research centers


Search results: Found 14

Listing 1 - 10 of 14 << page
of 2
>>
Sort by

Article
STUDY OF OPTICAL GAIN IN AlGaAs QUANTUM DOT PHOTODETECTOR
دراسة الربح الضوئي في الكاشف الضوئي المكون من النقاط الكمية الالمنيوم / غاليوم/ زرنيخ

Author: Hayder T. Assafli حيدر توران مهدي
Journal: DIYALA JOURNAL OF ENGINEERING SCIENCES مجلة ديالى للعلوم الهندسية ISSN: 19998716/26166909 Year: 2017 Volume: 10 Issue: 3 Pages: 86-95
Publisher: Diyala University جامعة ديالى

Loading...
Loading...
Abstract

The Quantum Dot Infrared Photo Detectors (QDIPs) become the leading technology in semiconductor detectors. This attraction comes from the properties of these devices that overpowers over the currently available detectors like Quantum Well Infrared Photo Detectors (QWIPs). In this paper, different Z-length dimensions are used to investigate the behavior of energy levels inside the quantum dots. The Z-length is also applied to investigate the shift of the operating wavelength and adjust the quantum dot performance by multiband Schroedinger-Poisson simulation. The generated electrons in the detection process are one of the most important properties of these dots. A software program is used to simulate the wave function, energy state, and absorption for different Z-dimensions. Results showed that the bandgap decreases and the absorption response shifts with increasing Z-dimension.

الكواشف التحت الحمراء المكونة من النقاط الكمية اصبحت في مقدمة كواشف الاشباه الموصلات والسبب يعود الى خصائص هذا النوع من الكواشف التي تعطيها مميزات اكثر من قريناتها مثل الكواشف التحت الحمراء ذات البئر الكمي. في هذا البحث, تم دراسة تأثير تغيير البعد Z للنقاط الكمية على مستويات الطاقة والتي بدورها تأثر على الاستجابة الضوئية للكاشف. وتم دراسة تأثير تغيير البعد Z على تغير استجابة الكاشف للطول الموجي بطريقة المحاكاة باستخدام طريقة شرودنكر- بويسون. ألالكترونات الناتجة مهمة جدا لاعطاء خواص النقاط الكمية. تم استخدام برنامج المحاكاة لتوليد دالة الموجة, مستويات الطاقة, وخواص الامتصاص. واظهرت النتائج ان فجوة الطاقة تقل والامتصاصية تزداد مع زيادة البعد Z.


Article
Fabrication and Characterization of Cu2S /Si Heterojunction Photodetector Based on Spray Pyrolysis of Cu2S on Si
تصنيع ودراسة خصائص كاشف المفرق الهجين Cu2S/Si بطريقة الرش الكيميائي الحراري

Authors: Khaled Z. Yahiya --- Yasmeen, Z. Daood --- Saria D. Ahmed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2007 Volume: 25 Issue: 2 Pages: 176-182
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work fabrication and characterization of Cu2S/Siheterojunction photodiodes made by spray pyrolysis method using aqueoussolution of CuCl2.2H2O onto n-type silicon substrates made. The externalquantum efficiency of heterojunction was ٣7% at wavelength of 850nm. Theexperimental results show peak relative responsivity around 100mA/w , andmaximum value of detectivity D* (2*1011cm.Hz1/2.w-1).

المصنع Cu2S/Si في هذا البحث جرى تصنيع ودراسة خصائص كاشف المفرق الهجينبطريقة الرش الكيميائي الحراري , وبكفاءة كمية قصوى تصل إلى ٣٧ % عند الطول الموجي850 . تم دراسة الاستجابة الطيفية كدالة للطول الموجي عند درجة حرارة الغر فة . لقد nm850 والتي تصل إلى nm أوضحت النتائج إن قمة الاستجابة الطيفية كانت عند الطول الموجي.(D*=2*1011cm.Hz1/2.w- 100 وأعلى قيمة للكشفية حوالي ( 1 mA/w


