research centers


Search results: Found 5

Listing 1 - 5 of 5
Sort by

Article
In-nSiC schottky photodiode ; Fabrication and Study
تصنيع ودراسة كاشق شوتكي In-nSiC

Authors: Khalid Z. Yahiya --- Ammar H. Jraiz --- Abdulla Khudiar Abass
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2008 Volume: 26 Issue: 9 Pages: 1110-1115
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work , schottky photodiode have been mode on n-type SiCby depositing of thin layer of In . electrical characteristics included I-V(dark and illumination ) have been investigated . Ideality factor is 1.6 andbarrier height is 0.53 eV was calculated from I-V and Isc-Voccharacteristics, Ideality factor is 1.7 and barrier height found to be 0.64 eV,and from optoelectronic characteristics have found sensitivity results showthat peak response of photodiode was 550nm .

ف ي ھ ذا البح ث ج رى ترس یب مع دن الان دیوم عل ى طبق ة م ن كاربی د الس لیكون بع دھ ا ت م دراس ة0.53 eV الخصائص تیار-جھد في حالة الظلام والإضاءة تم حساب ارتفاع حاجز الجھد ویس اويوتیار Voc وعامل المثالیة 1.6 من خصائص تیار جھد في حالة الظلام ومن فولتیة الدائرة المفتوحة0.63 وعامل المثالیة ١٫٧ ومن دراسة eV تم حساب ارتفاع حاجز الجھد ویساوي Isc دائرة القصر. 550nm الخصائص الكھروبصریة وجد ان للكاشف قمة استجابیة عند الطول الموجي

Keywords

photodiode --- SiC --- Schottky contact


Article
Photocurrents Mechanisms And Performance Considerations Of A Reach Through P+-N-N+ Silicon Photodiode

Authors: Fadhil Sahib Hasan فاضل صاحب --- Muneer Aboud Hashem منير عبود
Journal: Journal of Engineering and Sustainable Development مجلة الهندسة والتنمية المستدامة ISSN: 25200917 Year: 2010 Volume: 14 Issue: 4 Pages: 1-19
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

The proposed model is a reverse-biased p+-n-n+ silicon photodiode which offers good quantum efficiency and high response speed suitable for photodetectors application. The theoretical analysis of the device is started with the evaluation of the built-in, reachthrough, and breakdown voltages. Photocurrent mechanisms theoretical treatment in each layer of the device are modeled. The effect of the surface recombination velocity and the absorption coefficient on the minority carries distribution in each layer within the device and on the overall device performance is presented. An effective and powerful modeling process of the mathematical foundations of the photodiode is performed with the aid of MATLAB R2008a version 6.5A. It is found that for a low reachthrough voltage, the concentration of the n layer should be reduced, the photocurrents increases as the width of the P+ and n layer increase at a relatively low surface recombination velocity and better absorption coefficient .A good quantum efficiency and high response speed of the photodiode in the wavelength region can be achieved by considering an optimum values of the effecting parameters in the n key layer of the device.

يتناول البحث نموذجاً مقترحاً للثنائي الضوئي السليكون p+-n-n+ ذو الانحياز العكسي . وهذا النموذج يقدم كفاءة كمية جيدة وسرعة استجابته عالية مناسبة لتطبيقات الكشف الضوئي . ان التحليل النظري للثنائي يبدأ من حساب فولتيات جهد الانتشار وجهد الوصول وجهد الانهيار. وقد تم نمذجةالمعالجات الرياضية للتيارات الضوئية كما تم دراسة تاثير سرعة اعادة الاتحاد السطحية ومعامل الامتصاص على توزيع حاملات الشحنات الاقلية ومجمل كفاءة الثنائي في كل طبقة. وانجز النموذج الرياضي للثنائي الضوئي باستخدام MATLAB R2008a النسخة6.5A بطريقة فعالة لتمثيل العلاقات الرياضية في مختلف طبقات الثنائي . وقد وجد انه لتفليل فولتية جهد الوصول يجب ان يكون تركيزعرض طبقةn وسرعة اعادة الاتحاد السطحية تأثير على كفاءة اداء الثنائي وباختيار قيم مثلى يمكن الوصول الى اداء جيد وسريع في منطقة الاطوال الموجية 0.5µm-0.82µm.


Article
Fabrication and Characteristics Study Ni-nSiC Schottky Photodiode Detector

Author: Muhanad A. Ahamed
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2013 Volume: 16 Issue: 1 Pages: 79-83
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In the present work, schottky photodiode have been mode on n-type SiC by depositing of thin layer of Ni. Electrical characteristics included I-V (dark and illumination) have been investigated. Ideality factor is 2.9 and barrier height is 0.52 eV was calculated from I-V and Isc-Voc characteristics, Ideality factor is 2.32 and barrier height found to be 0.54 eV, and from optoelectronic characteristics have found sensitivity results show that peak response of photodiode was 550 nm. The maximum value of Specific detectivity D*reached (1.6×1011 w-1 Hz1/2 cm).

