research centers


Search results: Found 5

Listing 1 - 5 of 5
Sort by

Article
THE INFLUENCE OF HEATING TREATMENT ON PHYSICALPROPERTIES OF POROUS SILICON

Authors: Narges Z.Abd alzahra --- Alwan M.Alwan
Journal: Al-Nahrain Journal of Science مجلة النهرين للعلوم ISSN: (print)26635453,(online)26635461 Year: 2009 Volume: 12 Issue: 2 Pages: 76-81
Publisher: Al-Nahrain University جامعة النهرين

Loading...
Loading...
Abstract

In this work we studying the effect of thermal treatment on the electrical and conduction properties of metal /porous silica /n-si /metal prepared by photo electro chemical etching for etching time (15 min. Oxidation occur in oxidation time (15-150)sec at 750Ċ.After investigated current–voltage (J-V)measurement we found increase in rectification ratio ,barrier height increase with oxidation time, the rectification ration was 5 before oxidation will be 21 after 30 s oxidation time, barrier height value was (0.756eV) will be( 0.85eV) at oxidation time 30 s ,the ideality factor after oxidation was 15 will be 2.75 at 30 sec of oxidation time mean that the device approach from the ideality characteristics.

في هذا البحث تم دراسة تأثير المعالجة الحرارية السريعة على الخصائص الكهربائية وميكانيكية التوصيل للسليكون المسامي المحضر بطريقة تشعيع الليزر أثناء عملية القشط الكهروكيميائي بزمن ( 15 دقيقة ) عملية الأكسدة جرت بزمن ( 15-150 ثانية ) عند درجة حرارة (Ċ750) من خلال دراسة الخصائص الكهربائية أن نسبة التقويم و حاجز الجهد تزداد بزيادة زمن الأكسدة الحرارية الأكسدة الحرارية . قيمة حاجز الجهد كانت eV) 0.756 ( أصبحت eV) 0.85 (عند زمن أكسدة 30 ثانية,عامل المثالية وجد انه قبل عملية الأكسدة 15اصبحت قيمته 2.75 عند زمن الأكسدة 30 ثانية مما يعني اقتراب الجهاز من الخصائص المثالية.


Article
Physical Properties of MOS Porous Silicon Detector Fabricated under RTO Method
الخصائصا لفیزیائیة لكاشف السلیكون المسامي MOS المحضر بطریقة الأكسدة الحراریة السریعة

Authors: Narges Z. Abdulzahra --- Wafaa K. Khalaf --- Alwan M. Alwan
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2009 Volume: 27 Issue: 11 Pages: 2286-2291
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

In this research we studying the sensitivity of a porous silicon photo detector, wefound it improved through rapid thermal oxidation processes. Under our optimumpreparation conditions, photocurrent can reach about 3408 μA (under power density 100mW/cm2 tungsten lamp illumination) and dark current is about 300μA(at reverse bias of 5V).


Article
Photovoltaic Properties of CdO/Porous Si Heterojunction Photodetector.

Authors: Nadir F. Habubi --- Raid A. Ismail --- Abdullah M. Ali
Journal: Journal of College of Education مجلة كلية التربية ISSN: 18120380 Year: 2012 Issue: 3 Pages: 11-31
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

CdO/porous Si heterojunction photodetector have been fabricated by rapid thermal oxidation (RTO) of Cd on porous has been presented. The electrical and photovoltaic properties of this structure have been studied. The electrochemical etching process has been used as a technique to control the porosity of silicon wafer by controlling the time of etching in the range (600s-2400s). The results revealed that all our detector parameters are highly dependant on etching time. The minimum value of ideality factor was 1.28 for the detectors prepared with etching current density of 40mA/cm2 for 600s. The results of quantum efficiency showed that these detectors had two depletion regions, the first one between CdO film and porous silicon layer, the second between the latter and the crystalline silicon. The first peak of quantum efficiency curve was 77% at wavelength 550nm while the second one was 88% at 700nm. The maximum specific detectivity was at wavelength 550nm for the detectors fabricated with etching current density 40mA/cm2 and etching time 2400s. All the detectors are working on the spectrum region 400-700nm. The maximum Isc and Voc were 19A, 0.28mV respectively for the detectors fabricated with etching current density 40mA/cm2 and etching time 1200s.