Article
High-Speed Response Si PIN Photodetector Fabricated and Studied for Visible and Near Infrared Spectral Detection
تصنيع ودراسة كاشف سليكوني من نوع PIN ذو سرعة استجابية عالية للمنطقة المرئية وتحت الحمراء القريبة من الطيف

Author: Khalid Z. Yahiya
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 10 Pages: 1164-1170
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work , PIN photodetector has been fabricated by vacuum evaporationtechnique, Al was evaporated on top side of an intrinsic – type silicon and In was evaporatedon down side and doped for each sides of an intrinsic silicon with thermal diffusion techniqueusing a furnace system, in this method PIN photodetector is made.The optoelectronic and electrical properties of photodetector were studied ,PIN hasspectral responsivity in visible and near infrared region and has peak responsivity atwavelength 900nm ,I-V characteristic under dark condition the ideality factor is 3.2 and builtin-potential was determined by extrapolation of the curve (1/C3) to a point 1/C3=0 equal 0.8v.a high speed response for the photodetector was determined , it is equal less than 2.35nS.

بطريقة التبخير تم تبخير معدن الألمنيوم على PIN في هذا البحث ، تم تحضير كاشف من نوعالسطح الأعلى للسليكون النقي وأيضا تم تبخير معدن الانديوم على السطح الأسفل للسليكون ثم جرى أشابة. PIN السليكون بطريقة الانتشار الحراري بالفرن وبهذه الطريقة تم تصنيع كاشف من نوعتم دراسة الخواص الكهوبصرية والكهربائية ووجد ان الكاشف له استجابية طيفية للمنطقة المرئية900 ومن خصائص تيار -جهد وتحت nm وتحت الحمراء القريبة وله قمة استجابية عند الطول الموجيظرف الظلام وجد ان للكاشف عامل مثالية يساوي 3.2 ومن خصائص سعة-جهد وجد ان المفرق من النوع1 وجد ان قيمة تساوي /C3= 1 عند النقطة 0 /C المتدرج وتم حساب جهد البناء الداخلي من رسم المنحني 3. 2.35ns 0.8 ووجد ان للكاشف سرعة استجابية عالية حيث وجد ان قيمتها اقل من


Article
Preparation and Characterization of PSi/Si Electrochemically Formed as Photodetectors

Author: Doaa S. Jbaier
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2016 Volume: 19 Issue: 4 Pages: 103-112
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon were constructed electrochemically with various form ationtimes (5, 10, 15 and 20) min with current density 20mA/cm2 on p-type silicon. The influence of formation time on the structural and morphological properties have been presented by using SEM and optical microscopy. The SEM analysis was showed that the porous silicon layer has a uniform structure and this structure varied with increasing the etching time. The optical microscope was carried out to study the thickness, the pore diameter and etching rate of porous silicon layer, we have found the porous silicon thicknessis accretion with excess the formation time and pores diameter increased also. The etching rate was found to increase from 1.25 to 1.53 μm/min. The electrical properties of PSi samples which represented by I-V characterization under dark show that when the etching time increased the current which pass through the layer of porous silicon decreased because of increasing the resistivity of PSi surface. From I-V charecteristics PSi layer show a good rectification and high responsivity for visible and near IR region.

