research centers


Search results: Found 2

Listing 1 - 2 of 2
Sort by

Article
Study the effect of thermal annealing on some physical properties of thin Cu2SiO3 films prepared by pulsed laser deposition
دراسة تأثير التلدين الحراري على بعض الخصائص الفيزيائية لأغشية Cu2SiO3 الرقيقة المرسبة بالليزر النبضي

Authors: Iqbal S. Naji اقبال سهام ناجي --- Najim A. Khalifa نجم عبد الله خليفة --- Huda M. Khalaf هدى محمد خلف
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2017 Volume: 15 Issue: 35 Pages: 148-157
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The Cu2SiO3 composite has been prepared from the binary compounds (Cu2O, and SiO2) with high purity by solid state reaction. The Cu2SiO3 ¬thin films were deposited at room temperature on glass and Si substrates with thickness 400 nm by pulsed laser deposition method. X-ray analysis showed that the powder of Cu2SiO3 has a polycrystalline structure with monoclinic phase and preferred orientation along (111) direction at 2θ around 38.670o which related to CuO phase. While as deposited and annealed Cu2SiO3 films have amorphous structure. The morphological study revealed that the grains have granular and elliptical shape, with average diameter of 163.63 nm. The electrical properties which represent Hall effect were investigated. Hall coefficient is negative which means that the films are n-type, and the electrical conductivity decreases with heat treatment.The sensing properties of the Cu2SiO3 sensors for NO2 gas have been studied, and the result revealed that the Cu2SiO3 films have low sensitivity at room temperature, and it's improve with increasing the operation temperature. The response time increase while the recovery time decrease with increasing operation temperature.

تم تحضير متراكب Cu2SiO3 من المركبات الثنائية (SiO2,Cu2O) وبنقاوة عالية بطريقة تفاعل الحالة الصلبة. إن أغشية Cu2SiO3 رسبت عند درجة حرارة الغرفة على أساسات من الزجاج و Si وبسمك 400 نانومتر بطريقة الترسيب بالليزر النبضي. أوضحت تحليلات الأشعة السينية بان المسحوق يمتلك تركيب متعدد البلورات وبطور أحادي الميل وباتجاه مفضل (111) عند θ2 حوالي 38.670o والتي تعود الى طور اوكسيد النحاس. بينما الأغشية المرسب والملدنة تمتلك تركيب عشوائي. أظهرت دراسة السطح بان الحبيبات تمتلك شكل حبيبي واهليجي، مع معدل قطر 163.63 نانومتر. الخصائص الكهربائية والمتمثلة بتأثير هول تم بحثها وكانت.إشارة معامل هول سالبه وهذا يعني إن الاغشيه من النوع الواهب، وان التوصيلية الكهربائية قلت مع المعاملة الحرارية. تم دراسة الخصائص التحسسية لمتحسس لغاز ثنائي اوكسيد النتروجين وان النتائج أوضحت إن أغشية تمتلك تحسسيه منخفضة عند درجة حرارة الغرفة وتتحسن مع زيادة درجة حرارة التشغيل. زمن الاستجابة يزداد بينما زمن التغطية يقل مع زيادة درجة حرارة التشغيل.


Article
Study of structural, optical and electrical properties of thin Ag2Cu2O4 films prepared by pulsed laser deposition
دراسة الخصائص التركيبية، البصرية والكهربائية لأغشية Ag2Cu2O4 الرقيقة المرسبة بالليزر النبضي

Authors: Shahad H. Abdulwahed شهد حسن عبد الواحد --- Iqbal S. Naji إقبال سهام ناجي
Journal: Iraqi Journal of Physics المجلة العراقية للفيزياء ISSN: 20704003 Year: 2017 Volume: 15 Issue: 34 Pages: 41-54
Publisher: Baghdad University جامعة بغداد

Loading...
Loading...
Abstract

The influence of sintering and annealing temperatures on the structural, surface morphology, and optical properties of Ag2Cu2O4 thin films which deposited on glass substrates by pulsed laser deposition method have been studied. Ag2Cu2O4 powders have polycrystalline structure, and the Ag2Cu2O4 phase was appear as low intensity peak at 35.57o which correspond the reflection from (110) plane. Scan electron microscopy images of Ag2Cu2O4 powder has been showed agglomerate of oxide particles with platelets shape. The structure of thin films has been improved with annealing temperature. Atomic Force micrographs of Ag2Cu2O4 films showed uniform, homogenous films and the shape of grains was almost spherical and larger grain size of 97.85 nm has obtained for film sintered at 600°C.The optical band gap was increase from 1.6eV to 1.65eV when sintering temperature increased to 300°C and decrease to 1.45 eV at 600°C for the films deposited at room temperature. Heat treatment of films has been increased the energy band with increasing sintering temperature. Hall coefficient of Ag2Cu2O4 films have a positive sign which means the charge carrier is ap-type. The electrical conductivity decreases with increasing of the sintering temperature for as deposited and annealed films.

تم دراسة تأثير درجات حرارة التلبيد والتلدين على الصفات التركيبية والتضاريسية والبصرية لأغشية Ag2Cu2O4 الرقيقة والمرسبة على أساس من الزجاج بطريقة الترسيب بالليزر النبضي.يمتلك مسحوق Ag2Cu2O4 تركيبا متعدد التبلور، وان طور Ag2Cu2O4 ظهر كقمة منخفضة الشدة عند 35.57o والتي تمثل الانعكاسات عن مستوى(110) .أظهرت صور المجهر الالكتروني الماسح للمسحوق Ag2Cu2O4 تكتل جزيئات الأوكسيد على شكل صفائح. إن تركيب الاغشيه الرقيقةتحسن مع درجة حرارة التلدين. وضحت صور مجهر القوة الذريةللأغشيةAg2Cu2O4 بان الأغشية منتظمة ومتجانسة وشكل الحبيبات على الأغلب كروي، وان اكبر حجم حبيبي هو 97.85 nm تم الحصول عليه للغشاء عند درجة حرارة تلبيد تساوي 600°C. أن فجوة الطاقة البصرية ازدادت من 1.6 eV الى 1.65 eV عند زيادة درجة حرارة تلبيد إلى 300°C وتقل إلى 1.45 eV عند 600°C للأغشية المرسبة عند درجه حرارة الغرفة. المعاملة الحرارية للأغشية تزيد فجوة الطاقة عند زيادة درجة حرارة التلبيد. معامل هو للاغشية Ag2Cu2O4 تمتلك إشارة موجبة وهذا يعني إن نوع حاملات الشحنة هومن النوع القابل.أن التوصيلية الكهربائية تنقص عند زيادة درجه حرارة التلبيد للأغشيةالمرسبة والملدنه.

Listing 1 - 2 of 2
Sort by
Narrow your search

Resource type

article (2)


Language

English (2)


Year
From To Submit

2017 (2)