في هذا البحث جرى ترسيب معدن النيكل على طبقة من كاربيد السليكون بعدها تم دراسة الخصائص تيار-جهد في حالة الظلام والإضاءة و تم حساب ارتفاع حاجز الجهد ويساوي 0.52eV وعامل المثالية 2.9 من خصائص تيار جهد في حالة الظلام ومن فولتية الدائرة المفتوحةVoc وتيار الدائرة القصيره Isc تم حساب ارتفاع حاجز الجهد ويساوي 0.54eV وعامل المثالية 2.32 ومن دراسة الخصائص الكهروبصرية وجد ان للكاشف قمة استجابية عند الطول الموجي 550 nm. اما اعلى قيمة في مقدار الكشفية النوعة D*فقد بلغت بحدود (1.6×1011 w-1 Hz1/2 cm).

Keywords

photodiode --- SiC --- Schottky contact --- Thin films


Article
QUANTUM EFFICIENCY OF A p-υ-n Si PHOTODETECTOR
الكفاءة الكمية للكاشف الضوئي n-υ-p سليكون

Authors: Mohammad Shihab Ahmmed --- Muneer Aboud Hashem
Journal: Journal of Engineering and Sustainable Development مجلة الهندسة والتنمية المستدامة ISSN: 25200917 Year: 2015 Volume: 19 Issue: 6 Pages: 130-143
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

The quantum efficiency of a silicon p-υ-n photodetector is present. The analysis to obtain the quantumefficiency takes a uniform doping concentration in each layer into consideration. The theoretical treatment aims toinvestigate the effect of device parameters on the efficiency. Three different cases of the incident light wavelengthshave been considered; short wavelengths, medium wavelengths, and long wavelengths. There is no wavelength rangebetween them, but when the most of the incident light (about 63% or more) absorbed near the surface, it is calledshort wavelength, and when most of the light absorbed in υ-layer, it is called medium wavelength else called longwavelength.A high quantum efficiency at the wavelength of interest, combine with its low operating voltage andcapability, make this detector a promising for use in communication systems and computer interconnections.Highspeed silicon p-υ-n photodetector operates at 700 nmwavelength is reported. By using a reverse bias voltage tocontrol υ-layer width, a high quantum efficiency of 80% is attained corresponding to υ-layer width of 5.36 mand biasing voltage of 2.182 V.The results showed that the quantum efficiency is directly proportional to the widthof the υ-layer and biasing voltage. The results are achieved with the aid of MATLAB programming tool version8.1.0.604 R2013a.


Article
Diagnosis of Faulty Induction Motor using different sensor

Authors: mailk Abadulrazzaq Alsaedi --- Zahraa K. Taha --- Arwa A. Moosa
Journal: Journal of Baghdad College of Economic sciences University مجلة كلية بغداد للعلوم الاقتصادية الجامعة ISSN: 2072778X Year: 2018 Issue: 54 Pages: 410-422
Publisher: Baghdad College of Economic Sciences كلية بغداد للعلوم الاقتصادية

Loading...
Loading...
Abstract

Single phase induction motor is being the most widely used in different devices at the recent years, which make it a subject to a different failure. This paper presents a measured data calculations and analyzed using different sensors for detecting the single phase induction motor failure. The acoustic wave is currently being used in a wide range of sensing fields including physical sensing, chemical sensing and bio-sensing. One of the most important acoustic sensor is piezoelectric, Piezoelectric was used to detect the acoustic wave generated from these motors, any changes in these acoustic it will be detect to indicate for some occurred failure with in these motors. Another alternative sensor has been used is the modified optical fiber. The modified optical fiber sensor is constructed in a short segment of unshielded the outer sheath and replaced with a cd disk. This fiber was worked as an acoustic sensor by moving the acoustic signal across the fiber tube due to the difference in the refractive index in the 1mm unshielded area. In this study different experiment have been a accomplished and analyzed for detecting the induction motor failure which provided an information that will enable for future modification of sensors

تعد المحركات الحثية ذات الطور الواحد هي الأكثر استخداما على نطاق واسع في الأجهزة المختلفة للسنوات الاخيرة، مما يجعلها عرضة لأنواع مختلفة من الاعطال. تقدم هذه الورقة حسابات بيانية وتحليلات مقاسة باستخدام أجهزة استشعار مختلفة للكشف عن فشل في محرك الحث ذات الطور الواحد. تستخدم حاليا الموجات الصوتية في مجموعة واسعة من أجهزة الاستشعار بما في ذاك الاستشعار المادي والاستشعار الكيميائي والتنشيط البيولوجي. واحدة من أهم أجهزة الاستشعار الصوتية هو الكهربيضغطي ، حيث يتم استخدام كهربيضغطية للكشف عن الموجة الصوتية المتولدة من هذه المحركات، ان أي تغير في الصوت النتائج عن المحرك سيتم الكشف عنه والتنبيه لوجود عطل ما في هذه المحركات. وقد تم استخدام جهاز استشعار آخر هو الألياف البصرية المعدلة. حيث تم انشاء هذه المستشعرات البصرية المعدلة من خلال قشط جزء قصير من الغلاف الخارجي واستبدالها بالقرص المضغوط. تعمل هذه الالياف كمستشعر صوتي من خلال التغير الحاصل في معامل الانكسار في 1 ملم الغير مغلف، ويتم نقل هذه الإشارة في داخل الليف البصري. في هذه الدراسة تم إجراء تجارب مختلفة وتحليلها للكشف عن الفشل في محرك الحث الذي يوفر معلومات من شأنها تمكن من تطوير المستشعرات في المستقبل.

Listing 1 - 5 of 5
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (5)


Language

English (4)

Arabic and English (1)


Year
From To Submit

2018 (1)

2015 (1)

2013 (1)

2010 (1)

2008 (1)