In This research we study the effect of photo chemical etching and electrochemical etching on topography of porous silicon surfaces, the results showed that photo chemical etching produced roughness silicon layer which can have thickness be less of porous silicon layer which is produced by electro chemical etching When all the wafers have same etching time and hydrofluoric solution (HF) concentration, the wafers have same resistance (10 Ω.cm).Also the results showed the roughness of porous silicon layers produced by electro chemical method which is bigger than the roughness of porous silicon layers produced by photo chemical method and the results of roughness of porous silicon layers, Pore diameter and porous layer thickness were produced by electro chemical method (1.55(µm) ((0.99(µm)) and ((1.21(µm) respectively), the results of roughness of porous silicon layers, Pore diameter and porous layer thickness were produced by photo chemical method 0.63)) nm -1.55)) (µm) ),so the (84.9 (nm)- and (3.94(nm) respectively .This is reinforces because of using the electro chemical to etching the wafer surf ace of bulk silicon and changing it to roughness silicon surface be share in success of many practicalities.

تم في هذا البحث دراسة تأثير التنميش الكيميائي الضوئي والتنميش الكهروكيميائي على طبوغرافية سطوح السليكون المسامي، اذ اظهرت النتائج ان التنميش الكيميائي الضوئي انتج طبقة سطحية ذات خشونة اقل سمكا مما انتجه التنميش بالطريقة الكهروكيميائية وعند ظروف التصنيع نفسها من تركزHF و زمن تنميش ومقاوميه نفسها (.cm Ω 10).كما تبين ان الخشونة كانت اكبر لسطوح شرائح السليكون المسامي المنتجة بالطريقة الكهروكيميائية مما هي عليه سطوح السليكون المسامي المنتجة بالطريقة الكيميائية الضوئية اذ اظهرت النتائج ان قيم الخشونة وقطر المسام وسمك الطبقة المسامية للسطوح السليكونية المنتجة بالطريقة الكهروكيميائية كانت (1.55(µm) و(mµ)(0.99) و(mµ)(1.21) على التوالي، بينما اظهرت النتائج ان قيم الخشونة وقطر المسام وسمك الطبقة المسامية للسطوح السليكونية المنتجة بالطريقة الفوتوكيميائية كانت nm) (0.63) و ( (nm)(84.9) و(nm)(3.94) على التوالي.وهذا يعزز من امكانية استعمال الطريقة الكهرو كيميائية الضوئية لحفر سطوح شرائح السليكون الكتلي وتحويلها الى شرائح سليكون ذات سطوح خشنة تسهم في انجاح عدة تطبيقات عملية.

porous silicon --- electrochemical etching and Photochemical etching

porous Silicon (PS) Layers were prepared by photochemical etching using Sun Light as a Source of energy for the first time instead of industrial Sources of light Such as Lasers, Halogen and tungsten lamps. That was used to preparation (PS) by photochemical etching. Silicon Wafers n-type (100), resistivity (10Ω.cm), (40%) HF Acid, with different illumination intensities(power density) (1758, 3956, 6182 and 8902)mw /cm2 were obtained using different Lenses with different diameters (40, 60, 75 and 90) mm, focal length (13,18,41,45) cm respectively and constant etching time (60min). The morphology of the surface was studied by using an (atomic force microscope) (AFM) and (scanning electron microscope) (SEM) results shows formation of groups of pores and crystals in (nm)size with different diminution are distributed in etched area in wavy forms. The thickness of porous layers ranged from (50.06 3.68, 3.79 and 3.39) nm and the diameter of the particles are(84.06, 59.42, 51.12 and 34.8)nm respectively. The current voltage characteristics for ALthin/n-si/PS/ALthin device fabricated by sun light photochemical etching technique showed a rectifying behavior which improved with increasing light intensity.

تم تحضير طبقات من السليكون المسامي بطريقة التنميش الكيميائي الضوئي. استخدمنا ضوء الشمس وللمرة الاولى كمصدر للطاقة الضوئية بدلاً عن مصادر الطاقة الصناعية كالليزر والهالوجين ومصابيح التنكستن التي كانت تستخدم لتحضير طبقات السليكون المسامي. السليكون المستخدم من نوع n-type(100) وبمقاومة (10Ω.cm) وحامض بتركيز (40%HF). تم الحصول على شدات اضاءة مختلفة mw/cm2(1758,3956,6182,8902 ) باستخدام عدسات لامة بأقطار مختلفة mm(40,60,75,90) وذات ابعاد بؤرية 13,18,41,45)cm)على التوالي ,وزمن تنميش ثابت (60min) .تم استخدام مجهر القوة الذرية (AFM) والمجهر الضوءي الماسح (SEM) لدراسة طبيعة سطح طبقات السليكون المسامي وبينت نتائج السطح تشكيل طبقات سليكون مسامي كمجاميع من المسامات والبلورات النانوية وبمختلف الاقطار وبأشكال تموجيه متوزعة على السطح المسامي وذلك بازدياد شدة الإضاءة. سمك الطبقة المسامية بمدى من50.06,3.06,3.79and3.39)nm)وبمعدل قطر للجسيمات nm(84.37,59.42,51.12,34.8)على التوالي.خصائص تيار – فولطية على النبائط (ALthin/n-Si/PS/ALthin) المصنعة من السليكون المسامي المحضر بطريقة التنميش الكيميائي الضوئي باستخدام ضوء الشمس اظهرت خصائص تقويمية تزداد مع زيادة شدة الاضاءة.

porous silicon --- nanostructure in --- PS --- photochemical etching --- PS morphology --- AMF --- electrical properties 0f --- PS