تم تصنيع كاشف ألمفرق ألهجين نوع (CdO/Porous Si/Si/Al) بطريقة ألأكسدة ألحرارية ألسريعة(Rapid Thermal Oxidation) وذلك من خلال ترسيب أغشية CdO على ألسليكون ألمسامي نوع p- بالطريقة ألمذكورة آنفاً.تم دراسة ألخصائص ألكهربائية وألفولطائية ألضؤئية للكاشف ألمحضر على قواعد سليكونية مسامية. استخدمت عملية ألتنميش ألكهروكيميائية للتحكم بمسامية الشرائح السليكونية من خلال السيطرة على زمن التنميش ضمن المدى الزمني .(600s-2400s) أوضحت ألنتائج أن جميع معلمات ألكواشف ألمصنعة تعتمد بشكل كبير على مقدار زمن ألتنميش (Etching time) للقواعد ألسليكونية ضمن المدى المستخدم. أن أقل عامل مثالية كان 1.28للكواشف ألمصنعة بكثافة تيار تنميش40mA/cm2 وزمن تنميش 600s . لقد أظهرت نتائج ألكفاءة ألكمية أن الكواشف ألمصنعة تمتلك منطقتي نضوب الاولى ما بين غشاء CdO والسليكون ألمسامي والثانية ما بين طبقة السليكون المسامي والسليكون البلوري حيث أن القمة الاولى تقع عند الطول الموجي(550nm ) والثانية عند الطول الموجي (700 nm) حيث مقدار الكفاءة الكمية للقمة الاولى كان ) (88% ومقدارها للقمة الثانية كان ) .(77% أعلى قيمة للكشفية كانت عند الطول الموجي(550nm) . وكان مقدارها 87للكاشف المصنع بكثافة تيار 40mA/cm2 وزمن تنميش 2400s . أوضحت النتائج أن الكواشف المصنعة تعمل للمنطقة الطيفية (400-700nm). جرى قياس كل من تيار دائرة ألقصر وفولتية دائرة ألفتح ووجد بأن أكبر قيمة لهما كانتا 19A و0.28mV على ألتتالي للكاشف ألمصنع بكثافة تيار تنميش40mA/cm2 وزمن تنميش 1200s . أجريت دراسة ألخصائص ألكهربائية والفولتائية ألضوئية والتركيبية لهذا ألكاشف بدرجة حرارة ألمختبر وتبين من خلال خواص (تيار-جهد) بأن ألكاشف غيرمتماثل ألسلوك، وأوجدنا قيمة ألمقاومة ألسطحية RS للكاشف،عامل ألخطية وتم ألحصول على كفاءة كمية بمدى (88%-66%) وبكشفية 76x1011 cm. Hz1/2 W-1 عند ألطول ألموجي nm) 550(.


Article
High Quantum Efficiency of (Au/n-SnO2/p-PSi/c-Si/Al) solar cell after annealing of Nd:YAG laser
كفاؤة كمية عالية للخلية الشمسية (Au/n-SnO2/p-PSi/c-Si/Al) بعد التلدين

Authors: Firas Sabeeh Mohammed --- Ban Rashid Ali --- Bahaa Jawad Alwan --- Zahra Sabah Rashid
Journal: Engineering and Technology Journal مجلة الهندسة والتكنولوجيا ISSN: 16816900 24120758 Year: 2015 Volume: 33 Issue: 5 Part (B) Scientific Pages: 856-866
Publisher: University of Technology الجامعة التكنولوجية