السيليكون المسامي تم تحضيره بالطريقة الكهروكيميائيةوبأزمان تحضير ) 5 و 01 و 05 و 01 ( دقيقة وبكثافة تيار01 ملي امبير/سم 0 على السيليكون نوع P . تأثير زمنالتشعيع على الخصائص التركبيبية والطبوغ ا رفية درستباستخدام المجهر الالكتروني الماسح والمجهر الضوئي.أظهرت نتائج المجهر الالكتروني الماسح ان السيليكونالمسامي الناتج ذو شكل منتظم وطبيعة الشكل تتغير بتغيرزمن التشعيع. المجهر الضوئي تم استخدامه لد ا رسة سمكالسطح، قطر المسام بالاضافة الى معدل التاكلفي طبقةالسيليكون وجدنا أن سمك السيليكون المسامي يزداد بزيادةزمن التشعيع بالاضافة الى قطر المسام يزداد كذلك بزيادةزمن التشعيع. معدل التاكل وجد انه يزداد من 0.05 الى0.51 مايكرون/دقيقة. الخصائص الكهربائية لعيناتالسيليكون المسامي والمتمثلة بخصائص تيار جهد تحت -الظلام بينت ان عند زيادة زمن التشعيع يقل التيار المارخلال طبقة السيليكون المسامي بسبب زيادة مقاومة سطحالسيليكون المسامي. من خصائص تيار جهد لسطح –السيليكون المسامي تبين انه يظهر تقويم جيد واستجابية عاليةعند المنطقة المرئية وتحت الحم ا رء الق ريبة .


Article
Conjugated Polymer (MEH-PPV:MWCNTs) Organic Nanocomposite for Photodetector Application
المركب النانوي العضوي للبوليمر المترافق MEH-PPV المدمج مع الانابيب الكاربونية متعددة الجدران لتطبيقات الكاشف الضوئي

Authors: Isam M. Ibrahim عصام محمد ابراهيم --- Abeer H. Khalid عبير حازم خالد
Journal: Baghdad Science Journal مجلة بغداد للعلوم ISSN: 20788665 24117986 Year: 2018 Volume: 15 Issue: 4 Pages: 441-448
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

Fabrication of a photodetector consists of the conjugated polymer "MEH-PPV"- poly (2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenlenevinylene) and MEH-PPV:MWCNT nanocomposite thin film. The volume ratio investigated was 0.75:0.25. MEH-PPV was dissolved in chloroform solvent and doped with MWCNTs. The spin coating method was used to achieve a facile and low cost photodetector. The absorption spectrum decreases by adding the CNTs. The PL spectrum detected recombination curve results by doping the polymer with CNTs, and AFM measurement showed an increase of roughness average from (0.168 to 2.43nm) of "MEH-PPV" and "MEH-PPV:CNTs", respectively. The doping ratio 0.25, which has a higher photoresponsivity, was evaluated at 1.70 A/W and 2.14 A/W of the UV and Vis. wavelength range. Time-dependent photocurrent analysis showed that the higher sensitivity was 176.56 % at 350nm and 290.99% at 500 nm of the "MEH-PPV:MWCNTs" thin films, while I-V characteristics showed a rectifying behavior.

لقد تم التحقيق من تصنيع كاشف ضوئي يتكون الغشاء الرقيق من البوليمر المترافق poly(2-methoxy-5-(2'-ethylhexyloxy)-1,4-phenlenevinylene) و من المركب النانوي MEH-PPV:MWCNT و بنسبة حجمية 0.75 للبوليمر: 0.25 للكاربون متعدد الانابيب . اذيب البوليمر المترافق MEH-PPV بمذيب الكلوروفورم وطعم بالانابيب الكاربونية متعددة الجدران. طريقة الطلاء البرمي استخدمت للوصول الى كاشف ضوئي سهل وسعره منخفض . طيف الامتصاص ينخفض مع اضافة الكاربون نانو تيوب . طيف الاستضائية PL يكشف منحني اعادة الاتحاد ينتج من تطعيم البوليمر مع الكاربون نانو تيوب وقياسات مجهر القوة الذرية AFM يظهر زيادة بمعدل خشونة السطح من 0.168 الى 2.43 للبوليمر المترافق MEH-PPV و MEH-PPV: CNT بالتتابع . نسبة التطعيم 0.25 لها أعلى استجابية ضوئية وتقدر1.70A/W و 2.14A/W لمدى الاطوال الموجية الفوق بنفسجي والمدى المرئي. تحليل التيار الضوئي المعتمد على الزمن يظهر بان التحسسية الاعلى كانت 176.56% عند الطول الموجي 350nm و 290.99% عند الطول الموجي 500 nm للاغشية الرقيقة MEH-PPV:MWCNTs ، خصائص I-V تظهر سلوك المقوم.


