samples at low etching time. While the increasing of etching time to high value show a non rectification behavior in (p-n) porous samples. The values of the photo-current for (p-n) porous sample at low etching time has very small value compared with the other (p-n) porous silicon samples at high etching time and this behavior in PSi layer in high etching time cannot be employed light emitting diode applications. While the layer prepared at low etching time is well suitable for light emitting device.

في هذا البحث قمنا بدراسة الخصائص الكهربائية لـطبقة السيليكون المسامي نوع (p-n) المحضر من طبقة السليكون المسامي بازمان تنميش مختلفة وبطريقة التنميش الكهروكيميائي-الضوئي (PEC). و من خلال منحنيات تيار- جهد بالظلام اعطى قيم تقويم عالية تمتلك قيم واسعة كدالة لزمن التنميش وخصوصاً عند ازمان تنميش قليلة. عند زيادة زمن التنميش لحد كبير ادى الى ظهور السلوك اللا تقويمي في عينات (p-n). ان قيم التيار- الضوئي عند ازمنة التنميش القليلة اعطى قيمة صغيرة جدا مقارنة مع القيم الاخرى عند زيادة زمن التنميش. لذا فان استخدام ازمنة تنميش عالية تولد لنا عينات (p-n) لاتصلح لعمل الثنائيات الباعثة لضوء على العكس مع ازمنة التنميش القليلة التي تصلح لانتاج الثنائيات الباعثة للضوء.

Listing 1 - 4 of 4
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (4)


Language

English (4)


Year
From To Submit

2015 (1)

2013 (2)

2010 (1)