research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Determination Of The Memory Switching Action In CdS/SiO/CdTe Structure
تحديد عمل المفتاحية الذاكرية في التركيبة CdS/SiO/CdTe

Author: Dr. Luqman Sufer Ali د.لقمان سفر علي
Journal: AL-Rafidain Engineering Journal (AREJ) مجلة هندسة الرافدين ISSN: 18130526 Year: 2011 Volume: 19 Issue: 1 Pages: 1-7
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

Abstract In this paper, an experimented study is presented which determines the memory switching criterion for CdS/SiO/CdTe devices. The dc. characteristics obtained from isolated devices on various glass substrates, but having the identical CdS and CdTe semiconductors with different sandwiched SiO thicknesses reveal that the device impedance at OFF state is almost determined by the tunnel oxide thickness. But the forward and reverse threshold voltages are determined by the top contact area of the device. Physical arguments are presented which adequately explain the experimental results in this paper.

الخلاصةفي هذا البحث كانت هنالك دراسة عملية لتراكيب من CdS/SiO/CdTe و التي أظهرت خواص المفتاحية الذاكرية. لقد تم الحصول على خواص مستقرة لنماذج مصنعة على قواعد زجاجية مختلفة فيها طبقات من CdS و CdTe متماثلة ولكن فيها طبقات نفقية من SiO لها أسماك مختلفة. لقد بينت الدراسة بأن الممانعة في حالة (OFF) للنبيطه تعتمد بشكل كبير على سمك الطبقة النفقية للأوكسيد, بينما مقدار فولتية العتبة الأمامية و العكسية يعتمد بشكل أساسي على مساحة طبقة التماس الفوقية. ان التغيرات الفيزيائية تبين بشكل واضح النتائج العملية في هذا البحث.


Article
Switching Study In CdS/CdTe Structures
دراسة المفتاحية في تركيب CdS/CdTe

Author: Dr. L. S. Ali د. لقمان سفر علي
Journal: AL-Rafidain Engineering Journal (AREJ) مجلة هندسة الرافدين ISSN: 18130526 Year: 2010 Volume: 18 Issue: 1 Pages: 51-56
Publisher: Mosul University جامعة الموصل

Loading...
Loading...
Abstract

AbstractThe paper reports preliminary data on the characteristics of a new electronic switching device based on CdS/CdTe hetero–junction. The device is polar and is switched from OFF to ON (WRITE) or ON to OFF (ERASE) by voltage opposite signs. The threshold voltage for WRITE operation is (3-4 V), depending on the device, and for ERASE is about (-2V). The OFF and ON resistance are typically 40MΩ, and 1.5kΩ respectively. Particularly notable features of the new memory device are its transition times (100µsec for both the WRITE or ERASE operations).Keywords:switching, semiconductor devices and materials.

الخلاصةالبحث يعطي بيانات أولية عن خواص نبيطة الغلق والفتح الالكترونية الحديثة والمبنية على المفرق المتباين CdS/CdTe . ان النبيطة هي قطبية وتتحول من حالة الفتح إلى حالة الغلق (الكتابة) أو من حالة الغلق إلى حالة الفتح (مسح) بواسطة أشارة فولتية متعاكسة القطبية. وفولتية العتبة لعملية الكتابة تتراوح بين (V 4-3) وهذه تعتمد على النبيطة . أما فولتية العتبة لعملية المسح فهي بحدود (-2V). ان مقاومة النبيطة في حالة (OFF)هي بحدود (40MΩ) بينما تكون مقاومة النبيطة بحدود (1.5kΩ)في حالة (ON). أن نبيطة الذاكرة هذة تظهر سرعة لابأس بها عند التحول (100µsec) للحالتين ; الكتابة والمسح.

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2011 (1)

2010 (1)