Article
Front-Wall Illumination of Spray-Deposited PbS-Si HJ Detector
إضاءة كاشف المفرق الهجين PbS-Si المحضر بطريقة الرش من جهة PbS

Author: Kadhim A. Hubeatir
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2012 Volume: 30 Issue: 12 Pages: 2010-2015
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

(n-p) PbS-Si HJ detector has been fabricated by pyrolytic spraying of PbSheterolayer onto p-type silicon wafer. PbS-side of illumination in the wavelengthrange (450-1150 nm) revealed that the quantum efficiency plateau fairly conformsto that of Si homojunction. Significant specific detectivity of about 8.5 x 1011 cmHz1/2 W-1 has been obtained at 850 nm wavelength. Signal to noise ratio revealedan optimum operation voltage at 2.5 V.

بطريقة PbS بوساطة ترسيب طبقة (n-p) PbS-Si تم تصنيع كاشف المفرق الهجين نوعالرش الكيميائي الحراري على شريحة سليكونية قابلة. أظهرت نتائج إضاءة الكاشف من جهة450 أن له كفاءة كمية طيفية متشابهة مع الكفاءة الكمية – 1150 nm وبالمدى الطيفي PbS8.5 x للكاشف السليكوني المتجانس. أبدت هذه الكواشف كشفية نوعية عالية نسبياً تصل إلى850 . بينت نتائج قياس نسبة الإشارة إلى nm 1011 عند الطول الموجي cm Hz1/2 W-1.2.5 V الضوضاء أن أنسب فولتية انحياز عكسي لعمل الكاشف هي


Article
Photovoltaic Properties of CdO/Porous Si Heterojunction Photodetector.

Authors: Nadir F. Habubi --- Raid A. Ismail --- Abdullah M. Ali
Journal: Journal of College of Education مجلة كلية التربية ISSN: 18120380 Year: 2012 Issue: 3 Pages: 11-31
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

CdO/porous Si heterojunction photodetector have been fabricated by rapid thermal oxidation (RTO) of Cd on porous has been presented. The electrical and photovoltaic properties of this structure have been studied. The electrochemical etching process has been used as a technique to control the porosity of silicon wafer by controlling the time of etching in the range (600s-2400s). The results revealed that all our detector parameters are highly dependant on etching time. The minimum value of ideality factor was 1.28 for the detectors prepared with etching current density of 40mA/cm2 for 600s. The results of quantum efficiency showed that these detectors had two depletion regions, the first one between CdO film and porous silicon layer, the second between the latter and the crystalline silicon. The first peak of quantum efficiency curve was 77% at wavelength 550nm while the second one was 88% at 700nm. The maximum specific detectivity was at wavelength 550nm for the detectors fabricated with etching current density 40mA/cm2 and etching time 2400s. All the detectors are working on the spectrum region 400-700nm. The maximum Isc and Voc were 19A, 0.28mV respectively for the detectors fabricated with etching current density 40mA/cm2 and etching time 1200s.