Loading...
Loading...
Abstract

Transparent and conducting SnO2 thin film has been produced on (quartz and porous silicon) substrates using rapid photothermal oxidation of pure Sn in air at 600 oC oxidation temperature and different oxidation time. The structural properties and scan electron microscope of the prepared films were studied. The photovoltage properties of a Au/n-SnO2/p-PSi/c-Si solar cell are investigated under irradiation of Nd:YAG laser pulses. The porous Si layer is synthesized on a single crystalline p-type Si using electrochemical etching in aqueous hydrofluoric acid at a current density of 25 mA/cm2 for a 30-min etching time. The structure of the porous layer is investigated using scan electron microscope. The photovoltage properties are found to be dependent on the laser fluencies.

اكاسيد شفافة موصلة SnO2 محضرة على قواعد مختلفة باستخدام تقنية الاكسدة الحرارية السريعة لمعدن القصدير بالهواء عند درجة حرارة اكسدة 600 oC وازمان اكسدة مختلفة. الخصائص التركيبية تم دراستها في هذا البحث. تم تحضير طبقة اليليكون المسامي في هذا البحث باستخدام سليكون نوع p-type Si بمحلول حامض الهايدروفلوريك عند كثافة تيار مقدارها 25 mA/cm2 لمدة 30-min. حيث تم قياس الخصائص الفولتائية للنبيطة المصنعة بعد اجراء عملية التلدين كخلية شمسية حيث اظهرت كفاؤة عالية جدا بعد التلدين.


Article
Synthesis of Al/OPS/PS/Si/Al by RTO and its detection properties

Journal: Journal of College of Education مجلة كلية التربية ISSN: 18120380 Year: 2017 Issue: 1 Pages: 129-138
Publisher: Al-Mustansyriah University الجامعة المستنصرية

Loading...
Loading...
Abstract

Porous silicon oxide (PSO) was prepared by rapid-thermal oxidization (RTO) of porous silicon that was formed on silicon substrate with optimum conditions. The porosity was approximately (65%) and layer thickness was (8μm). Photoluminescence (PL) observed a broad peak of porous silicon (PS) at 690 nm (1.79eV) with full width at half maximum (FWHM) of about 130 nm while the photoluminescence value of PSO located at 670 nm (1.85eV) with FWHM value of 140 nm. The lower values of resistances are 95.8 kΩ and 18kΩ of PSO and PS respectively. Response time of porous silicon detector about (9) second and the recovery time is about (6.5) second. The response time of UV detector for porous silicon oxide is (4) second and the recovery time about (8) second.The (PSO) sample exhibited high detection for incident ultra-violet (UV) light with and without bios

تم تحضير السليكون المسامي المؤكسد بطريقة التأكسد الحراري السريع للسليكون المسامي الذي حضرعلى شريحة من السليكون بشروط منتخبة. المسامية كانت تقريبا 65% وسمك الطبقة 8 مايكرومتر. التألق الضوئي للسليكون المسامي بين بأن له قمة عريضة عند 690 نانومتر (1.79 الكترون فولت ) مع اعلى شدة عند منتصف القمة 130 نانومتر بينما قياسات التألق الضوئي بالنسبة الى السليكون المسامي المؤكسد فبينت قمة عند 670 نانومتر (1.85 الكترون فولت ) مع اعلى شدة عند منتصف القمة 140 نانومتر. قياسات المقاومية للسليكون المسامي المؤكسد وللسليكون المسامي هي 95.8 و18 كيلو اوم على التعاقب. زمن الاستجابة لكاشف السليكون المسامي هو 9 ثانية وزمن الرجوع 6.5 ثانية بينما زمن الاستجابة لكاشف السليكون المسامي المؤكسد هو 4 ثانية وزمن الرجوع 8 ثانية. كاشف السليكون المسامي المؤكسد اظهر كشفية عالية للاشعة فوق البنفسجية مع او بدون انحياز.

Listing 1 - 5 of 5
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (5)


Language

English (4)


Year
From To Submit

2017 (1)

2015 (1)

2012 (1)

2009 (2)