تم تصنيع كاشف ألمفرق ألهجين نوع (CdO/Porous Si/Si/Al) بطريقة ألأكسدة ألحرارية ألسريعة(Rapid Thermal Oxidation) وذلك من خلال ترسيب أغشية CdO على ألسليكون ألمسامي نوع p- بالطريقة ألمذكورة آنفاً.تم دراسة ألخصائص ألكهربائية وألفولطائية ألضؤئية للكاشف ألمحضر على قواعد سليكونية مسامية. استخدمت عملية ألتنميش ألكهروكيميائية للتحكم بمسامية الشرائح السليكونية من خلال السيطرة على زمن التنميش ضمن المدى الزمني .(600s-2400s) أوضحت ألنتائج أن جميع معلمات ألكواشف ألمصنعة تعتمد بشكل كبير على مقدار زمن ألتنميش (Etching time) للقواعد ألسليكونية ضمن المدى المستخدم. أن أقل عامل مثالية كان 1.28للكواشف ألمصنعة بكثافة تيار تنميش40mA/cm2 وزمن تنميش 600s . لقد أظهرت نتائج ألكفاءة ألكمية أن الكواشف ألمصنعة تمتلك منطقتي نضوب الاولى ما بين غشاء CdO والسليكون ألمسامي والثانية ما بين طبقة السليكون المسامي والسليكون البلوري حيث أن القمة الاولى تقع عند الطول الموجي(550nm ) والثانية عند الطول الموجي (700 nm) حيث مقدار الكفاءة الكمية للقمة الاولى كان ) (88% ومقدارها للقمة الثانية كان ) .(77% أعلى قيمة للكشفية كانت عند الطول الموجي(550nm) . وكان مقدارها 87للكاشف المصنع بكثافة تيار 40mA/cm2 وزمن تنميش 2400s . أوضحت النتائج أن الكواشف المصنعة تعمل للمنطقة الطيفية (400-700nm). جرى قياس كل من تيار دائرة ألقصر وفولتية دائرة ألفتح ووجد بأن أكبر قيمة لهما كانتا 19A و0.28mV على ألتتالي للكاشف ألمصنع بكثافة تيار تنميش40mA/cm2 وزمن تنميش 1200s . أجريت دراسة ألخصائص ألكهربائية والفولتائية ألضوئية والتركيبية لهذا ألكاشف بدرجة حرارة ألمختبر وتبين من خلال خواص (تيار-جهد) بأن ألكاشف غيرمتماثل ألسلوك، وأوجدنا قيمة ألمقاومة ألسطحية RS للكاشف،عامل ألخطية وتم ألحصول على كفاءة كمية بمدى (88%-66%) وبكشفية 76x1011 cm. Hz1/2 W-1 عند ألطول ألموجي nm) 550(.


Article
Nanostructure NiO films prepared by PLD and their optoelectronic properties
اغشية اوكسيد النيكل النانوية المحضرة بطريقة الترسيب بالليزر النبضي وخصائصها الكهروبصرية

Authors: Doaa S. Jbaier --- Jehan A. Simon --- Khawla S. Khashan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 5 Part (B) Scientific Pages: 951-959
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

NiO thin films have compounded by pulsed laser deposition on glass and silicon (111) substrates, employing Q-switching Nd:YAG laser. Structure, grain size and optical properties have analyzed by using FTIR, AFM and UV-VIS spectroscopy. FTIR spectra conformed of NiO bonding. AFM images show the particle size about ~66nm. The optical transmission results premiered the transparency of the NiO films is greater than 70% in the visible region with optical band gap 3.85eV. The current voltage characterization of NiO/Si heterojunction has good rectifying.

اغشية اوكسيد النيكل الرقيقة تم تحضيرها بواسطة الترسيب بالليزر النبضي على قواعد من الزجاج والسيليكون ذي الاتجاهية (111)، باستخدام ليزر النديميوم ياك بتقنية عامل النوعية. التركيب، الحجم الحبيبي والخصائص البصرية تم تحليلها باستخدام تحليلات فورير للاشعة تحت الحمراء(FTIR)، مجهر القوة الذرية والتحليل الطيفي للاشعة المرئية وفوق البنفسجية. اظهرت نتائج طيف (FTIR) وجود اصرة اوكسيد النيكل وبينت صورمجهر القوة الذرية ان الحجم الحبيبي حوالي 66 نانومتر. واظهرت الاغشية نفاذية عالية اكبر من 70% للمنطقة المرئية وبفجوة طاقة 3.85 الكترون فولت. خصائص تيار – جهد للثنائي NiO/Si تمتلك تقويم جيد.


Article
QUANTUM EFFICIENCY OF A p-υ-n Si PHOTODETECTOR
الكفاءة الكمية للكاشف الضوئي n-υ-p سليكون

Authors: Mohammad Shihab Ahmmed --- Muneer Aboud Hashem
Journal: Journal of Engineering and Sustainable Development مجلة الهندسة والتنمية المستدامة ISSN: 25200917 Year: 2015 Volume: 19 Issue: 6 Pages: 130-143
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

The quantum efficiency of a silicon p-υ-n photodetector is present. The analysis to obtain the quantumefficiency takes a uniform doping concentration in each layer into consideration. The theoretical treatment aims toinvestigate the effect of device parameters on the efficiency. Three different cases of the incident light wavelengthshave been considered; short wavelengths, medium wavelengths, and long wavelengths. There is no wavelength rangebetween them, but when the most of the incident light (about 63% or more) absorbed near the surface, it is calledshort wavelength, and when most of the light absorbed in υ-layer, it is called medium wavelength else called longwavelength.A high quantum efficiency at the wavelength of interest, combine with its low operating voltage andcapability, make this detector a promising for use in communication systems and computer interconnections.Highspeed silicon p-υ-n photodetector operates at 700 nmwavelength is reported. By using a reverse bias voltage tocontrol υ-layer width, a high quantum efficiency of 80% is attained corresponding to υ-layer width of 5.36 mand biasing voltage of 2.182 V.The results showed that the quantum efficiency is directly proportional to the widthof the υ-layer and biasing voltage. The results are achieved with the aid of MATLAB programming tool version8.1.0.604 R2013a.


Article
Photoconductive Detector Based on CdTe Nanorods
كاشف التوصيل الضوئي المستند على القضبان النانومتريه CdTe

Authors: Fatima Amer --- Rawa K.Ibrahim --- Asama N.Naje --- Sudad S.Ahmed
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 6 Part (B) Scientific Pages: 1048-1058
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

CdTenanorods have been prepared with the different reaction time period from 1hour to 3 hours. CdTenanorods visible photoconductive detector films have been prepared on porous silicon layer with etching time 10 min. The CdTenanorods crystallization has been studied, the crystalline structure appears hexagonal when the samples dried under vacuum at 400C° for 1h. The Hall measurements show that all samples were p – type semiconductor. The response time of the fabricated CdTe detector with different reaction time was measured by illuminating the samples visible light (Halogen lamp) and its values were decreased from 0.411ms for 1hour to 0.364ms for 3 hours, the photoresponsivity of the detector for reaction time 3hours was to be 3.25×10-6A/W and specific detectivity is found to be 1.05×106W-1Hz1/2cm.

تم تحضيرقضبان CdTeالنانومتريه بازمان تفاعل مختلفه من ساعه واحده الى ثلاث ساعات. ثم تم تصنيع افلام كاشف التوصيل الضوئي على طبقه من السيلكون المسامي بزمن تنميش عشر دقائق. تم دراسة التركيب البلوري للماده المحضره وبينت النتائج ان CdTe له تركيب سداسي عندما جففت العينات تحت الفراغ بدرجه حراره 400Co لساعه واحده. قياسات هول الكهربائيه بينت ان الماده المحضره شبه موصل نوع P . كما تم قياس زمن الاستجابه لكاشف التوصيل الضوئي المحضر بازمان مختلفه وذلك بتعريضه لضوء هالوجين( W250) وبينت النتائج ان زمن الاستجابه يقل منms 0.411 لساعه واحده الىms0.364لثلاث ساعات وكانت استجابيه الكاشف لزمن تفاعل 3 ساعات3.25×10-6امبير/واط والكشفيه النوعيه 1.05×106 سم.واط-1.هرتز1/2

Listing 1 - 10 of 14 << page
of 2
>>
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (14)


Language

English (13)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2018 (3)

2017 (1)

2016 (1)

2015 (4)

2014 (1)

More...